濕法刻蝕工藝操作規程

1、工藝目的

通過化學反應腐蝕掉硅片背面及四周的PN結以達到正面與背面絕緣的目的同時去除正面的磷硅玻璃層。

2、設備及工具

RenaInoxside濕法刻蝕機、電子天平、GPSolar電阻測試儀、PVC手套、口罩、防護服、防護眼罩、防護套袖、橡膠手套、防酸堿膠鞋等。

3、適用范圍

本工藝適用于RenaInoxide濕法刻蝕機

4、職責

本工藝操作規程由工藝工程師負責調試、修改、解釋。

5、材料

合格的多晶硅片（擴散后）、H2SO4（98%電子級）、HF（49%電子級）、KOH（45%,

電子級）、HNO3（68%電子級）、DI水（2.0~2.5bar）、壓縮空氣（6bar除油除水除粉塵）、冷卻水（0.5bar進水溫度15~20℃出水溫度30~40℃）、CityWater（1.5~2.5bar）等。

6、工藝描述

6.1、工藝原理

RenaInoxide刻蝕工藝主要包括三部分

硫酸、硝酸、氫氟酸→氫氧化鉀→氫氟酸

本工藝過程中硝酸將硅片背面和邊緣氧化形成二氧化硅氫氟酸與二氧化硅反應

生成絡合物六氟硅酸從而達到刻蝕的目的。

刻蝕之后經過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅并將從刻蝕槽中攜帶的未沖洗干凈的酸除去。

最后利用HF酸將硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水沖洗硅片最后用壓縮空氣將硅片表面吹干。

反應方程式如下：

6.2、工藝流程

上料→HF,HNO3,H2SO4混合酸液腐蝕→風刀1→DI水沖洗→KOH腐蝕→風刀2→DI水沖洗→HF腐蝕→風刀3→DI水沖洗→壓縮空氣風干→下料

6.3、工藝條件

去離子水壓力為2.0~2.5bar、壓縮空氣壓力為6bar

環境溫度：25±3℃

相對濕度：40%~60%，無凝露

腐蝕槽溫度：8℃

KOH槽溫度：20℃

6.4、工藝控制

1、主要控制點

腐蝕深度控制在1.2±0.2um之間

刻蝕寬度D≤1mm每片測量四點測量點在每邊的中間點20點5道或32點（8道）的平均值1mm。絕緣電阻R絕≥1KΩ。

以上三個參數在正常生產時至少每隔1小時測量一次。當更換藥液和停產一段時間再生產時及參數不正常時要求增加測量次數。

2、腐蝕槽的腐蝕速率會隨著硅片清洗量的增加而改變新換的藥液反應速度可能較慢腐蝕量小若出現此種情況需要降低帶速隨著生產的進行要求每隔半小時測量一次腐蝕深度當腐蝕速度穩定后要求至少每隔一個小時測量一次腐蝕深度。調整帶速要求范圍：1.5-2.5m/Min，以保證腐蝕深度控制在規定范圍內。

3、如停產時間超過2個小時，經班組長許可，可手動補加HNO35L。如腐蝕量低于要求標準可再手動補加HF1L。

4、當工藝方案因隨車間的工藝調整而變化時，工藝人員應當及時通知并做好相應的記錄。

5、腐蝕槽循環流量要求設定在30~40/LMin之間。循環流量過小會導致腐蝕量不夠甚至硅片邊緣不能完全去除循環量過大會導致過腐蝕現象和硅片邊緣刻蝕寬度出現陰影嚴重引起表面不合格。

6、腐蝕槽溫度保證在8±1℃隨著溫度的升高腐蝕速率會加快但會使藥液密度減小，以致發生過腐蝕現象。所以在溫度未降到工藝控制范圍內時禁止生產。

7、堿洗槽溫度要求≤23℃。堿洗槽藥液冷卻依靠公司內部供應冷卻水。當發現堿洗槽溫度超過控制范圍時，及時通知相關負責人進行檢查調整。

8、堿洗槽循環流量要求設定在20~30/LMin，且首先保證下噴淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蝕充分。

9、壓縮空氣風干Dryer處風刀頻率及流量的控制太小，易造成硅片不能完全風干過大易產生碎片。以硅片上下表面能夠被完全風干為前提。建議風刀頻率為75%~80%壓縮空氣流量：（8道）≥20/m3h，（5道）≥12/m3h。（一般上噴嘴180~200下噴嘴150~180溫度一般為50℃，可通過手閥調節，流量↑，溫度↓，反之則反）

7、工藝準備

7.1、工裝工具準備

備齊用于工藝生產的PVC手套、口罩、防護眼罩、防護面罩、防護套袖、防護服、防酸堿手套、防酸堿膠鞋等。

7.2、設備準備

確認設備能正常運行,DI水、壓縮空氣等壓力及流量正常。確認設定的刻蝕工藝，堿洗工藝和HF腐蝕工藝名稱及參數。

7.3、工藝潔凈管理戴口罩，操作時戴潔凈PVC手套。

7.4、原材料準備

觀察外觀是否正常。常見的不合格片包括含缺角、裂紋、手印、孔洞的硅片等。

8、生產操作

8.1、在工藝準備完成后，選擇正確的工藝方案，使設備進入自動運行模式。

8.2、裝片操作

（1）手動裝片操作：操作人員在進行裝片時左手穩握一疊硅片（50 片以內），右手小心由上至下取片將其依次放在 RENA 設備的傳輸帶上，當硅片進入滾輪傳送時，保證前后兩片硅片之間至少有兩個輥輪的間距。

（2）自動裝載操作：硅片的自動裝載速度不得大于 RENA 的傳輸速度，以保證在 RENA的裝載區不會出現疊片現象。

8.3、卸載操作

（1）手動卸載操作：操作人員務必仔細看護好硅片的傳輸，保證每個硅片都按照正確的位置傳送到每一道后面的泡沫盒中。隨時監視卸載處，防止出現疊片現象，并及時取出碎片、含水片。并準確記錄每一道的碎片情況，如發現硅片有未風干的現象則將濕硅片挑揀出來并及時向班組長上報此情況，通過調整風刀解決此問題。如將碎片、含水片流入PECVD 工序，會污染 MANZ 傳送帶及機械手，以致造成電池表面不合格現象。

（2）自動卸載操作：操作人員務必仔細看護好硅片的傳輸，防止硅片有疊片，碎片，水片傳入 PECVD 工序。并準確記錄每一道的碎片情況，如發現硅片有未風干的現象則將濕硅片挑揀出來并及時向班組長上報此情況，通過調整風刀解決此問題。

8.4、注意事項

（1）生產中的操作必須帶手套，佩帶口罩，并經常更換手套，保證生產的清潔。

（2）要隨時注意硅片在設備內的傳輸狀況，以免發生大量卡片現象。如在腐蝕槽發生卡片，可用耐酸工具對其進行疏導。情況嚴重時要立即進行 Drain Bath 操作，將酸液排到 TANK中，穿好整套防護裝備，手動取出卡片。

（3）除設備維護，更換藥液，使用 DI-水噴槍時，嚴禁將水流入藥液槽。

（4）工藝過程中：定時檢查設備運行情況，傳輸速度、氣體流量等參數以及各槽液位情況。

（5）完工后詳細填寫完工轉交單，要求字跡工整、各處信息準確無誤，與硅片一同轉入 PECVD 工序。表面合格的硅片才可轉入下工序 。

9、測試及檢查

9.1、新換 HF ,HNO3,H2SO4 槽藥液后，需等到槽溫實際值降到設定值時方可進行投片生產。

9.2、批量投入生產前需先投入稱重片，以觀測實際腐蝕深度。由于新換藥液的腐蝕速度較慢，因此可以將傳輸速度降低。隨著生產的進行，每半小時需要稱重一次。當工藝穩定后，每個小時需進行一次腐蝕量的測量。具體測量方式如下

先利用電子天平稱量 5 片5 道/8 片8 道腐蝕前硅片的質量，將此質量按順序填寫在工序腐蝕深度記錄表中，同時記錄好班次、稱重時間、硅片數即稱重時設備從維護結束已生產的硅片數、工藝條件如腐蝕溫度、傳輸速度等參數，并按照順序裝片投入腐蝕槽運行工藝?？涛g后按照順序取出此稱重硅片，再稱量腐蝕后硅片的重量，填入表格，利用電子表格的公式直接求出腐蝕深度值。注前后兩次稱重前都要將電子天平置零。硅片的單面腐蝕深度（5 片/8 片的平均值）為 1.2±0.2 um ，允許有一片（5 道）或者 2片（8 道）的腐蝕深度不在該范圍內，如果有大于一片（5 道）或者 2 片（8 道）超出此范

圍應當復測一次，如果仍有一片（5 道）或者 2 片（8 道）超出范圍應當立即通知當班工藝人員進行調整。

9.3、刻蝕寬度要求每 1 小時測量 1 次，不正常情況增加測量次數，每片測量四點，測量點在每邊的中間點，要求 20 點5 道或 32 點8 道的平均值≤1mm。如果出現正面刻蝕過寬度過大或者刻蝕不均勻出現波浪線等現象說明是由于氣流不均勻造成，班組長可以調整氣流的均勻性。

9.4、絕緣電阻每 1 小時測量 1 次，不正常情況增加測量次數，每次測量 5 片（5道）或 8 片（8道）。 要求絕緣電阻平均值≥1KΩ。如果絕緣電阻較低，可以適當降低傳輸速度，或由當班工藝技術員進行適當的手動補液處理。

9.5、若預計設備 1 小時以上不投產，必須將 HF /HNO3/H2SO4槽(Etch Bath)里的藥液排至 Pump.tank 里，以保證藥液濃度的不變。

9.6、濕法刻蝕機的維護更換HF /HNO3/H2SO4槽藥液后，需要在“腐蝕深度記錄表”中認真填寫更換時間、更換班組。

10、安全操作

10.1、員工上崗前必須經過專業培訓，并進行安全教育要嚴格按照本工序設備安全操作規程和工藝操作規程進行作業。

10.2、熟悉生產中所用的化學藥品危險性及當不慎接觸到藥液時的處理方法。

10.3、硅片的裝卸應該在 10000 級的潔凈環境中進行，注意保持室內潔凈度，進出時隨手關門。

10.5、更換化學藥品時須由專人負責，兩人同時進行作業，穿好防護服，戴好防護眼罩、防酸堿套袖和手套，小心處理，換好藥液后及時填寫化學藥品更換記錄。

10.6、洗眼器附近不可堆放物品設備內部或周圍嚴禁接觸和堆放易燃易爆等危險品。

10.7、在機器運行過程中任何人不得將頭、手伸入工作腔體，以免發生危險。

10.8、工作時一定要有專人看守，工作交接時，下班組要向上班組詢問設備運行狀況。

10.9、為防止硅片沾污，Rena Inoxside 后的硅片在空氣中滯留的時間不得超過 60 分鐘，應盡快轉到 PECVD 工序。

審核編輯：湯梓紅