本文重點介紹如何使用外部MOSFET開關,以確保在將系統電壓施加到負載之前存在有效的系統電壓。這個簡單的電路使用復位電路和MOSFET在上電期間提供保護電路。
在電壓達到某個最小值之前,通常需要防止將電源電壓施加到負載上。圖1所示電路由兩個緊湊型SOT23封裝組成,當電源電壓低于預設門限時,通過阻斷電源電壓(標稱值為5V)來保護負載。IC1的門限為4.63V;該 IC 的其他四個版本提供 4.38V、3.08V、2.93V 和 2.63V 門限。
IC1的高電平有效復位輸出通過在上電期間保持高電平來保持p溝道MOSFET關斷。在復位超時周期(最小值為140ms)結束時,它繼續保持高電平,當VCC通過4.63V門限時,IC1由IC1啟動。如果超時到期后VCC仍高于4.63V,則復位變為低電平,開啟Q1,并將VCC施加到負載上。Q1的導通電阻(VGS = 4.5V時為0.2Ω)可提供1A電源電流,而壓降僅為200mV。
如果 VCC 在超時期間搖搖晃晃并降至閾值以下,或者 VCC 在正常工作期間降至閾值以下,則 Q1 將關閉并從負載中移除 VCC。在關斷期間,復位也會變為高電平,并在VCC降至門限以下時立即關閉Q1。IC1 保持該柵極驅動,用于低至 1V 的 VCC;低于該水平,負載保持安全,因為VGS太低,無法重新打開Q1。
該電路可與任何提供高電平有效、推挽復位輸出的微處理器復位器件一起實現。作為提供其他閾值電平和特性組合的替代方案,可以考慮MAX812、MAX824、MAX6327和MAX6332。
審核編輯:郭婷
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