金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內部安裝芯片或基板并進行鍵合連接，外引線通過金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過金屬外殼，將內部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子封工藝。

金屬外殼常采用鋼、銅、鋁、柯伐合金等材料，表面電鎮一定厚度的鎳層或鎳-金層，其良好的封裝氣密性可以保護芯片不妥外界環境因素的影響。金屬封裝主要用于各類集成電路、微波器件等產品，具有良好的兼容性，使用靈活方便

金屬封裝典型形式如下圖所示。

金屬封裝的典型工藝流程如下：

（1）裝配：將PCB/陶瓷基板、芯片、貼片元件等，用環氧膠黏結或合金焊料焊按等方式裝配固化于金屬外殼腔體內部，起到固定元器件、保護芯片、方便后續鍵合引線等作用。

（2）鍵合：在腔體內部的,芯片、元件與外引腳之間，根據封裝設計使用不同規格的金絲或（硅）鋁絲等進行鍵合連接，起電氣連接作用。常用的鍵合工藝包括金絲球焊鍵合工藝、（硅）鋁線超聲楔形鍵合工藝等。

（3）封裝：利用平行縫焊、合金焊料熔封、儲能焊等工藝將金屬外殼的殼體或底座與管帽或蓋板無斷點、無縫地縫焊起來，將內部（元器件）與外界環境隔絕，使其免受外部水汽或其他氣體的影響。通常在惰性氣體或真空環境下進行密封，以保證腔體內部氣氛處于穩定受控的狀態。

(4）打標：將產品的型號、批號、編號等信息標識在金屬外殼主表面，方便器件型號、批次等的識別區后期追湖。常用工藝有油墨印刷、激光打標等。

(5）檢漏：按照不同的試驗條件，對密封后的管殼進行粗、細檢漏，剔除不合格品。程序上要求先進行細檢漏，后進行粗檢漏。細檢漏試驗種類包括示蹤氣體氦(He)細檢漏、放射性同位素細檢漏、光學細檢漏等。粗檢漏試驗種類包括碳氟化合物粗檢漏、染料浸透粗檢漏、增重粗檢漏、光學粗檢漏等。

審核編輯：劉清