許多光子量子信息處理系統的規模受到整個集成光子電路中量子光通量的限制。光源亮度和波導損耗是片上光子通量受限的根本因素。盡管在超低損耗芯片級光子電路和高亮度單光子源方面分別取得了實質性進展，但這些技術的集成仍然難以實現。

近日，美國國家標準與技術研究院（National Institute of Standards and Technology，NIST）的研究人員展示了量子發射器單光子源與晶圓級超低損耗氮化硅光子電路的集成，并證明了將量子發射器單光子源集成到光子集成電路上，波導損耗約為?1dB/m。研究人員還觀察到了強驅動機制下的共振熒光，顯示出對量子發射器進行相干控制的前景。這些結果表明向大規模芯片集成光子量子信息系統邁進了一步，在這種系統中，生成的單光子的存儲、時分解復用或緩沖是至關重要的。

在這項工作中，超低損耗波導（ULLW）由高縱橫比的Si?N?組成，厚度為40nm，寬度為2μm，埋于1μm SiO?上覆層之下。片上單光子源包括一個直線型GaAs納米波導，其中嵌入了InAs自組裝量子點（QD），隨后是一個絕熱模式轉換器，這種幾何結構已被證明可以將量子點發射直接有效耦合到空氣包層Si3N4脊形波導中。與絕熱錐形波導相反，引入了為900nm以上的高反射率設計的一維光子晶體背反射器，?以允許單向發射到Si?N?波導中。為了使用模式轉換器確保GaAs和Si?N?層之間的倏逝耦合，將含有量子點的GaAs器件放置成與Si?N?波導的頂部直接接觸。時域有限差分（FDTD）模擬預測，制造的幾何結構的最大理論單光子耦合效率ηQD-ULLW?≈?0.31。

單光子源與超低損耗波導的集成

關于ULLW中相對較低的單光子耦合效率，主要影響因素包括次優的納米光子設計和量子點定位，以及GaAs器件內的偶極矩取向。雖然已經開發了各種技術來解決后一個問題，但光子設計具有兩個從基本上導致效率較低的因素。首先，波導幾何結構的選擇限制了量子點與波導的耦合。倏逝耦合微腔是實現更高整體耦合效率的另一種可行的窄帶替代方案，也是未來工作的主題。基于腔的方法的一個優點是，通過耦合到諧振模式實現的高Purcell輻射速率增強可以使量子發射器的壽命T1更接近輻射極限T2?=?2T1，相干時間T2完全不受納米制造的影響，從而提高了不可分辨性。另一方面，單個量子點在相對較寬的光譜范圍內表現出各種激子躍遷，這可用于觸發單光子發射之外的其他功能。重要的是，所有提出的提高源效率的方法僅涉及對GaAs器件層的修改，而電路的Si?N?超低損耗部分將不受影響。

通過超低損耗波導測量的單光子發射

在所設計的器件和實驗配置中，研究人員觀察到直接收集到ULLW中的共振熒光光譜（沒有偏振濾波或時間門控）。?通過單獨控制入射激光的偏振，使用諧振激光器激發，測得消光比?>?25。這得益于高縱橫比ULLW提供的高空間模式濾波。研究人員注意到，在金剛石中集成Ge空位量子發射器的AlN電路中，在沒有偏振濾波的情況下也觀察到了共振熒光，并且僅控制泵浦偏振就足以通過片上超導納米線單光子探測器（SNSPD）觀察到波導耦合共振熒光。

量子點的共振熒光和相干控制

通過納米光子設計和確定性的量子點定位，提高了量子點-波導耦合效率和單光子不可分辨性，并進一步最小化無源片上組件中的傳播和插入損耗，這將更接近完全芯片集成的系統，實現實用的玻色子（Boson）采樣和具有量子優勢的相關光子量子信息任務。研究人員演示的超低傳播損耗可能已經實現單量子發射器單光子源的時分解復用的片上延遲，以產生用于Boson采樣的空間復用光子。

總之，本項工作的研究結果表明，在超低損耗≤1dB/m的光子集成電路中，量子發射器作為單光子源具有很高的應用前景，這對于在芯片上創建大規模的光子量子信息系統至關重要。

審核編輯：郭婷