薩科微slkor半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹說(shuō)，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型晶體管)和 MOSFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）相結(jié)合的電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。既有功率 MOSFET 輸入阻抗高，控制功率小，易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有雙極晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。IGBT 的工作原理是在柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET 導(dǎo)通，這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間呈低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通。

若 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為 0V，則 MOS 截止，切斷 PNP 晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT 與 MOSFET 一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾 V 的直流電壓，只有在 uA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。根據(jù)不同的封裝類(lèi)型，IGBT 產(chǎn)品可分為分立 IGBT 器件和 IGBT 模組兩種。清華大學(xué)李健雄補(bǔ)充道，薩科微slkor的IGBT系列產(chǎn)品，分立 IGBT 器件就是把單個(gè) IGBT 芯片或單個(gè) IGBT+FRD 進(jìn)行封裝，形成具有特定功能的器件；IGBT 模組是一種比較復(fù)雜的封裝模式，是將一個(gè)分立 IGBT 芯片作為一個(gè)單元，然后把這樣的 1 個(gè)、2 個(gè)、4 個(gè)，6 個(gè)或 7 個(gè)單元封裝成一個(gè)整體模塊。薩科微slkor的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能光伏、工業(yè)產(chǎn)品等上面。

審核編輯黃宇