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屹唐半導體科創板IPO進展緩慢!干法去膠設備市占率全球第一,募資30億

Tanya解說 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:劉靜 ? 2023-02-25 01:09 ? 次閱讀
電子發燒友網報道(文/劉靜)晶圓加工設備商屹唐半導體科創板IPO,自2021年6月獲受理以來,一直進展緩慢,直到現在仍未獲得證監會同意IPO注冊的批復。

屹唐半導體是一家以集成電路制造過程中所需晶圓加工設備研發與銷售為主的技術驅動型半導體設備公司,主要產品包括干法去膠設備、快速熱處理設備、干法刻蝕設備等,主要應用于邏輯芯片、閃存芯片、DRAM芯片三大主流應用領域。
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截至2021年6月底,屹唐半導體產品全球累計裝機數量已超過3800臺,在集成電路制造設備的細分領域占據領先地位。根據Gartner統計數據,2020年屹唐半導體干法去膠設備、快速熱處理設備的市場占有率分別位居全球第一、第二。

干法去膠設備市占率全球第一,2021年上半年營收14.17

從營收和凈利來看,屹唐半導體在2018年、2019年、2020年、2021年上半年實現的營業收入分別為15.18億元、15.74億元、23.13億元、14.17億元,營收持續穩定增長,2020年增速提速,達46.95%。報告期內,屹唐半導體曾在2019年出現凈利虧損,2020年、2021年上半年實現歸母凈利潤為2476.16萬元、9519.93萬元,2022年有很大希望突破億元大關。
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屹唐半導體主要為集成電路制造企業提供干法去膠設備、快速熱處理設備、干法刻蝕設備,并提供備品備件及相關服務。從主營業務看,專用設備為營收最主要的來源,貢獻6成以上。而在專用設備業務當中,干法去膠設備銷售收入規模最大,報告期內該產品實現的收入分別為3.53億元、5.93億元、10.80億元、5.89億元,分別占主營業務收入的比例為23.26%、37.67%、46.71%、41.57%。報告期內,屹唐半導體干法去膠設備銷售大幅提升,市場份額 逐年由全球第三提升至全球第一,而干法去膠設備平均單價相對較低,2020年售價大約729.92萬元/臺。
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在屹唐半導體干法去膠設備、快速熱處理設備、干法刻蝕設備三大設備中,2020年收入增速分別為82.24%、12.35%、155.55%,干法刻蝕設備是唯一實現翻倍增長的產品。

據了解,屹唐半導體的干法去膠設備、快速熱處理設備主要可應用于90納米到5納米邏輯芯片、1y到2x納米系列DRAM芯片以及32層到128層3D閃存芯片制造中若干關鍵步驟的大規模量產;干法刻蝕設備主要可應用于65納米到5納米邏輯芯片、1y到2x納米系列DRAM芯片以及32層到128層3D閃存芯片制造中若干關鍵步驟的大規模量產。

報告期內,屹唐半導體銷售的專用設備中應用于邏輯芯片領域28nm以內制程的設備臺數分別為24臺、60臺、83臺、46臺,先進制造設備銷售規模快速增長。

屹唐半導體的干法去膠設備、快速熱處理設備已應用在多家國際知名集成電路制造商生產線上并實現大規模裝機,主要客戶包括臺積電、三星電子、中芯國際、長江存儲、格羅方德、美光科技、海力士等。


毛利率還有差距,募資30億擴產及研發高端集成電路裝備技術

招股書顯示,2018年、2019年、2020年、2021年上半年,屹唐半導體研發費用分別為2.54億元、2.79億元、3.28億元、1.80億元,占營業收入的比例分別為16.75%、17.75%、14.20%、12.72%。研發投入逐年加大,2020年研發費用率均高于同行企業北方華創、盛美股份、芯源微、華海清科,僅低于中微公司。

在研發人員方面,截至2021年6月末,屹唐半導體研發部共擁有157名研發人員,合計占員工總數的比例為23.61%。并擁有發明專利315項,目前形成主營業務收入的發明專利超過5項。

不過在盈利能力方面,屹唐半導體2020年毛利率僅有32.79%,而同行公司中微公司、北方華創、盛美股份、芯源微、華海清科當期毛利率均高于屹唐半導體,分別為37.67%、36.69%、43.78%、42.58%、38.17%。

此外,在屹唐半導體營收占大頭的干法去膠設備領域,其還面臨著外海巨頭比思科、日立高新、泛林半導體、泰仕半導體的強勢競爭。

為了應對接下來的挑戰,屹唐半導體表示,“未來公司將圍繞反應腔設計、晶圓傳輸平臺設計、等離子體源設計、晶圓熱處理等關鍵技術進行技術布局,并持續投入研發力量,不斷提升產品的工藝水平和設備性能,研發新產品。”

此次,屹唐半導體沖刺科創板上市,擬募集30億元資金,投資“集成電路裝備研發制造服務中心項目”、“高端集成電路裝備研發項目”和“發展和科技儲備資金”。募投項目建設完成后,屹唐北京制造基地的干法去膠設備、快速熱處理設備及干法刻蝕設備的生產能力將大幅提升。

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為了提升公司的核心技術水平,屹唐半導體擬將10億募集資金用于高端集成電路裝備研發,重點研發原子層級表面處理及超高選擇比刻蝕設備的技術改進、先進干法去膠設備的技術、基于Hydrilis?平臺的新一代超高產能去膠設備和刻蝕設備的技術改進、高溫真空快速退火及相關一體化半導體處理設備的技術、新型半導體刻蝕設備的技術等。

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