為了提高光刻技術的分辨率，多種提高分辦率的技術被開發出來，這也使得光學光刻的應用可以擴展到先進集成電路制造中。移相掩模可以通過降低系統常數提高光刻技術的分辦率，又被稱為相移掩模或相位移掩模口。將一個很小的孤立圖形從掩模版轉移到光刻膠上并不困難，但將許多緊密排列在一起的微小圖形從掩模版轉移到光刻膠上就很有挑戰性，因為光的衍射和干涉會導致相鄰部分的光強相互疊加，從而造成投影對比度不足，使圖形扭曲變形。為了解決這個問題，人們引入了移相掩模技術。移相掩模的原理是，硅片表面成像光強度是由掩模上各個透光孔產生的衍射波組合確定的.因此可以在掩模版上的開口部分（明亮區或透明區）以間隔的方式形成相位移圖形，通過沒有相位移涂敷開口部分的光線，會與通過有相位移涂敷開口部分的光線產生破壞性干涉；由于感光材料接收的光強正比于光波振幅的二次方，所以相反的相位移可以提高高密度排列區圖像對比度。

光刻圖形質量的主要判據是圖形成像的對比度，移相掩模方法可使對比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分類方法可分為多種類型，其基本原理均為相鄰透光圖形透過的光振幅相位相反而產生相消干涉，振幅零點和（或）頻譜分布壓窄，從而改善對比度、分辦率和成像質量。

移相掩模技術大體上可分為交替式移相掩模 ( Alternate Phase-Shift Mask, Alt-PSM)、衰減式移相掩模 ( Attenuate Phase - Shift Mask, Att -PSM)、邊緣增強型相移掩模、無鉻全透明移相掩模及復合移相掩模等類別，其中以 Alt-PSM 和無鉻全透明移相掩模兩種方式對分辦率改善最為顯著，為實現亞波長光刻創造了可能。但是，這兩種掩模的制備工藝過于復雜，因此工業界使用最多的是衰減式移相掩模，以及在此基礎上發展而來的不透光鉬硅掩模(Opaque MoSi on Glass, OMOG)。OMOG 技術具有較小的掩模誤差影響因子，可提升光刻品質和成品率。