集微網消息，廣東是電子信息產業大省，粵港澳大灣區是中國消費類電子產品和通信類產品最大的生產基地。

戰略性新興產業作為制造業高質量發展的重要載體、抓手和手段，是粵港澳大灣區建設中的重點任務之一。

伴隨粵芯12英寸晶圓項目落地投產，大灣區集成電路產業鏈上下游得以串聯，“大灣區一日半導體產業圈”雛形已現，成為廣州發展集成電路產業的關鍵著力點。

大灣區集成電路產業逐步成熟，第三代半導體成亮點

作為電子信息大省，廣東發動發展集成電路產業有其先天優勢。

據此前官方數據，廣東半導體與集成電路、高端裝備制造、智能機器人、區塊鏈與量子信息、前沿新材料、新能源、激光與增材制造、數字創意、安全應急與環保、精密儀器設備等十大戰略性新興產業集群2019年營業收入合計達1.5萬億元，集聚效應初步顯現。

廣東發展集成電路，聚焦哪些細分領域？在《廣東省人民政府關于培育發展戰略性支柱產業集群和戰略性新興產業集群的意見》中，對于廣東發展集成電路產業集群有更深一步的闡釋。

“積極發展第三代半導體芯片，加快推進EDA軟件國產化，布局建設較大規模特色工藝制程生產線和先進工藝制程生產線，積極發展先進封裝測試。以廣州、深圳、珠海等為核心形成兩千億級芯片設計產業集群，做強廣州、深圳特色工藝制造，加快深圳、珠海、東莞等第三代半導體發展。建成具有國際影響力的半導體與集成電路產業聚集區。”

廣州、深圳、珠海以及東莞，正是大灣區內幾座重點城市。

粵港澳大灣區由香港、澳門兩個特別行政區和廣東省廣州、深圳、珠海、佛山、惠州、東莞、中山、江門、肇慶九個珠三角城市組成，總面積5.6萬平方公里。粵港澳大灣區建設是中國政府實施的重大區域發展戰略。

“十四五”藍圖上，粵港澳大灣區未來5年將與北京、上海一道，形成三個國際科技創新中心，從南到北串成一線，成為輻射帶動全國科技發展和自立自強的骨干支撐。

此前《廣東省人民政府關于培育發展戰略性支柱產業集群和戰略性新興產業集群的意見》中也指明了未來廣東新興產業發展思路——緊緊抓住建設粵港澳大灣區和支持深圳建設中國特色社會主義先行示范區重大機遇，促進產業由集聚發展向集群發展全面提升。

而在2020年2月發布的《廣東省加快半導體及集成電路產業發展的若干意見》中也指出，要抓住建設粵港澳大灣區國際科技創新中心的有利機遇，積極發展一批半導體及集成電路產業重大項目。

廣東的第三代半導體產業，也早有提及。

《廣東省加快半導體及集成電路產業發展的若干意見》中提出，廣東將大力發展第三代半導體芯片，前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片等。在材料及關鍵電子元器件方面，將大力發展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等第三代半導體材料。

2020年9月，廣東省政府發布了20個戰略性產業集群的行動計劃，廣東將設置首期規模達到200億元的半導體及集成電路產業的投資基金，每年并投入不低于10億元，支持半導體與集成電路領域技術創新，就基于氮化鎵等前沿新材料的第三代半導體和先進封裝技術等方向開展關鍵核心技術攻關，在未來五年打造灣區芯片半導體產業鏈。

從產業鏈角度來看，大灣區高度集中了華為、中興、OPPO、vivo、比亞迪、南車、大疆等一批在全球有重要影響力的終端廠商，為東莞的第三代半導體發展提供了豐富的下游應用場景。

大灣區如何聚焦第三代半導體產業？被官方政策重點提及的“深圳、珠海、東莞”三地，第三代半導體產業又如何謀篇布局？

深圳：坪山區第三代半導體產業集聚區

深圳是國內第三代半導體發展排頭兵之一。2019年深圳印發的《進一步推動集成電路產業發展行動計劃（2019－2023年）》中，就重點提及了第三代半導體。該政策中表明，要進行第三代半導體培育工程，加快培育第三代半導體。

為了加快第三代半導體發展步伐，深圳市已相繼成第三代半導體器件重點實驗室、深圳第三代半導體研究院、清華大學（深圳）研究院第三代半導體材料與器件研發中心。

深圳第三代半導體研究院于2018年3月底成立，并于當年10月正式落戶深圳龍華區，是深圳市的十大基礎研究機構之一，深圳市政府計劃五年內投入30億以上的資金支持。

南方科技大學在建校初期2011年左右就開始進行第三代半導體研究，在深圳市的統一規劃部署下，建立了“第三代半導體重點實驗室”，也成立了廣東省GaN器件工程技術中心，并有總面積1200平米的專用實驗超凈間，以及皮米尺度上的基礎和應用研究中心，可用以支持第三代半導體器件的先導研發。此外，南科大開創的《第三代半導體材料與器件》等相關課程，面向本科生與研究生開課。

2020年1月，廣東省第三代半導體技術創新中心在深圳龍華區簽約揭牌。廣東省第三代半導體技術創新中心是以深圳第三代半導體研究院為依托，經廣東省科學技術廳批復成立的省級技術創新中心。

從地理區位來看，坪山區為深圳第三代半導體產業的優先發展區域。深圳市已經在坪山設立第三代半導體(集成電路)未來產業集聚區，集聚區由位于坪山高新區西部的核心區和東北部的拓展區組成，總規劃用地面積5.09平方公里。現已集聚中芯國際、基本半導體等多家集成電路和第三代半導體領域的核心企業。

在2018年，坪山專項發布了《坪山區關于促進集成電路第三代半導體產業發展若干措施》，從資金支持、信貸融資、用地保障、用房支持、落戶獎勵等多維度給予企業扶持。

2020年6月，深圳坪山半導體產業園項目開工。該項目計劃實施“工改工”提容，將園區的企業集聚在第三代半導體上下游產業鏈上。

2021年1月18日，“青銅劍第三代半導體產業基地”奠基儀式在深圳坪山舉行，青銅劍第三代半導體產業基地是深圳市2020年重大項目，占地8073.79平方米，總建筑面積近5萬平方米，預計2022年底完工。青銅劍科技控股的基本半導體也是國內第三代半導體行業領軍企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。

東莞：首抓知識產權，松山湖第三代半導體積累深厚

被稱為“世界工廠”的東莞，是大灣區重要節點。

2015年東莞成立第三代半導體產業專利聯盟，并且推出“第三代半導體專利導航與創新服務平臺 ”，這是國內首個專門針對第三代半導體產業而設立的專利服務平臺。

在科研力量上，東莞則擁有北京大學東莞光電研究院。

2012年，北京大學與東莞市政府共同組建北京大學東莞光電研究院。2013年，北京大學東莞光電研究院在松山湖正式奠基。

按照規劃，北大東莞光電研究院主要以第三代半導體材料與器件技術的研發為核心，建設科技創新、科技成果轉化、高科技產業孵化和人才培養等4大基地和半導體照明技術、激光器與顯示技術、電力電子功率器件技術、太陽能光伏技術、光電精密儀器設備和公共檢測服務6大研發平臺。

中鎵半導體、中圖半導體皆是光電研究院孵化的企業。2019年，中鎵、中圖與北京大學團隊共同完成的“氮化物半導體大失配異質外延技術”榮獲國家技術發明獎二等獎。

中鎵半導體官網介紹，公司已建成國內首家專業的氮化鎵（GaN）襯底材料生產線，制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩定生產。

中圖半導體是一家面向藍寶石上氮化鎵（GaN on Sapphire）半導體技術的專業襯底材料供應商。起目前主要產品包括2至6英寸圖形化藍寶石襯底（PSS）、圖形化復合材料襯底（MMS），主要應用于照明、顯示、背光源、Mini/Micro LED、深紫外LED等領域。今年3月，中圖科創板IPO獲受理，募資10億元投建Mini/Micro LED襯底等項目。

作為東莞集成電路產業集聚區，松山湖在第三代半導體的布局遠不止于光電研究院。

早在2016年9月，中國第三代半導體南方基地在東莞松山湖啟動，這是國家繼北京順義基地之后在全國設立的第二個第三代半導體產業基地。

產業園以廣東東莞松山湖作為第三代半導體聯合技術核心區，整合周邊地區產業發展空間，圍繞光電產業、電力電子應用產業、微波射頻應用產業、激光產業等四大產業，以消費類電子、節能照明、移動通信、電動汽車、智能電網、軌道交通、智能制造和新能源等應用行業為主要發展產業方向。

2017年12月，松山湖材料實驗室啟動建設，2019年第三代半導體材料與器件團隊進駐松山湖材料實驗室。該團隊以研發具有優異殺菌效果的高功率AlGaN基深紫外UVC-LED為目標，涵蓋了上游材料外延與發光區量子結構設計/制備、中游芯片設計/制備、下游器件模組封裝等全產業鏈范圍，建立了一條具有小規模產業化能力的中試生產線。

為實現從產品到商品的轉型，第三代半導體材料與器件團隊和實驗室聯合成立 “中紫半導體科技（東莞）有限公司”。

2018年6月，廣東省首個第三代半導體制造業創新中心“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立。該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。

2019年11月，廣東省第三代半導體技術創新中心東莞基地在松山湖揭牌。

珠海：中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線

中國工程院院士、浙江大學微納電子學院院長吳漢明曾表示，珠海有相當好的產業基礎、土壤肥沃，在產業鏈里應聚焦智能制造和芯片設計領域，在大灣區打造繼長三角和京津冀之后的半導體產業的第三個極點。

珠海第三代半導體產業，聚焦于英諾賽科8英寸硅基氮化鎵生產線。

英諾賽科（珠海）科技有限公司是2015年12月由美國英諾賽科集團與珠海市高新創投等共同發起成立的半導體企業，一期項目坐落于珠海市高新區，共投資10.9億元。英諾賽科采用IDM模式，集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體，成功打造硅基氮化鎵全產業鏈平臺。

2017年11月9日，英諾賽科自主研發的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線在珠海正式通線投產。目前產線運轉穩定，產品持續出貨中。

英諾賽科“InnoGaN”氮化鎵功率器件產品出貨已達數百萬顆。而低壓氮化鎵產品已取代美國EPC 公司產品，成為中國領先的激光雷達企業禾賽科技的供應商。

2021年1月21日在珠海舉行的簽約儀式上，英諾賽科科技有限公司和ASML公司達成批量購買高產能i-line和KrF光刻機的協議，用于制造先進的硅基氮化鎵功率器件。

英諾賽科將在今年第二季度搬入首批光刻機，這是第三代半導體領域首次量產應用先進的ASML TWINSCAN(雙工件臺)光刻技術。

2020年《珠海市大力支持集成電路產業發展的意見》中也提出，支持8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線增資擴產，迅速形成規模生產能力，打破阻礙珠海集成電路產業發展的瓶頸。

廣州：南沙第三代半導體全產業鏈

除深圳、東莞、珠海以外，廣州第三代半導體產業也是大灣區上重要一環，其中，廣州南沙已形成第三代半導體全產業鏈。

南沙已形成千億級汽車產業、裝備制造產業、船舶及海洋工程裝備產業等戰略新興產業集群為支柱的現代工業體系，并在第三代半導體領域形成了多項關聯產業布局。

早在2018年，南沙汽車產業產值規模已突破千億元大關。廣汽豐田新能源整車項目、恒大新能源汽車產業園、廣汽蔚來 “三輛整車”將為南沙奠定數千億規模的整車制造基礎。核心零部件領域，南沙已引進日本電裝、日本卡耐電池、英國Protean電機、德國Hofer動力等一系列關鍵零部件項目落戶。

在產業加持下，南沙發展第三代半導體思路也尤為明確：重點瞄向新能源汽車、充電樁、光伏逆變、軌道交通、能源互聯網、消費電子等方向，全鏈條布局第三代半導體，同時深化主機廠商合作，以汽車半導體為切入點帶動第三代半導體發展和應用。

2018年9月，廣東芯聚能半導體有限公司簽訂投資協議落戶廣州南沙，2019年9月，在廣州南沙舉行奠基活動。項目總投資達25億元，第一階段將建設用于新能源汽車的IGBT和SiC功率器件與模塊生產基地，第二階段將面向新能源汽車和自動駕駛的汽車功率模塊、半導體器件和系統產品。

2020年7月8日，南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產項目在廣州南沙區動工。該項目總投資9億元，將開展碳化硅單晶材料研發、中試等工作，達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片。

2020年11月，廣州市南沙區第三代半導體創新中心正式揭牌成立。廣東芯聚能半導體有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、恒大新能源汽車（廣東）有限公司、山東大學新一代半導體材料研究院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟代表6家首批發起單位共同簽約。

2020年12月，《廣州南沙新區（自貿片區）促進新一代信息技術產業發展扶持辦法》發布，提出扶持第三代半導體、集成電路等領域。

目前南沙已形成以晶科、愛思威為代表，以聯晶智能、芯聚能為龍頭的從晶圓生產到芯片設計、封裝及應用的第三代半導體全產業鏈，正在積極促進第三代半導體與新能源汽車產業的融合創新。

近年來，南沙持續加強對第三代半導體的政策支持，出臺《廣州市南沙區新一代信息技術產業發展扶持辦法》，優先支持面向新能源汽車核心部件和人工智能的先進半導體產業技術研發和產業集群發展，力爭將南沙打造成國內重要的第三代半導體應用創新示范區和產業集聚區。

南沙正完善《南沙第三代半導體產業發展規劃》，未來，南沙還將構建“以新能源汽車應用為牽引，半導體照明為龍頭，電力電子為主導”的第三代半導體產業創新發展高地。

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