隨著物聯網（IoT）和“工業4.0”的興起，利用壓電材料制作緊湊、節能的力度傳感器吸引了廣泛關注。壓電電子學已成為一項新的技術前沿，在土木工程結構健康監測以及人機交互界面等領域得到了應用。

壓電式力度傳感器，通常由應變誘導的“肖特基勢壘高度（SBH）調制”，或由在誘導壓電場中重新分配電荷載流子的“壓電門控效應”控制。然而，雖然基于SBH的器件已經得到了很好的探索，但基于壓電門控的器件仍然相對較少被了解。這限制了壓電門控晶體管的制造。

據麥姆斯咨詢報道，近期在Nano Energy期刊上發表的一項新研究中，臺灣國立成功大學（National Cheng Kung University， NCKU）的研究人員首次報道了一種“雙模”壓電門控薄膜晶體管（PGTFT），并提供了解釋其工作機制的分析模型。這種PGTFT在兩種模式（即耗盡和積累）之間表現出了前所未有的工作性能，實現了創紀錄的應變靈敏度因數（電流相對變化與機械應變的比率）2780，展現了極高的靈敏度。

“僅依賴壓電門控效應的PGTFT，對于開發先進壓電器件至關重要。但是，迄今為止報道的大多數PGTFT通過壓電場誘發的SBH調制顯示出不明顯的壓電門控效應，并且只能檢測一維應變。”該研究的通訊作者劉全璞教授表示。

兩端用電極固定在柔性基板上的壓電器件的工作機理

在他們的這項研究中，由于氧化鋅（ZnO）的多功能壓電和半導體特性，研究人員利用氧化鋅來制造這種薄膜晶體管。通過改變制備過程中使用的氣體，可以控制ZnO薄膜中的載流子濃度。然后對薄膜進行充分表征，并用于制備兩種不同的PGTFT配置。

該研究團隊通過對PGTFT施加應變來測試它們的電流-電壓特性，并對結果進行分析和數值模擬。此外，他們還探索了改變載流子濃度對PGTFT工作模式的影響，以衡量壓電門控效應的影響。

研究小組發現，應變增加會降低頂部PGTFT電極的電流，但會增加底部電極的電流。這是由于電子在力的作用下從頂部運動到底部，在頂部耗盡，在底部形成電子積累。這反過來影響了輸出電流，并揭示了壓電門控效應和壓阻效應的共存，其中壓電門控效應占據主導。

此外，該團隊通過實驗和分析表明，應變靈敏度因數對載流子濃度高度敏感，表現為在他們的設計中創紀錄的提高了44%。

劉教授說：“我們提出的分析模型完美地解釋了PGTFT的工作原理，實驗和模擬結果一致。這些發現將為多維應變傳感PGTFT開發和應用鋪平道路。”

這一研究成果有望構建緊湊、經濟高效且能耗更低的新型人機交互界面。