1、石英晶體諧振器成品上標(biāo)有一個(gè)標(biāo)稱頻率，當(dāng)電路工作在這個(gè)標(biāo)稱頻率時(shí)，頻率穩(wěn)定度最高。這個(gè)標(biāo)稱頻率通常是在成品出廠前，在石英晶體上并接一定的負(fù)載電容條件下測(cè)定的。在實(shí)際組成石英晶體振蕩器時(shí)必須在石英晶體兩端并接負(fù)載電容，且負(fù)載電容必須符合石英晶體技術(shù)條件中所規(guī)定的數(shù)值，這個(gè)電容大都采用微調(diào)電容，以便調(diào)整。規(guī)定的負(fù)載電容值載于廠家的產(chǎn)品說明書中，通常為30pF(高頻晶體)，或?yàn)?00pF (低頻晶體)，還有32.768KHz普通晶體對(duì)應(yīng)的12.5PF(最普通常見的一種負(fù)載電容)或標(biāo)示為田(這是指無需外接負(fù)載電容，通常用在串聯(lián)晶體振蕩器中)。

2、石英晶體諧振器的激勵(lì)電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。石英晶體諧振器在振蕩器中被激勵(lì)時(shí)，要通過激勵(lì)電流，要消耗一定的激勵(lì)功率。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，應(yīng)使輸入石英晶體的激勵(lì)功率不超過額定值。過高的激勵(lì)功率會(huì)使石英諧振器內(nèi)部溫度升高，使石英晶片的老化效應(yīng)和頻率漂移增大;極強(qiáng)的激勵(lì)功率會(huì)使石英晶片的機(jī)械振動(dòng)過于劇烈而損壞。

3、在并聯(lián)石英晶體振蕩器中，石英晶體只能工作在感性區(qū)，而不能工作在容性區(qū)。因?yàn)槿舭丫w當(dāng)作容性元件使用，一旦壓電效應(yīng)失效，它仍呈容性，此時(shí)振蕩器仍可能維持振蕩，但石英晶體已失去穩(wěn)頻作用。

4、由于石英諧振器在一定的溫度范圍內(nèi)才具有很高的頻率穩(wěn)定度，當(dāng)對(duì)頻率穩(wěn)定度要求很高時(shí)，可以考慮采用恒溫設(shè)備或溫度補(bǔ)償措施。

5、晶振在振蕩電路中起振時(shí)等效為感性，負(fù)載電容與晶振的等效電感形成諧振，決定振蕩器的振蕩頻率。負(fù)載電容值不同，振蕩器的振蕩頻率也不一樣，改變負(fù)載電容的大小，就可以改變振蕩頻率。因此，通過適度調(diào)整負(fù)載電容，一般可以將振蕩器的振蕩頻率精確地調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)值。在晶振資料主要參數(shù)中提供的負(fù)載電容是一個(gè)測(cè)試條件，也是一個(gè)不容忽視的使用條件，忽略這個(gè)負(fù)載電容參數(shù)，會(huì)使振蕩頻率偏離標(biāo)準(zhǔn)值，偏離過大時(shí)會(huì)使振蕩器起振困難造成停振。

6、晶振的負(fù)載電容有高、低兩類之別。低者一般僅為十幾至幾百PF，而高者則為無窮大，兩者相差懸殊，決不能混用，否則會(huì)使振蕩頻率偏離。兩類不同負(fù)載電容的晶振使用方式絕然不同。低負(fù)載電容晶振都串聯(lián)幾十pF容量的電容器;而高負(fù)載電容晶振不但不能串聯(lián)電容器，還須并聯(lián)數(shù)pF小容量電容器(外電路的分布晶振電容有時(shí)也能取代這個(gè)并聯(lián)小電容)。

審核編輯：湯梓紅