對于所有基于微控制器的嵌入式系統而言,存儲器都是其中的主要元件。例如,開發人員需要足夠的RAM以存儲所有易失性變量、創建緩沖區以及管理各種應用堆棧。RAM對于嵌入式系統相當重要,同樣,開發人員也需要一定空間用于存儲應用代碼、非易失性數據和配置信息。
然而,問題在于非易失性存儲器技術不斷擴展,選擇眾多,使選擇適合應用的存儲器頗具挑戰性。
本文對各種存儲器技術進行了介紹,并以ON Semiconductor、Adesto Technologies、Renesas、ISSI、Cypress Semiconductor、Advantech、GigaDevice Semiconductor和Silicon Motion等供應商推出的產品為例,幫助開發人員了解各種存儲器類型的特性。此外,本文還探討了各種類型存儲器的最佳應用,以便開發人員有效使用。
嵌入式系統中的EEPROM和FRAM
EEPROM往往是開發人員最先、最??紤]用于嵌入式系統的存儲器件。在嵌入式應用中,這類非易失性存儲器通常用于存儲系統配置參數。例如,連接至CAN總線網絡的設備可能會將CAN ID存儲于EEPROM。
EEPROM的以下特性使其成為嵌入式系統開發人員的理想之選:
小封裝尺寸
相對實惠的價格
100kbps至1000kbps的典型比特率范圍
通常支持I2C和SPI接口
目前,在Digi-Key網站上快速搜索EEPROM可以發現,共有9家EEPROM供應商提供的5,800多款EEPROM。例如,ON Semiconductor的CAT24C32WI-GT3是一款32Kb(4KB) EEPROM器件,采用8引腳SOIC封裝,連接I2C總線時速度可達1MHz(圖1)。
值得注意的是,某些微控制器中也包含EEPROM。例如,Renesas的R7FS128783A01CFM#AA1 32位微控制器,具有4KB板載EEPROM可供開發人員使用。
因此,配置需求不能超過4KB,否則,開發人員就需要使用外部存儲器件,或使用微控制器的閃存來模擬EEPROM以擴展容量。
盡管EEPROM深受青睞,卻也存在一些潛在缺陷:
擦/寫操作壽命通常為1,000,000次
寫周期約為500ns
寫入單個數據單元需要多條指令
數據保存期為10年以上(近期的產品可達100年以上)
易受輻射和高工作溫度影響
EEPROM適合的應用眾多,但對于汽車、醫療或航天系統等可靠性要求較高的應用,開發人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲器解決方案。
FRAM是“鐵電隨機存取存儲器”的縮寫,相較于EEPROM存儲器,頗具優勢:
速度更快(寫周期小于50ns)
寫操作壽命更長(高達1萬億次,EEPROM僅為100萬次)
功率較低(工作電壓只需1.5V)
輻射耐受性更強
FRAM的存儲容量與EEPROM相當。例如,Cypress Semiconductor的FRAM系列容量范圍從4Kb至4Mb。其中,FM25L16B-GTR容量為16Kb(圖2)。該器件采用8引腳SOIC封裝,工作頻率可達20MHz。
針對高端產品,Cypress Semiconductor推出CY15B104Q-LHXIT,容量為4Mb,支持的接口速度高達40MHz(圖3)。這款FRAM存儲器具有以下特性:
151年數據保存期
100萬億次讀/寫
直接替代串行閃存和EEPROM
正如您所猜想,FRAM的價格比EEPROM昂貴,因此選擇適合應用的存儲器時,務必仔細權衡器件的各種工作環境因素。
嵌入式系統中的閃存、eMMC和SD卡
嵌入式系統中的閃存具有多種不同用途。首先,外部閃存可用于擴展內部閃存,從而增加應用代碼的可用存儲器空間。常用解決方法是:使用GigaDevice Semiconductor的GD25Q80CTIGR等SPI閃存模塊(圖4)。如果微控制器支持SPI接口,則可通過該接口使用GD25Q80CTIGR將內部存儲器擴展8Mb。
其次,外部閃存可用于存儲配置信息或應用數據,而非使用EEPROM或FRAM。為了降低BOM成本或擴展內部存儲器以存儲應用數據,可以改用外部閃存芯片。微控制器外設和存儲器映射可以配置為加入該外部閃存,以便開發人員能夠更輕松地進行訪問,而無需專門對所需的驅動程序進行自定義調用,來連接EEPROM或FRAM。
Adesto Technologies的AT25SF161是一款適用于該用途的外部閃存器件范例(圖5)。該器件使用隊列式SPI (QSPI) 接口。QSPI是對常規SPI協議的擴展,提高了系統數據吞吐量。對于單一事務需要存儲或檢索大量數據的應用,開發人員可留意這類器件。
QSPI免除了CPU對QSPI外設的干預,并將接口由標準的4引腳(MOSI、MISO、CLK和CS)變更為6引腳(CLK、CS、IO0、IO1、IO2、IO3)。因此,其中4個引腳可用于輸入和輸出,而傳統SPI只用2個引腳。
最后,閃存可用于存儲應用數據和有效載荷信息。例如,GPS系統往往不會試圖將所有GPS地圖存儲于本地處理器,而是使用SD卡或eMMC器件等外部存儲器件。這些存儲介質可通過SPI或專用SDIO接口連接微控制器,從而有效連接外部存儲器件。
例如,ISSI推出的IS21ES04G-JCLI eMMC可直接連接微控制器的SDIO接口,為其擴展32Gb的閃存(圖6)。
就電氣接口而言,SD卡與eMMC器件別無二致。換言之,二者雖采用不同的封裝,但都具有通用引腳可用于連接微控制器。不過,這兩種存儲器類型卻截然不同。相較于SD卡,eMMC通常具有以下差異:
更堅固耐用,不易出現物理損壞
交互更快
價格更昂貴
須焊接至電路板,不可拆卸
如果用戶無需拆卸存儲器,那么使用eMMC可以提供更可靠的解決方案,但仍取決于最終應用。無論哪種情況下,開發人員都需要仔細選擇存儲器,因為每款存儲器的特性各不相同。
例如,車載子系統可能要求存儲器經過可靠性驗證,標準往往高于標準閃存器件。在這種情況下,開發人員需要選擇通過汽車級鑒定的存儲器,例如Silicon Motion的SM668GE4-AC 4GB eMMC模塊。
選購SD卡時,開發人員必須慎重考慮,因為與eMMC一樣,每款SD卡的特性各不相同。開發人員需仔細檢查存儲卡的速度等級和工作溫度。例如,多數SD卡的額定溫度范圍為0至70 ℃,適用于消費類電子產品。
此外,每款存儲卡都具有相關速度等級,用于描述預期最大接口速度。例如,在需要存儲圖像的應用中,使用Class 2存儲卡則速度較慢,遠不如專為高清視頻設計的Class 10存儲卡,例如Advantech推出的SQF-MSDM1-4G-21C SQFlash 4GB microSD卡。
存儲器選擇技巧與訣竅
為嵌入式產品選擇合適的存儲器類型和接口頗具挑戰性。選擇適合應用的存儲器時,開發人員可以參考以下“技巧與訣竅”:
明確存儲器工作條件,例如:
預期擦/寫次數
溫度、振動和輻射等環境條件和因素
數據加載要求
記錄應用中存儲器正常工作的最小比特率、所需比特率和最大比特率
選擇最接近記錄中所需比特率的存儲器接口類型
對于汽車或航天系統等惡劣環境條件,須選擇通過汽車級鑒定或輻射耐受性較強的存儲器
使用分線板將所選存儲器件連接至微控制器開發套件以測試其性能
上述技巧有助于確保開發人員找到適合嵌入式應用的存儲器。
總結
如今,可供開發人員選擇的非易失性存儲器件種類繁多,可用于存儲各種數據,從應用代碼到配置信息,不一而足。如上所述,開發人員需仔細評估應用需求,慎重選擇存儲器類型和接口,以期取得這些需求與成本之間的平衡。
原文標題:EEPROM、FRAM、eMMC、SD卡……嵌入式開發中,存儲器應該如何選?
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