1. 硅片國產替代正當時，但規劃產能或過高過熱

半導體用硅片產品包括硅拋光片、SOI硅片、外延片、退火片、返拋片、研磨片、NTD硅等。目前主流為12英寸（占比65%）、8英寸（占比28%）。2016-2020年增長率在20%~30%。全球前五大廠商壟斷了92%的市場份額，寡頭壟斷的形成是不斷積累、不斷兼并的結果。據報道，環球晶已同意以37.5億歐元（45.3億美元）收購德國同業世創（Siltronic），合并后的企業將成為全球12英寸硅晶圓市場中第二大生產業者，而若以營收計，將成為全球最大硅晶圓業者。

半導體晶圓制造材料的產業態勢，供應高度壟斷，供方商高度集中，單一半導體材料只有少數幾家可以提供。同時，先進制程的晶圓公司越來越少，對新供應商而言，試線機會少。因為晶圓大廠對供應商的選擇慎之又慎，上線的機會少之又少。國際供應商的態度和服務不盡如人意，國內晶圓線有很強的國產替代需求。而目前國內供應商必須要解決的關鍵問題是產品質量的穩定性。

國內市場上8-12英寸硅片有效供給較少，于是大硅片項目遍地開花。近幾年國內硅片項目總投資1580億，國內12英寸大硅片生產線項目（含擬在建）達到561萬片/月，產能規劃4倍于國內晶圓線，規劃產能或可滿足全球供給。

2. 士蘭微12英寸產線正式投產

12月21日，士蘭微官微發布消息稱，其公司位于廈門的12英寸芯片生產線正式投產。

士蘭微電子12英寸芯片生產線項目總投資170億元，由廈門士蘭集科微電子有限公司負責實施運營。項目規劃建設兩條以功率半導體芯片、MEMS傳感器芯片為主要產品的12英寸特色工藝功率半導體芯片生產線。

士蘭微電子第一條12英寸特色工藝半導體芯片制造生產線項目總建筑面積約25萬平方米，總投資70億元，分二期。

第一條12英寸產線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計劃月產8萬片。本次投產的產線就是其中的一期項目，總投資50億元，規劃月產能4萬片；項目二期將繼續投資20億元，規劃新增月產能4萬片。

第二條12英寸生產線預計總投資100億元，將建設工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產線。

此前預計項目一期投產后，年銷售額將超過10億元。二期項目建成后，年生產總值可達40—50億元。

士蘭微表示，廈門12英寸芯片生產線的投產，進一步夯實了士蘭微電子IDM策略，進一步提升了企業的整體競爭力，有利于更好地通過芯片設計研發與工藝技術平臺研發，不斷豐富產品群，進一步推動企業邁上新的臺階。

3. 青島半導體高端封測項目主廠房順利封頂

12月22日，位于中日（青島）地方發展合作示范區的青島半導體高端封測項目主廠房順利封頂。

青島西海岸新區國際招商消息顯示，青島半導體高端封測項目總投資10億元，是2020年青島市、區兩級重點項目。

4月15日，通過網上“云簽約”，項目落地中日（青島）地方發展合作示范區，主要運用世界領先的高端封裝技術，封裝目前需求量快速增長的5G、人工智能等應用芯片。

據介紹，該項目從開工到主廠房封頂用時176天，為2021年生產設備安裝和投產打下良好基礎，實現了當年簽約、當年落地、當年開工、當年封頂。

4. 國內首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備成功試產

12月23日，由西安理工大學和西安奕斯偉設備技術有限公司共同研制的國內首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備在西安實現一次試產成功。

據科技日報指出，2018年起，西安理工大學劉丁教授團隊與西安奕斯偉建立了促進成果轉化、支撐產業發展的緊密協作關系。雙方發揮各自的技術創新和市場優勢，以開發新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設備及核心工藝為目標，針對7-20nm集成電路芯片要求，開展技術攻關。

雙方共同研制的面向產業化應用的硅單晶生長成套設備按照集成電路硅單晶材料的要求，成功生長出直徑300mm，長度2100mm的高品質硅單晶材料。實現了采用自主研發的國產技術裝備，拉制成功大尺寸、高品質集成電路級硅單晶材料的重大突破并實現產業化。

這一成果的取得，達到了基礎研究、應用研究相互支撐，產學研協同合作、解決國家重大需求的明確目標，充分體現重大科技成果轉化應用，為加快解決我國產業發展中的“卡脖子”問題提供有力支撐的突出作用。

5. 華芯投資換帥，孫曉東任總裁

據財新網報道，12月23日，華芯投資管理有限責任公司（下稱華芯投資）總裁路軍已于近期調回國家開發銀行總行，其職位將由孫曉東接任。這是華芯投資2014年成立以來的首次換帥。

天眼查信息顯示，華芯投資成立于2014年8月27日，法定代表人樊海斌。國家開發銀行全資子公司國開金融有限責任公司出資45%，是國家集成電路產業投資基金的唯一管理人，負責基金的投資運作。

路軍現任國開新能源創始人、法人代表，國開金融有限責任公司副總裁，曾任國家開發銀行上海市分行副行長、投資業務局產業整合創新處處長、江蘇省分行客戶處處長等職。

國家集成電路產業投資基金一期成立于2014年9月，規模超過人民幣1300億元，投資期為5年，回收期亦為5年。二期成立于2019年10月，規模超過2000億元，是支持國內集成電路產業發展的重要力量。

6. 證監會同意銀河微電科創板IPO注冊

12月23日，據證監會同意銀河微電的科創板首次公開發行股票注冊，銀河微電及其承銷商將分別與上海證券交易所協商確定發行日程，并陸續刊登招股文件。

2017年度、2018年度、2019年度，銀河微電實現營業收入分別為61,170.46萬元、58,538.27萬元、52,789.38萬元，歸屬于母公司股東的凈利潤（扣非后）分別為5,284.49萬元、5,315.85萬元、4,961.14萬元。

銀河微電2019年技術人員共202人，占公司總員工比18.69%，2019年研發費用為3,221.85萬元，占營收比為6.10%。

銀河微電表示，本次募集資金投向半導體分立器件產業提升項目及研發中心提升項目，依托公司現有的技術積累和生產能力，重點進行超薄型光電耦合器、隔離驅動光電耦合器、高密度封裝小信號器件、功率MOS器件、快恢復二極管芯片、ESD保護用TVS二極管芯片等新型分立器件產品及芯片的研發、生產。

關于未來的發展目標，銀河微電表示，公司將繼續實施技術創新，專注于半導體分立器件行業做精做強，進一步拓寬產品種類，提升產品性能，提高產品檔次；公司將繼續推進結構調整，堅持縱向一體化發展戰略，全面優化芯片和封測技術，增強生產柔性和效率，擴大經營規模；公司將繼續堅持市場導向，提升市場營銷能力，強化技術服務支撐，拓展國內外中高端市場領域，全面提升公司的盈利能力。

7. 中芯國際回應被列入“實體清單”

美國商務部網站當地時間12月18日發布消息宣稱，美國商務部工業與安全局（BIS）將中國芯片制造商中芯國際（SMIC）列入“實體清單”。

美國商務部稱，中芯國際被列入實體名單后，美國出口商必須申請許可證才能向該公司銷售產品。公告中還指出，生產10納米工藝制程或以下半導體所需獨特物品的出口申請。

12月20日，中芯國際公告，關注到美國商務部以保護美國國家安全和外交利益為由，將公司及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”；對用于10nm及以下技術節點（包括極紫外光技術）的產品或技術，美國商務部會采取“推定拒絕”的審批政策進行審核。

公告如下：

2020年12月18日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱“中芯國際”或“公司”）關注到美國商務部以保護美國國家安全和外交利益為由，將中芯國際及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”。

公司被列入“實體清單”后，根據美國相關法律法規的規定，針對適用于美國《出口管制條例》的產品或技術，供應商須獲得美國商務部的出口許可才能向公司供應；對用于10nm及以下技術節點（包括極紫外光技術）的產品或技術，美國商務部會采取“推定拒絕”（Presumption of Denial）的審批政策進行審核；同時公司為部分特殊客戶提供代工服務也可能受到一定限制。

自2020年9月5日公司從媒體獲悉可能被美國商務部列入貿易黑名單以來，一直努力與美國政府相關部門溝通，以期得到公平、公正的對待。但遺憾的是，公司仍然被列入了“實體清單”。對此，中芯國際表示堅決反對，并再次重申，公司自成立以來一貫恪守合規運營的原則，嚴格遵守生產經營活動所涉及相關國家和地區的法律法規，從未有任何涉及軍事應用的經營行為。

經公司初步評估，該事項對公司短期內運營及財務狀況無重大不利影響，對10nm及以下先進工藝的研發及產能建設有重大不利影響，公司將持續與美國政府相關部門進行溝通，并視情況采取一切可行措施，積極尋求解決方案，力爭將不利影響降到最低。

中芯國際將根據后續事件的發展情況，嚴格遵守相關規則，及時履行信息披露義務，敬請廣大投資者及時關注公司公告，注意投資風險。

8. 臺積電230億元美國建廠計劃獲批

據媒體報道，臺積電投資35億美元(約合人民幣230億元)赴美建廠的計劃得到了有關部門的正式批準。

此前在12月11日，臺積電董事會內部通過了這一項目。

臺積電計劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設一座300mm晶圓廠，2021年動工，2023年裝機試產，2024年上半年規模投產，直接部署目前最新的5nm工藝，規劃月產能2萬片晶圓。

當然到那個時候，5nm就不是最先進的了，臺積電計劃2022年量產下一代3nm，2023年量產增強版的3nm Plus，2024年則有望量產2nm。

2020年5月，臺積電宣布，在美國聯邦政府、亞利桑那州政府的共同理解、承諾支持之下，有意于美國建設并運營一座先進晶圓廠，將直接創造1600個高科技就業崗位。

2021-2029年期間，臺積電將為此工廠支出約120億美元。

9. 英特爾三家晶圓廠聚焦10納米制程

先前因為技術瓶頸，延后多年才推出10納米制程的處理器龍頭英特爾，目前為了市場需求，旗下3座晶圓廠正在擴大生產10納米制程芯片，以滿足需求。

據外媒《TechPowerUp》報導，為了應付龐大的客戶需求，英特爾過去幾年將14納米和10納米等制程的產能增加一倍。不過，目前英特爾現在正將重點放在10納米制程產能擴大。

現階段，英特爾旗下包括美國俄勒岡州、亞利桑那州，以及以色列等地的3座晶圓廠都在加速生產10納米制程的芯片。

英特爾高級副總裁兼制造與運營總經理KeyvanEsfarjani表示，過去3年英特爾的晶圓產能翻了一倍，這是一項重大投資。

接下來，英特爾將繼續投資晶圓廠的產能，以確保能跟上客戶日益成長的需求。10納米制程的進展也非常順利，目前全球3座晶圓廠正在加速生產10納米制程芯片。

報導指出，2020年期間，英特爾終于推出延宕已久的10納米制程，生產包括第11代英特爾Core-i處理器，以及無線基地臺的Atom P5900芯片。

此外，英特爾還在10納米制程發展出SuperFin技術，英特爾直指可達成英特爾史上最大單節點內芯片性能的增強功能，并提供與全節點提升相當的性能提升。

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