■ 產品概述
LN8362 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。
LN8362 內部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關斷狀態,用以提高轉換效率。集成使能關斷功能,可以同時關斷 DRVH、DRVL 的輸出。
LN8362 內建死區自適應功能,可以適應更多規格MOSFET,同時簡化設計的繁瑣。
LN8362 采用 SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式,給方案設計帶來更多的選擇。
■ 應用領域
半橋/全橋轉換器
同步降壓、升降壓拓撲
電子煙、無線充 MOSFET 驅動器
■ 產品特點
電源 VCC 工作范圍:4V~15V
SW 最高電壓:60V
內置自舉二極管
固定死區時間
兼容 3.3V/5V/15V 輸入信號
UVLO 時 EN 端輸出低電平
內建死區自適應功能來防止 FET 交叉導通
EN 端可同時關斷上下兩個 MOSFET
VCC,BST 欠壓保護功能
綠色環保無鹵,滿足 ROHS 標準
■ 封裝
SOP8/ESOP8
DFN2*2-8
DFN3*3-8
審核編輯:湯梓紅
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