羅姆第4代SiC MOSFET在電動汽車電控系統中的應用及其優勢

羅姆作為碳化硅領域的深耕者，從2000年就開始了相關的研發工作，并在2009年收購碳化硅襯底供應商SiCrystal后，于2010年率先推出了商用碳化硅MOSFET，目前產品涵蓋SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模組，其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供貨。羅姆在2015年發布了第3代也是第一款商用溝槽結構的SiC MOSFET產品，支持18V驅動。2020年，羅姆又推出了第4代SiC MOSFET。目前，不僅可供應裸芯片，還可供應分立封裝的產品。分立封裝的產品已經完成了面向消費電子設備和工業設備應用的產品線開發，后續將逐步開發適用于車載應用的產品。

對比羅姆的第3代SiC MOSFET產品，第4代SiC MOSFET具有導通電阻更低的特點。根據測試結果顯示，在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時間的前提下，羅姆采用改進的雙溝槽結構，使得MOSFET的導通電阻降低了約40％，傳導損耗相應降低。此外，從RDS（on）與VGS的關系圖中，我們可以發現第4代SiC MOSFET在柵極電壓處于+15V和+18V之間時具有更平坦的梯度，這意味著第4代SiC MOSFET的驅動電壓范圍可拓展至15V-18V。

此外，羅姆還對第4代SiC MOSFET進行了電容比的優化，大大提高了柵極和漏極之間的電容（CGD）與柵極和源極之間的電容（CGS）之比，從而減少了寄生電容的影響。比如，可以減小在半橋中一個快速開關的SiC MOSFET施加在另一個SiC MOSFET上的高速電壓瞬變（dVDS/dt）對柵源電壓VGS的影響。這將降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生導通的可能性，以及可能損壞SiC MOSFET的負VGS尖峰出現的可能性。

集度攜手百度和高通打造國內首款采用第4代驍龍汽車數字座艙平臺的量產車型

百度、集度和高通技術公司宣布，集度首款量產車型將采用由百度和高通技術公司共同支持的智能數字座艙系統。該系統基于高通技術公司的第4代驍龍?汽車數字座艙平臺，搭載集度和百度攜手開發的下一代智艙系統及軟件解決方案。搭載全新數字座艙的集度量產車型預計于2023年上市，將成為國內首款采用第4代驍龍汽車數字座艙平臺的量產車型。同時，該產品的概念車預計將于明年4月在北京車展正式亮相。

當前，科技正推動汽車行業駛入前所未有的時代，電氣化和網聯化趨勢快速演進。隨著高性能計算和汽車智能化滲透率逐年上升，汽車將成為AloT時代的重要產品，先進數字座艙正逐步成為下一代汽車的標配和重要差異化特性。

第4代驍龍汽車數字座艙平臺旨在提供卓越車內用戶體驗以及安全性、舒適性和可靠性，為汽車行業數字座艙解決方案樹立全新標桿。該平臺支持符合ISO 26262標準的安全應用，以支持新一代智能網聯汽車，助力行業向區域體系架構概念轉型。同時，作為高性能計算、計算機視覺、AI和多傳感器處理的中樞，第4代驍龍汽車數字座艙平臺能夠通過靈活的軟件配置，滿足相應分區或域在計算、性能和功能性安全方面的需求。

綜合羅姆和高通官網整合

審核編輯：郭婷