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亞成微推出3D封裝技術高集成度電源管理解決方案

電子工程師 ? 來源:亞成微電子 ? 作者:亞成微電子 ? 2021-03-29 09:47 ? 次閱讀

近年來,手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便,它可以大為減少便攜式電子設備的充電時間,提高人們工作和生活的效率。但隨著經(jīng)濟的發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快,更快充電速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求。為了適應這種需求,亞成微電子在近日推出了采用3D封裝技術的高集成度電源管理解決方案,這是一種全新的解決方案,該系列芯片集成PWM控制器、MOS、MOS驅(qū)動器以及高壓啟動管,最大輸出功率120W,具有高效率、高導熱率、高通流、高雪崩耐量等特點。可有效幫助快充電源廠商實現(xiàn)更小體積、更大功率快充產(chǎn)品的量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。

4合1

高集成電源芯片RM6620DS

功能特點

■支持CCM/QR混合模式

■內(nèi)置700V高壓啟動

■集成X-CAP放電功能

■內(nèi)置650V 超結MOSFET

■專有的分段驅(qū)動技術,搭配超結MOSFET改善EMI設計

■支持最大130KHz工作頻率

■內(nèi)置特有抖頻技術改善EMI

■Burst Mode去噪音

■低啟動電流(2uA),低工作電流

■集成斜坡補償及高低壓功率補償

■集成AC輸入Brown out/in功能

■外置OVP保護

■具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護

■內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護

原理圖

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氮化鎵(GaN)方案

3合1

高集成電源芯片RM6801SQ

功能特點

■支持CCM/QR混合模式

■專有ZVS技術

■內(nèi)置700V高壓啟動

■專有驅(qū)動技術,易于搭配E-mode GaN功率器件改善EMI設計

■集成X-CAP放電功能

■支持最大130KHz工作頻率

■內(nèi)置特有抖頻技術改善EMI

■Burst Mode去噪音

■低啟動電流(2uA),低工作電流

■集成斜坡補償及ZVS高低壓補償

■集成AC輸入Brown out/in功能

■外置OVP保護

■具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護

■內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護

原理圖

6199112c-8eec-11eb-8b86-12bb97331649.png

產(chǎn)品系列

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原文標題:支持120W快充|亞成微推出3D封裝技術高集成電源芯片,助力大功率、高密度快充量產(chǎn)

文章出處:【微信公眾號:亞成微電子】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責任編輯:haq

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原文標題:支持120W快充|亞成微推出3D封裝技術高集成電源芯片,助力大功率、高密度快充量產(chǎn)

文章出處:【微信號:reactor-micro,微信公眾號:亞成微電子】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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