臺積電計劃2025年投產(chǎn)2nm芯片
臺積電在北美技術(shù)論壇上公布未來先進(jìn)制程路線圖，推出首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，預(yù)計將于2025年量產(chǎn)，而臺積電3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
臺積電3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)與5nm芯片相比，功耗降低34%，性能提升18%，邏輯晶體管密度提高1.6倍。2nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)與3nm芯片相比，性能速度提升10%-15%，功耗降低25%-30%，采用納米片晶體管架構(gòu)。
臺積電除了在2025年量產(chǎn)2nm芯片外，還將在2024引入ASML最新一代LHigh-NA EUV光刻機(jī)，2025年就會開始用來制造2nm工藝芯片。
綜合整理自鈦媒體App、Tech情報局
審核編輯：湯梓紅
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