全球首款2nm芯片問世 可容納500億顆晶體管
美國企業IBM正式推出2nm芯片，采用GAA環繞柵極晶體管技術，使芯片體積更小，速度更快，性能大大提升。IBM 2nm芯片還首次使用了底部電介質隔離技術和內層空間干燥處理技術。
IBM 2nm芯片與7nm相比，性能提升45%，能耗下降75%，電池使用壽命提升至之前的四倍，最小單元甚至要比人類DNA單鏈還要小。在指甲蓋大小的芯片上可以容納500億顆晶體管，晶體管密度為333.33，是臺積電5nm的兩倍。
全球首款2nm芯片的問世，將對全球整個半導體行業和先進制程工藝有著至關重要的意義，IBM 2nm芯片還處在實驗室階段，距離真正投入量產還需花費數年時間。
綜合整理自鎂客網、e企學平臺
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51092瀏覽量
425985 -
IBM
+關注
關注
3文章
1763瀏覽量
74789 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9734瀏覽量
138675 -
2nm
+關注
關注
1文章
207瀏覽量
4530
發布評論請先 登錄
相關推薦
臺積電分享 2nm 工藝深入細節：功耗降低 35% 或性能提升15%!
下），同時其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優勢主要得益于臺積電的全柵極（Gate-All-Around, GAA）納米片晶體管、N2 NanoFlex設計技術協同優
IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術的新突破
Rapidus 的 2nm 制程生產流程之中。 IBM 宣稱，當制程推進到 2nm 階段時，晶體管的結構會從長久以來所采用的 FinFET（鰭式場效應晶體管）轉換為 GAAFET（全
聯發科攜手臺積電、新思科技邁向2nm芯片時代
近日，聯發科在AI相關領域的持續發力引起了業界的廣泛關注。據悉，聯發科正采用新思科技以AI驅動的電子設計自動化（EDA）流程，用于2nm制程上的先進芯片設計，這一舉措標志著聯發科正朝著2nm芯
世芯電子成功流片2nm測試芯片
近日，高性能ASIC設計服務領域的領先企業世芯電子（Alchip）宣布了一項重大技術突破——成功流片了一款2nm測試芯片。這一里程碑式的成就，使世芯電子成為首批成功采用革命性納米片（或全能門GAA）
Rapidus計劃2027年量產2nm芯片
Rapidus，一家致力于半導體制造的先鋒企業，正緊鑼密鼓地推進其2027年量產2nm芯片的計劃。然而，這一雄心勃勃的目標背后，是高達5萬億日元（約合336億美元）的資金需求。
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
臺積電2nm芯片助力 蘋果把大招留給了iPhone18
iPhone系列手機的名稱的話，算下來，要搭載臺積電2nm芯片的手機要等到2026年款的iPhone18機型。 當然，主要的原因還是因為
芯片晶體管的深度和寬度有關系嗎
一、引言 有關系。隨著集成電路技術的飛速發展，芯片晶體管作為電子設備的核心元件，其性能的優化和制造技術的提升成為了行業關注的焦點。在晶體管的眾多設計參數中，深度和寬度是兩個至關重要的因素。它們不僅
今日看點丨臺積電獲美66億美元補貼生產2nm芯片；消息稱豐田與華為共推智駕方案
。此外臺積電還將在美國本土生產世界上最先進的2nm芯片。 ? 美國商務部長吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）表示，臺積電將在亞利桑那州鳳凰城建造一座此前未宣布的第三座芯片工廠，該工廠將于2030年投入運營，臺積電增加至6
發表于 04-09 11:23
?593次閱讀
基于量子干涉技術的單分子晶體管問世
隨著晶體管變得越來越小，以便在更小的占地面積內容納更多的計算能力。一個由英國、加拿大和意大利研究人員組成的團隊開發了一種利用量子效應的單分子晶體管，利用量子干涉來控制電子流。
工商網監
評論