澎湃新聞（www.thepaper.cn）從清華大學獲悉，2月25日，清華大學工程物理系教授唐傳祥研究組與來自亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB）以及德國聯邦物理技術研究院（PTB）的合作團隊在《自然》（Nature）上發表了題為《穩態微聚束原理的實驗演示》（Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching）的研究論文，報告了一種新型粒子加速器光源“穩態微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB）的首個原理驗證實驗。

基于SSMB原理，能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段，有望為光子科學研究提供廣闊的新機遇。

在芯片制造的產業鏈中，光刻機是必不可少的精密設備，是集成電路芯片制造中最復雜和關鍵的工藝步驟。“我國EUV光刻機的自主研發還有很長的路要走，基于SSMB的EUV光源有望解決自主研發光刻機中最核心的‘卡脖子’難題。”唐傳祥說。

SSMB原理驗證實驗示意圖。圖源《自然》

SSMB原理驗證實驗結果。圖源《自然》

光刻機是芯片制造中必不可少的精密設備

SSMB概念由斯坦福大學教授、清華杰出訪問教授趙午與其博士生Daniel Ratner于2010年提出。趙午持續推動SSMB的研究與國際合作。2017年，唐傳祥與趙午發起該項實驗，唐傳祥研究組主導完成了實驗的理論分析和物理設計，并開發測試實驗的激光系統，與合作單位進行實驗，并完成了實驗數據分析與文章撰寫。唐傳祥教授和HZB的J?rg Feikes博士為論文通訊作者，清華工物系2015級博士生鄧秀杰為論文第一作者。

“SSMB光源的潛在應用之一是作為未來EUV光刻機的光源，這是國際社會高度關注清華大學SSMB研究的重要原因。”唐傳祥介紹。

在芯片制造的產業鏈中，光刻機是必不可少的精密設備，是集成電路芯片制造中最復雜和關鍵的工藝步驟。光刻機的曝光分辨率與波長直接相關，半個多世紀以來，光刻機光源的波長不斷縮小，芯片工業界公認的新一代主流光刻技術是采用波長為13.5納米光源的EUV（極紫外光源）光刻。EUV光刻機工作相當于用波長只有頭發直徑一萬分之一的極紫外光，在晶圓上“雕刻”電路，最后將讓指甲蓋大小的芯片包含上百億個晶體管，這種設備工藝展現了人類科技發展的頂級水平。荷蘭ASML公司是目前世界上唯一的EUV光刻機供應商，每臺EUV光刻機售價超過1億美元。

新成果有望解決自主研發光刻機的“卡脖子”難題

唐傳祥介紹，大功率的EUV光源是EUV光刻機的核心基礎。目前ASML公司采用的是高能脈沖激光轟擊液態錫靶，形成等離子體然后產生波長13.5納米的EUV光源，功率約250瓦。而隨著芯片工藝節點的不斷縮小，預計對EUV光源功率的要求將不斷提升，達到千瓦量級。

“簡而言之，光刻機需要的EUV光，要求是波長短，功率大。”唐傳祥說，“大功率EUV光源的突破對于EUV光刻進一步的應用和發展至關重要。基于SSMB的EUV光源有望實現大的平均功率，并具備向更短波長擴展的潛力，為大功率EUV光源的突破提供全新的解決思路。”

唐傳祥指出，EUV光刻機的自主研發還有很長的路要走，基于SSMB的EUV光源有望解決自主研發光刻機中最核心的“卡脖子”難題。這需要SSMB EUV光源的持續科技攻關，也需要上下游產業鏈的配合，才能獲得真正成功。

《自然》評閱人對該研究高度評價，認為 “展示了一種新的方法論”，“必將引起粒子加速器和同步輻射領域的興趣”。《自然》相關評論文章寫到“該實驗展示了如何結合現有兩類主要加速器光源——同步輻射光源及自由電子激光——的特性。SSMB光源未來有望應用于EUV光刻和角分辨光電子能譜學等領域。”

目前，清華正積極支持和推動SSMB EUV光源在國家層面的立項工作。清華SSMB研究組已向國家發改委提交“穩態微聚束極紫外光源研究裝置”的項目建議書，申報“十四五”國家重大科技基礎設施。

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