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GaN控制芯片在充電器領域的應用

海明觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李誠 ? 2021-09-01 08:00 ? 次閱讀
GaN憑借其優越的性能,成為第三代半導體材料中的一員,在半導體領域中備受關注。本期文章主要講述目前國外主流GaN快充控制芯片,國產GaN快充控制芯片將在下一期文章中講述。
GaN不同于一般的MOS管,氮化鎵FET的橫向結構中沒有P-N結、體二極管,也沒有反向恢復電荷(Qrr)。通過消除反向恢復損耗,氮化鎵可以在硬交換拓撲中實現高效的高切換頻率操作。從源頭避免了損耗問題的出現,DS極之間雙向導通,GaN與Si相比,GaN的禁帶寬度是Si的三倍,臨界擊穿電場是Si的十倍,在工作頻率方面GaN的開關工作頻率有著顯著的提升,功率的提升有助于降低成本,減小體積,加上GaN在功率輸出方面較為突出,電路效率及開關頻率方面都有不錯的表現,GaN將會在快充領域成為中堅力量。
GaN在不斷占據市場份額,據中信證券分析預測,2020年全球GaN充電器市場規模為23億元,2025年將快速上升至638億元,5年復合年均增長率高達94%。
部分廠商GaN控制芯片對比
目前已有多家公司布局市場,并推出GaN的快充控制芯片,例如:安森美、德州儀器、英飛凌等。在中美貿易戰的大背景下,我國為實現國產化替代,國內廠商南芯、亞成微等,也相繼推出GaN主控芯片。
通過以上統計,從電路拓撲來看主要分為三大類:ACF、LLC、QR。從驅動方面分為兩類:可直接驅動和間接驅動。
ACF框架,ACF(全稱:Active Clamp Flyback,中文:有源鉗位反激)有源鉗位反激電路在電路中主要是實現軟開關的電路,通過ZVS(零壓啟動)和ZCS(零電流關斷)實現開通或關斷的功能減小開關損耗。
LLC框架,LLC是諧振電路,主要是諧振電感(L)、勵磁電感(L)、諧振電容(C)串聯組成LLC電路。同樣使用ZVS技術,該電路特點:工作頻率高、體積小、效率高、損耗小。
QR框架,準諧振反激式開關電源電路,本電路相較于前二者電路更為簡單、方便調試、性價比也比較高。
主流芯片介紹
目前市場上應用較多的兩款控制芯片:1、TI UCC28782 2、安森美 NCP1342
1、TI UCC28782
(UCC28782 電路拓撲 圖片來源:TI官網)
UCC28782是一顆應用于Type-C PD的高密度有源鉗位反激控制芯片,能夠在很大的工作區間內自動調節實現ZVS,功率能達93%以上。該芯片的頻率是可調的,最大頻率為1.5MHz。集成Boost自供電電路,支持頻率抖動以降低EMI電磁干擾。自我調節模式、低功耗模式和備用電源模式同時工作能夠提高輕載效率,降低紋波和噪音。該芯片還集成了X電容,在停止充電時釋放電壓。
對PWML和PWMH之間的死區時間進行了最佳調整,以幫助最小化ZVS所需的循環能量。因此,在軟開關拓撲的大規模生產中,可以顯著提高系統整體的效率,并獲得更一致的效率。RTZ、RDM、BUR、IPC和SETP腳的編程特性提供了豐富的靈活性,以優化在輸出功率和操作頻率級別范圍內的功率級效率。
UCC28782還集成了更強大的保護功能,以最大限度地提高系統的可靠性和安全性。這些功能包括主動X電容器放電、內部軟啟動、輸出過電壓(OVP)、輸入線路過電壓(IOVP)、輸出過功率(OPP)、系統過溫(OTP)、開關過電流(OCP)、輸出短路保護(SCP)和引腳故障。該控制器為OVP、OPP、OTP、OCP和SCP故障提供了自動恢復和閉鎖響應選項。
該芯片集成了很多功能,有效降低外部元器件數量及尺寸大小,提高了性價比和便攜性。使用該芯片的主要充電器有:realme 50W mini閃充氮化鎵充電器。
2、安森美 NCP1342
(NCP1342 電路拓撲 圖片來源:安森美官網)
NCP1342利用當前的QR框架實現了一個準諧振反激轉換器,其中開關的關閉由峰值電流決定。該集成電路是一個理想的候選方案,其中低零件數和成本效益是關鍵原因,特別是在交流—直流適配器,開放的框架電源等,NCP1342集成了現在電源設計中通常需要的所有必要組件,帶來了一些增強,如非功耗過功率保護(OPP)、斷電保護和變頻管理,以優化整個功率范圍內的效率??紤]到極低的備用功率需求,控制器具有最小的電流消耗,并包括一個自動X2電容器放電電路,消除了在X2輸入電容器上安裝功率消耗電阻的需要。

(NCP1342 Demo 圖片來源:安森美官網)
NCP1342采用的是高頻QR的框架,據公開信息顯示,對市面上131款GaN快充充電器進行拆解其中使用QR框架的產品占比高達七成以上,雖然LLC電路以高效,高功率的特點備受工程師青睞,但是占比僅有一成左右。NCP1342之所以能在GaN快充控制芯片領域中廣泛的應用與其框架息息相關。使用該芯片的主要充電器有:魅族65W氮化鎵快充、倍思65W氮化鎵快充。
這兩款芯片都沒有內置驅動器,需要在電路中搭載驅動芯片。在電路方面NCP1342比UCC28782更為簡潔,能有效地控制成本。在芯片封裝方面NCP1342有SOIC-8和SOIC-9兩種供工程師選擇,而UCC28782只有WQFN-24一種。在調試方面,因為封裝的問題,NCP1342引腳外置對工程師調試過程更為友好。
(NCP1342 SOIC-8 SOIC-9 圖片來源:安森美官網)
(UCC28782 WQFN-24 圖片來源:TI官網)
總結
GaN的出現推動了電源行業的發展,快充功率從30W到120W不等。從目前市面來看,主流的氮化鎵快充輸出功率為65W。國產企業研發的主控芯片相繼推出市場,氮化鎵快充的成本將會降低,也更會被消費者接受。

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