iPhone14系列拆解 用上長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND閃存芯片
9月8日，蘋(píng)果舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，并正式發(fā)布了iPhone14系列，起價(jià)為5999元。隨著蘋(píng)果iPhone 14的推出，一些客戶(hù)獲得了首批產(chǎn)品，一些部落客發(fā)布了iPhone 14 Pro Max的拆卸視頻，確認(rèn)使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)提供的NAND閃存。
在此之前，韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，中國(guó)制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已進(jìn)入蘋(píng)果的供應(yīng)鏈，并將為iPhone 14系列提供NAND閃存。蘋(píng)果隨后承認(rèn)，它正在考慮從長(zhǎng)江存儲(chǔ)購(gòu)買(mǎi)NAND芯片，但僅限于在中國(guó)銷(xiāo)售的部分iPhone。
事實(shí)上，長(zhǎng)江內(nèi)存芯片已經(jīng)安裝在之前在中國(guó)銷(xiāo)售的iPhone SE 3上，蘋(píng)果官員在其外部解釋中還表示，長(zhǎng)江內(nèi)存晶片將用于中國(guó)市場(chǎng)的iPhone型號(hào)。近年來(lái)，iPhone的主要組件越來(lái)越受到國(guó)內(nèi)制造商的歡迎，包括但不限于屏幕、電池、攝像頭模塊等。
綜合IT之家和快科技整合
審核編輯：郭婷
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1690瀏覽量
136364 -
長(zhǎng)江存儲(chǔ)
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
324瀏覽量
37947 -
iPhone14
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
267瀏覽量
1945
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
問(wèn)題，再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心！
SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣，都是嵌入式系統(tǒng)中常見(jiàn)的用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所使用的存儲(chǔ)
發(fā)表于 01-15 18:15
EMMC和NAND閃存的區(qū)別
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和NAND
【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)
單元是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的最小單位，目前閃存已經(jīng)由數(shù)千億個(gè)存儲(chǔ)單元組成，通過(guò)將電子移入和移出封閉在絕緣體中的電荷存儲(chǔ)膜來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
[]()
發(fā)表于 12-17 17:34
長(zhǎng)江存儲(chǔ)否認(rèn)“借殼上市”傳聞
近日，中國(guó)領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)針對(duì)市場(chǎng)上流傳的“借殼上市”傳聞，正式發(fā)表了澄清聲明。 有媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃通過(guò)“借殼上市”的方
長(zhǎng)江存儲(chǔ)使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片
9月20日最新資訊指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)面對(duì)美國(guó)出口禁令及被列入實(shí)體清單的雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力，成功引入國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了供應(yīng)鏈的自立自強(qiáng)。
NAND閃存的發(fā)展歷程
NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿(mǎn)創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深
NAND閃存和NOR閃存有什么區(qū)別
NAND閃存和NOR閃存是兩種常見(jiàn)的閃存存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方
NAND閃存是什么意思
NAND閃存，又稱(chēng)之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。
蘋(píng)果將在iPhone中運(yùn)用QLC NAND閃存技術(shù)
據(jù)集邦咨詢(xún)于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示，據(jù)悉，蘋(píng)果正積極考慮在其未來(lái)的iPhone產(chǎn)品線(xiàn)中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際投入使用，預(yù)計(jì)最早可在2026年看到成果，屆時(shí)，
Flash閃存簡(jiǎn)介及“SD NAND Flash”產(chǎn)品測(cè)試#存儲(chǔ)芯片 #sd卡? #NAND #TF卡
存儲(chǔ)芯片
深圳市雷龍發(fā)展有限公司
發(fā)布于 :2024年06月26日 18:11:03
西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元
在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代，存儲(chǔ)技術(shù)的每一次革新都牽動(dòng)著整個(gè)科技行業(yè)的神經(jīng)。近日，西部數(shù)據(jù)在投資者活動(dòng)上揭開(kāi)了一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這
長(zhǎng)江存儲(chǔ)QLC閃存壽命實(shí)現(xiàn)重大突破
根據(jù)官方介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達(dá)到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同時(shí)讀取、寫(xiě)入速度都有著接近100％的提升。
發(fā)表于 04-03 15:04
?769次閱讀
一文解析NAND的閃存接口ONFI
ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及
發(fā)表于 04-03 12:26
?7008次閱讀
長(zhǎng)江存儲(chǔ)：QLC閃存已完成4000次P / E擦寫(xiě)，采用第三代Xtacking技術(shù)
值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席技術(shù)官（CTO）霍宗亮指出，NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇，并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合增長(zhǎng)率以及20%的累計(jì)設(shè)備平均容
NAND存儲(chǔ)種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可
發(fā)表于 03-22 10:54
?951次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論