1.0簡介

很多新型EW系統需要低噪聲接收機，能夠耐受多個倍頻程帶寬 范圍內的寬輸入功率變化。 這些接收機是保護敏感元器件免受 RF過驅影響、消除傳入信號AM調制所必需的。 此外，由于采用 多通道系統設計并且靠近接收機天線，因而需要低功耗和小封 裝尺寸。 應用包括IFM和測向前端、DRFM和干擾器系統。 這些 系統必須在很寬的溫度范圍內工作，在所有工作條件下都需要 平坦的頻率響應和低諧波成分。 ADI的限幅放大器擁有業界領先 的封裝尺寸、電氣/RF性能，易于集成到更高級別的組件中，非 常適合很多前述應用。 微波限幅放大器是高增益多級放大器， 隨著輸入功率增加而連續壓縮內部增益級，從而限制輸出功 率。 增益級從輸出級向輸入壓縮，其設計經過優化，能夠在所 有工作條件下避免各個增益級過驅。 寬帶限幅放大器設計面臨 著諸多挑戰，包括有效功率限制、熱補償、多個倍頻程帶寬范 圍內的頻率均衡。 此外，低噪聲、低功耗和小封裝尺寸的系統 要求也增加了設計的復雜性。

本文將回顧2 GHz至18 GHz限幅放大器的設計考慮因素和技巧， 要求45±1.5 dB的增益、–40°C至+85°C的工作溫度范圍、小于1.5 W dc功率、40 dB的限幅動態范圍。 限幅動態范圍定義為RF輸出 功率固定的輸入功率范圍。 ADI提供2 GHz至18 GHz寬帶限幅放 大器產品HMC7891HMC7891，滿足上述要求。 該放大器包括內部穩壓功 能，采用密封連接器式封裝。

2.0 構建和放大器考慮因素

微波限幅放大器設計首先是選擇首選構建方法和內部增益級 放大器。 對于高頻應用，混合芯片和電線組件通常優于表面 貼裝設計，以便最大程度地減少由于封裝寄生效應導致的不 良性能影響，混合芯片和電線組件的可靠性非常出色，因為 混合組件經過了徹底檢測，能夠很好地應對環境壓力。 此 外，這些組件體積小，重量輕，易于密封。 混合芯片和電線 組件包括裸片形式的單芯片微波集成電路(MMIC)、薄膜技術、 可線焊的無源組件。

選擇內部增益級的主要考慮因素包括工作頻率范圍、增益與溫 度的關系、增益平坦度、飽和諧波成分、非線性性能。 成功的限幅放大器設計應該最大程度地減少增益級和專用器件數，以 減少熱補償和平坦度問題。 此外，設計成功很大程度上還取決 于器件最大輸入功率額定值，以及所選增益級的壓縮特性。 為 了完成具有40 dB限幅動態范圍要求的設計，建議部署至少四個 增益級，理想情況下，每個放大器級將在小于10 dB的壓縮條件 下工作。 四個增益級還應在溫度范圍內充分實現45 dB的小信號 增益要求。

由于具有高增益和低功耗性能，寬帶MMIC增益模塊放大器或低 噪聲放大器(LNA)適合用于限幅放大器設計。 噪聲系數要求通常需要使用低噪聲放大器，而不是增益模塊放大器。 但是，由于 RF輸入功率額定值通常較低，LNA增益級可能帶來設計挑戰。 理想的增益級器件具有較高的最大RF輸入功率額定值，在高壓 縮級別下能夠安全工作。

另一個重要考慮因素是每個增益級的飽和諧波成分。 諧波成分 要求取決于限幅放大器的應用。 例如，對于旨在生成方波輸出 波形的應用，需要使用具有較低偶次諧波輸出和較強奇次諧波 輸出的增益級放大器。 為了避免破壞輸出波形，最好在所有四 個增益級位置使用相同的器件。 最后，所選MMIC放大器必須無 條件地保持穩定，理想情況下無偏置序列要求，以簡化設計。

HMC462 是完成限幅放大器設計的理想MMIC。 HMC462是一款自 偏置LNA，僅需單個5 V電源，提供大于13 dB的增益、2 GHz至18 GHz的極佳增益平坦度、平均2.5 dB的噪聲系數。 該器件具有18 dBm的飽和輸出功率電平，能夠在頻段范圍內安全地運行大于 14 dB的壓縮。 最大輸入功率額定值幾乎與器件的飽和輸出功 率相等，這使得它非常適合在一系列級聯增益級中工作。 二階 諧波很低，MMIC具有強大的平坦三階諧波。 飽和dc功率低于 400 mW。

3.0 RF預算分析

選擇限幅放大器增益級后，接下來應考慮RF系統預算分析。 RF 預算分析檢查限幅放大器內不同測試點的寬帶頻率響應和RF功 率電平。 必須完成分析，才能針對最壞情況的工作溫度、增益 斜率和寬RF輸入功率范圍進行校正。 如第2.0部分所述，具有40 dB限幅動態范圍的限幅放大器的基本布局是級聯的四個增益模 塊放大器或LNA。 理想的設計僅使用一個或兩個專用放大器器件，以減少在不同頻率下的功率變化，最大程度地減少熱/斜 率補償需求。

圖1顯示了溫度校正和斜率補償之前的首批初始限幅放大器框 圖。 完成寬帶限幅放大器設計的一種推薦技巧是：

1.管理限幅功率動態范圍，消除RF過驅條件。

2.優化溫度范圍內的性能

3.最后，校正功率滾降，將小信號增益變平。

4.最后一個細微校正可能是必需的，即在頻率均衡功能被納入 設計后，重新考慮溫度補償。

圖1. 初步設計框圖。

3.1 功率限制

圖1所示初步設計的主要問題是，隨著RF輸入功率增加，RF過 驅很可能在輸出增益級發生。 當任何增益級的飽和輸出功率超 過隊列中下一個放大器的絕對最大輸入時，將發生RF過驅。 此 外，設計容易出現與VSWR相關的紋波，由于小型RF封裝中的高 無阻尼增益，還很可能出現振蕩。

為了防止RF過驅、消除VSWR效應并降低振蕩風險，可在各增益 級之間添加固定衰減器，以降低功率和增益。 RF蓋上還可能需 要RF吸收器以消除振蕩。 需要足夠的衰減，將各增益級的最大 輸入功率減小到MMIC的額定輸入功率電平以下。 必須包括足夠 的衰減，以容納頂級輸入功率裕量，適應溫度變化和器件間差 異。 圖2顯示了限幅放大器鏈中需要RF衰減器的位置。

圖2 . RF過驅校正框圖。

ADI的寬帶限幅放大器HMC7891采用四個HMC462增益級，以便 讓工作范圍達到10 dBm。 絕對最大輸入功率為15 dBm。 各增益 級能夠耐受18 dBm的最大RF輸入。 按照上一段中概述的設計步 驟，已在兩個增益級之間添加衰減器，以確保最大放大器輸入 功率電平不超過17 dBm。 圖3顯示在設計中添加固定衰減器的 情況下，每個增益級輸入端的最大功率電平。

圖3. 仿真POUT和頻率的關系，RF過驅校正

3.2 熱補償

第二個步驟是對設計進行熱補償，以便擴大工作溫度范圍。 限 幅放大器應用的通用熱范圍要求為-40°C至+85°C。 根據經驗， 0.01 dB/°/級的增益變化公式可用于估算四級放大器設計的增益 變化。 增益隨著溫度降低而增加，反之亦然。 使用周邊環境增 益作為基線，總增益預期在85°C下降低2.4 dB，在–40°C下上升 2.6 dB。

為對設計進行熱補償，可插入市售的Thermopad溫度可變衰減 器，以取代固定衰減器。 圖4顯示了市售的寬帶Thermopad衰減 器的測試結果。 根據Thermopad測試數據和估算的增益變化，顯 然需要使用兩個Thermopad衰減器，對四級限幅放大器設計進行 熱補償。

圖4. 溫度范圍內的Thermopad損耗。

決定在何處插入Thermopad是一個重要決策。 由于Thermopad衰 減器的損耗會增加，特別是在低溫條件下，因此避免在接近RF 鏈輸出端的位置添加元器件是一種好的做法，這是為了維持較 高的限制輸出功率電平。 Thermopad的理想位置是在前三個放大 器級之間，也就是圖5中突出顯示的位置。

圖5. 熱補償框圖。

ADI的熱補償HMC7891小信號性能的仿真結果如圖6所示。 在頻 率均衡之前，增益變化減少至最高2.5 dB。 這在±1.5 dB增益變 化要求的范圍內。

圖6. 溫度范圍內的HMC7891仿真小信號增益。

3.3 頻率均衡

從而補償大多數寬帶放大器中的自然增益滾降。 有各種均衡器 設計，包括無源GaAs MMIC芯片。 無源MMIC均衡器尺寸小巧， 沒有直流和控制信號要求，因此非常適合限幅放大器設計。 需 要的頻率均衡器數量取決于限幅放大器的未補償增益斜率，以 及所選均衡器的響應。 一條設計建議是輕微地過度補償頻率響 應，以抵消傳輸線路損耗和連接器損耗，以及在較高頻率下對 增益影響更大的封裝寄生效應。 圖7顯示了定制ADI GaAs頻率均 衡器的測試結果。

圖7. 測量的頻率均衡器損耗。

ADI的HMC7891限幅放大器需要三個頻率均衡器，以校正經過熱 補償的小信號響應。 圖8顯示了HMC7891經過熱補償和頻率均衡 的仿真結果。 決定在何處插入均衡器對成功設計至關重要。 在 添加任何均衡器之前，切記理想的限幅放大器應在所有增益級 之間均勻分布最大放大器壓縮，以避免過度飽和。 換而言之， 在最壞條件下，每個MMIC應該同等壓縮。

圖8. 溫度范圍內的HMC7891仿真頻率均衡小信號增益。

在圖5所示的當前設計階段，可在器件輸入端添加與Thermopad 衰減器串聯的均衡器，取代器件輸出端的固定衰減器。 在限幅 放大器輸入端添加均衡器會降低第一個增益級的功率。 因此， 級1的壓縮減小。 增益級壓縮減小相當于限幅動態范圍減小。 另外，由于均衡器的衰減斜率，限幅動態范圍在頻率范圍內分 散。 頻率越低，動態范圍縮小越多。 為了補償縮小的限幅動態 范圍，RF輸入功率必須升高。 但是，由于均衡器的斜率，輸入 功率不均勻地升高又會增加放大器增益級過驅的風險。 可以在 器件輸入端添加均衡器，但這不是理想的位置。

其次，添加與Thermopad串聯的均衡器，將減小后續放大器的壓 縮。 這會導致放大器壓縮在增益級之間分布不均勻，縮小整體 限幅動態范圍。 不建議將均衡器與Thermopad衰減器串聯。

第三，使用一個或多個均衡器替代固定衰減器，只會改變輸出 級放大器的壓縮水平。 為了最大程度地減小這種變化，并且避 免RF過驅，均衡器損耗應與從系統中刪除的固定衰減值大致相 等。 此外，正如上文所述，在增益級之前添加均衡器，將會導 致限幅動態范圍與頻率的分散。 為了最大程度地減少這種效 應，請替換盡可能少的均衡器。

最后，均衡器可以添加到器件輸出端。 輸出均衡會減小輸出功 率，但不會產生限幅動態范圍分散。 輸出均衡會產生略正輸出 功率斜率，但這種斜率被高頻封裝和連接器損耗抵消。 完成的 四級限幅放大器布局如圖9所示。

圖9. 頻率均衡框圖。

圖10顯示了ADI HMC7891的輸出功率與溫度仿真結果。 最終設計 實現了40 dB的限幅動態范圍，在所有工作條件下，仿真的最壞 情況輸出功率變化為3 dB。

圖10. 溫度范圍內，HMC7891的仿真PSAT與頻率的關系。

4.0 ADI限幅放大器測試結果

HMC7891的測試結果如圖11至圖18所示。 這些結果證明，該設 計能夠實現47 dB的增益，飽和輸出功率為13 dBm。 放大器的輸 入功率范圍為-30 dBm至+10 dBm，限幅動態范圍為40 dB。 該裝 置在–40°C至+85°C的工作溫度范圍中進行了測試。 下面的圖19 顯示了HMC7891的照片。 雖然HMC7891最初是作為限幅放大器 設計的，但憑借小巧尺寸和出色的RF性能，它在各種不同應用 中都能發揮作用，包括用作三倍頻器和LO放大器。 本文所述的 設計技術可用于未來的限幅放大器設計，對規格要求進行了修 改，例如頻率、輸出功率、增益、噪聲系數或限幅動態范圍。

圖11. 溫度范圍內，HMC7891的測量PSAT與頻率的關系。

圖12. HMC7891的測量增益和回波損耗。

圖13. 溫度范圍內，頻率為2 GHz時，HMC7891的測量POUT與PIN的關系。

圖14. 溫度范圍內，頻率為10 GHz時，HMC7891的測量POUT與PIN的關系。

圖15. 溫度范圍內，頻率為18 GHz時，HMC7891的測量POUT與PIN的關系。

圖16. 溫度范圍內，HMC7891的測量噪聲系數與頻率的關系。

圖17. 溫度范圍內，HMC7891在PSAT下的測量二次諧波與頻率的關系。

圖18. HMC7891在PSAT下的測量三次諧波與頻率的關系。

作者：Adam Winter、Jerry Cornwell

審核編輯：湯梓紅