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LDO簡介

硬件設(shè)計技術(shù) ? 來源:硬件設(shè)計技術(shù) ? 2023-02-16 09:38 ? 次閱讀

LDO(Low Dropout Regulator)是嵌入式系統(tǒng)中廣泛使用的器件,也是最基本的模擬電源,由于其輸出噪聲小,電路簡單,所以在各種應(yīng)用中都是不可或缺的器件,其中有一些重要的參數(shù)對電路的性能影響很大,PSRR就是其中的一個。

一、LDO的幾個參數(shù) :

PSRR:電源紋波抑制比

即Vin輸入端紋波被衰減的程度,值越大衰減越大,抑制效果越好。

靜態(tài)功耗:即芯片自身消耗的電流。

輸出噪聲:即疊加在輸出電壓上的噪聲電壓,越小越好

瞬態(tài)響應(yīng): 即負(fù)載電流變化時的響應(yīng)速度,越快越好

壓差(Dropout電壓):滿足輸出電流所需要的最小壓差(Vin-Vout),即MOS管的壓降。

【注:音頻系統(tǒng)需要低噪聲的LDO,CameraSensor需要低噪聲高PSRR和瞬態(tài)響應(yīng)快的LDO?!?/p>

二、LDO的設(shè)計注意事項:

Vin/Vout腳的電容要最靠近對應(yīng)管腳;

BP腳可以接對地電容,也可以不接,接對地電容下可以提高2~3dB的PSRR;

大壓差下要做好散熱處理,即GND面積做大。

三、LDO的溫升計算:

耗散功率=發(fā)熱功率=(輸入電壓—輸出電壓)*負(fù)載電流;

溫升=耗散功率*熱阻系數(shù);

溫升就是發(fā)熱導(dǎo)致的芯片溫度升高,并未包括環(huán)境溫度,實(shí)際芯片的溫度=環(huán)境溫度+溫升;故而實(shí)際芯片溫度與PCB散熱設(shè)計、環(huán)境溫度和溫升都有關(guān);

環(huán)境溫度+溫升不能大于芯片PN結(jié)保護(hù)溫度,否則輸出會關(guān)閉。

熱阻系數(shù)與封裝類型相關(guān),封裝類型決定了熱阻系數(shù)和封裝功率;

封裝功率即該封裝能承受的極限功率。

四、LDO的效率:

線性電源的效率,嚴(yán)格計算:

η =(輸出電壓*輸出電流)/(輸入電壓*輸入電流) 【 其中:輸入電流=輸出電流+LDO自身耗電,因為LDO自身耗電很小, 幾u(yù)A~幾十uA,故可忽略?!?/p>

簡單計算為:

η = 輸出電壓/輸入電壓

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審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:LDO簡介

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