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什么因素導(dǎo)致功率半導(dǎo)體供給緊張?

璟琰乀 ? 來源:智通財(cái)經(jīng)網(wǎng) ? 作者:智通財(cái)經(jīng)網(wǎng) ? 2020-12-09 10:47 ? 次閱讀

12月5日,市場(chǎng)消息報(bào)道稱,從多家供應(yīng)鏈公司處獲悉,功率半導(dǎo)體行業(yè)目前平均漲價(jià)5%-10%,部分產(chǎn)品漲幅更高。由于晶圓缺貨的影響越來越明顯,不排除功率半導(dǎo)體價(jià)格繼續(xù)上漲的可能。

在一片漲價(jià)潮中,終于輪到了半導(dǎo)體行業(yè),且汽車芯片短缺的消息同時(shí)被市場(chǎng)報(bào)道。中汽協(xié)副秘書長(zhǎng)兼行業(yè)發(fā)展部部長(zhǎng)李紹華坦言,雖沒有媒體報(bào)道的那么嚴(yán)重,但汽車芯片供應(yīng)短缺問題真實(shí)存在,由于多重因素的疊加,導(dǎo)致了汽車芯片供需矛盾在這一段時(shí)間內(nèi)集中體現(xiàn)。

而功率半導(dǎo)體漲價(jià)、汽車芯片短缺的背后,核心原因是上游晶圓產(chǎn)能的緊張,導(dǎo)致產(chǎn)品供不應(yīng)求。但關(guān)鍵的問題在于,供需矛盾能否持續(xù),以帶動(dòng)產(chǎn)品形成趨勢(shì)性漲價(jià),為相關(guān)投資標(biāo)的打開成長(zhǎng)空間。

其實(shí),上一輪由于晶圓產(chǎn)能緊張導(dǎo)致的功率半導(dǎo)體漲價(jià)是在2017-2018年,在這兩年中,中國(guó)的功率半導(dǎo)體行業(yè)增速分別為12.5%、9.5%,均遠(yuǎn)高于2016年時(shí)的1.8%。也是在該輪周期中,受益標(biāo)的華虹半導(dǎo)體(01347)從8港元漲至30港元。

而此次功率半導(dǎo)體的漲價(jià),是否是新一輪周期的開啟?又蘊(yùn)含著怎樣的投資機(jī)會(huì)?

上一輪漲價(jià)周期回顧

漲價(jià)的本質(zhì)在于供需的失衡,即供給小于需求,回顧2017-2018年的漲價(jià)周期,主要由于智能手機(jī)創(chuàng)新升級(jí)、汽車電子工業(yè)自動(dòng)化滲透率的提升對(duì)8寸晶圓的需求大幅增長(zhǎng)。而原材料硅片以及8寸晶圓代工設(shè)備的受限,導(dǎo)致8寸晶圓產(chǎn)能緊張,供給低于市場(chǎng)需求。

價(jià)格的傳導(dǎo)則是從12寸晶圓開始,2017年上半年時(shí),12寸晶圓供不應(yīng)求,并開始逐季漲價(jià)。至2017年下半年時(shí),8寸晶圓跟漲,并從上游的晶圓傳導(dǎo)至代工環(huán)節(jié),自2017年Q3開始,國(guó)內(nèi)晶圓代工廠亦開始漲價(jià)。

由于上游晶圓廠擴(kuò)充不足難以緩解產(chǎn)能緊張局面,而下游需求持續(xù)增長(zhǎng),供給的失衡造就了功率半導(dǎo)體在2017-2018年的高景氣。據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2016年全球功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)增速為1.8%,至2017、2018年則分別為10.6%、5.9%。中國(guó)市場(chǎng)增速亦與全球共振,2016-2018年的增速分別為1.8%、12.5%、9.5%。

下游需求主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的差別

而在當(dāng)前的功率半導(dǎo)體漲價(jià)中,造成供需格局失衡的因素則與2017-2018年有所差異,這主要體現(xiàn)在兩方面,其一是下游需求主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)不同;其二是國(guó)產(chǎn)替代加速拉動(dòng)需求增長(zhǎng)。

與上一輪的手機(jī)升級(jí)、汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化不同,此輪帶動(dòng)功率半導(dǎo)體規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)的則是新能源車、新能源發(fā)電、5G場(chǎng)景、以及以快充和家電為代表的消費(fèi)電子

據(jù)工信部相關(guān)規(guī)劃,至2025年時(shí),中國(guó)新能源車銷量為700萬(wàn)輛,2020-2025年的復(fù)合增速超30%。由于新能源車采用電力動(dòng)力系統(tǒng),進(jìn)行電能處理的功率半導(dǎo)體器件成為關(guān)鍵器件。據(jù)華創(chuàng)證券研報(bào)顯示,新能源車的單車功率器件價(jià)值量增長(zhǎng)超10倍,其測(cè)算至2025年時(shí),新能源車和充電樁相關(guān)的MOSFETIGBT市場(chǎng)空間有望超300億元。

其次,光伏發(fā)電裝機(jī)量的持續(xù)增長(zhǎng)亦帶動(dòng)功率半導(dǎo)體需求的提升。智通財(cái)經(jīng)APP了解到,功率半導(dǎo)體是光伏逆變器中的核心器件,能起到提供轉(zhuǎn)換效率、降低系統(tǒng)散熱片尺寸、提高相同電路板上電流密度的作用。民生證券表示,根據(jù)Trend Force預(yù)測(cè),至2025年時(shí)光伏逆變器出貨量將達(dá)327GW,若功率半導(dǎo)體在光伏逆變器中的成本在9%左右,2025年時(shí)光伏逆變器功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)空間約為44億。

與此同時(shí),5G時(shí)代的四大場(chǎng)景將驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體需求提升。5G基站的更高功率,是對(duì)功率器件性能的提升,更密集的基站建設(shè),為功率半導(dǎo)體的需求打開了空間,據(jù)數(shù)據(jù)顯示,5G基站的數(shù)量將會(huì)是4G的2到3倍。毫米波、Massive MIMO等技術(shù)的應(yīng)用也將提升單個(gè)基站功率半導(dǎo)體價(jià)值。據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì),5G基站中使用的Massive MIMO中,功率半導(dǎo)體價(jià)值提升至100美元,是4G時(shí)4T4RMIMO的近4倍。且云服務(wù)數(shù)據(jù)中心的擴(kuò)張,霧計(jì)算的應(yīng)用都將為功率半導(dǎo)體帶來增量市場(chǎng)。

此外,以快充和家電為代表的消費(fèi)電子將帶來功率半導(dǎo)體需求的增長(zhǎng)。手機(jī)快充的興起使得GaN-MOSFET器件需求大幅增加。據(jù)民生證券測(cè)算,至2022年時(shí),全球快充市場(chǎng)空間達(dá)986億,快充的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)空間為118.32億元。

家電變頻化亦依賴于功率半導(dǎo)體器件,該技術(shù)是通過IGBT、MOSFET,晶閘管等功率半導(dǎo)體改變家電的供電頻率,從而調(diào)節(jié)負(fù)載,起到降低功耗,減少損耗的作用。據(jù)英飛凌測(cè)算,變頻家電內(nèi)的功率半導(dǎo)體價(jià)值量約9.5歐元,提升超12倍,而至2022年時(shí),可變頻家電銷量可達(dá)5.85億臺(tái),對(duì)應(yīng)變頻家電用功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)空間增長(zhǎng)432億元。

在四大產(chǎn)業(yè)發(fā)展的帶動(dòng)下,功率半導(dǎo)體需求有望持續(xù)高漲,而國(guó)產(chǎn)替代的滲透則進(jìn)一步刺激了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求。華西證券認(rèn)為,無論是從產(chǎn)業(yè)鏈成熟的角度還是產(chǎn)品突破的維度,功率半導(dǎo)體板塊是進(jìn)口替代速度相對(duì)較快的領(lǐng)域。而據(jù)東方證券數(shù)據(jù)顯示,在各類功率器件中,國(guó)產(chǎn)替代占比均低于50%,有較大成長(zhǎng)空間。

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三大因素導(dǎo)致供給緊張

而在需求高漲之時(shí),供給端的受限加劇了供需矛盾。華創(chuàng)證券表示,造成供給端受限的原因主要有以下三個(gè)方面,其一是海外疫情的持續(xù)影響了全球半導(dǎo)體供給;其二是產(chǎn)能的供需錯(cuò)配;其三是新產(chǎn)能擴(kuò)張受限。

東南亞為全球IDM制造和封測(cè)的重鎮(zhèn),在全球十大IDM和封測(cè)企業(yè)中,有7家在東南亞設(shè)立工廠。疫情在東南亞的爆發(fā),勢(shì)必由于生產(chǎn)密度和交通的受限而對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的正常生產(chǎn)造成了影響,從而讓全球半導(dǎo)體供給受限。

與此同時(shí),產(chǎn)能的錯(cuò)配亦是造成供給不足的原因之一。由于2017-2018年的漲價(jià)周期由手機(jī)創(chuàng)新等產(chǎn)業(yè)主導(dǎo),這導(dǎo)致多攝方案及指紋識(shí)別在消費(fèi)電子領(lǐng)域的快速滲透而消耗了大量的八寸產(chǎn)能。而進(jìn)入2020年后,由新能源車、光伏、5G建設(shè)、快充及家電變頻等新需求的崛起,產(chǎn)能結(jié)構(gòu)由于未能跟上新需求的變化而導(dǎo)致與主流需求產(chǎn)生錯(cuò)配。

此外,短期內(nèi)新產(chǎn)能擴(kuò)張有限是供需失衡的最主要矛盾。據(jù)華創(chuàng)證券數(shù)據(jù)顯示,2018年底時(shí),臺(tái)積電時(shí)隔15年后再度興建8寸晶圓產(chǎn)能,三星、SK海力士、世界先進(jìn)等均在同期公布了8寸晶圓擴(kuò)充計(jì)劃。SEMI預(yù)計(jì)2019-2022年全球?qū)?huì)新建16座8寸晶圓廠,其中量產(chǎn)的有14座,月產(chǎn)能增加70萬(wàn)片,但對(duì)應(yīng)2019-2022年的復(fù)合增速僅4.5%。由于晶圓擴(kuò)產(chǎn)周期相對(duì)較長(zhǎng),海外廠商建設(shè)周期或在1年以上,即使有玩家欲新建產(chǎn)能,也難以改變1年內(nèi)的供給格局。

受益標(biāo)的簡(jiǎn)要解析

通過上述的分析,功率半導(dǎo)體的供需格局已相對(duì)明朗,即下游以新能源車、新能源發(fā)電、5G場(chǎng)景、以及以快充和家電為代表的消費(fèi)電子的四大產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)需求增長(zhǎng),而國(guó)產(chǎn)替代的滲透將進(jìn)一步加快需求提升。供給端短期受海外疫情及供需錯(cuò)配影響,中期的產(chǎn)能增加則相對(duì)有限,這為需求大增下功率半導(dǎo)體開啟新一輪漲價(jià)奠定基礎(chǔ)。這也就意味著,相關(guān)受益標(biāo)的有望迎來投資機(jī)會(huì),而在港股市場(chǎng)中,華虹半導(dǎo)體、中車電氣時(shí)代(03898)、賽晶科技(00580)、中芯國(guó)際(00981)等均是受益標(biāo)的。

華虹半導(dǎo)體

華虹半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的晶圓代工廠,營(yíng)收規(guī)模僅次于中芯國(guó)際(00981),其專注于特色工藝平臺(tái)。據(jù)財(cái)報(bào)顯示,2020年上半年時(shí),功率分立器件占華虹半導(dǎo)體總收入的37.96%。公司在上海建有3座8英寸晶圓廠,總產(chǎn)能17.8萬(wàn)片/月,在今年第三季度時(shí),其8英寸晶圓廠的產(chǎn)能利用率高達(dá)102%。強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求,讓華虹半導(dǎo)體8英寸產(chǎn)能維持高位,且公司可通過調(diào)節(jié)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)提升毛利率水平。

與此同時(shí),12英寸晶圓廠的爬坡亦將為公司貢獻(xiàn)新業(yè)績(jī)?cè)隽俊HA虹半導(dǎo)體在無錫建有1座12英寸晶圓廠,目前處于產(chǎn)能爬坡中,2020年底至2021年初有望達(dá)到每月4萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能。在“8+12”制程的推動(dòng)下,華虹半導(dǎo)體有望實(shí)現(xiàn)業(yè)績(jī)的穩(wěn)步增長(zhǎng)。

中車時(shí)代電氣

中車時(shí)代電氣除傳統(tǒng)的城軌、鐵路業(yè)務(wù)外,還有包括IGBT在內(nèi)的新產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)。該公司的新產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)即以半導(dǎo)體產(chǎn)品聚焦軌道交通、高壓輸配電器和新能源三大領(lǐng)域。2020年上半年時(shí),中車時(shí)代電氣的新產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)持續(xù)穩(wěn)步推進(jìn)。其中,雙極器件業(yè)務(wù)大幅增長(zhǎng),1500A/4500V壓接式IGBT獲得批量訂單,風(fēng)電IGBT批量掛網(wǎng)應(yīng)用;乘用車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)既有項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn),產(chǎn)品市場(chǎng)占有率穩(wěn)步提升。且在9月26日時(shí),中車時(shí)代電氣副總經(jīng)理余康表示,中國(guó)首條8英寸車規(guī)級(jí)IGBT芯片生產(chǎn)線下線,產(chǎn)品將陸續(xù)推出。

由此可見,憑借著對(duì)軌道交通、高壓輸配電器和新能源領(lǐng)域的持續(xù)滲透,中車時(shí)代電氣的IGBT產(chǎn)品已得到市場(chǎng)認(rèn)可。且公司積極布局第三代半導(dǎo)體,6 英寸 SiC 器件生產(chǎn)線已成功通線,實(shí)現(xiàn)了碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈貫通。隨著下游需求的持續(xù)增長(zhǎng),其產(chǎn)品有望加速放量,IDM模式的優(yōu)勢(shì)也將逐漸凸顯。此外,公司已啟動(dòng)科創(chuàng)板上市輔導(dǎo),或?qū)ζ涔蓛r(jià)表現(xiàn)有積極作用。

賽晶科技

賽晶科技是電力電子部件制造及銷售商,其主要業(yè)務(wù)分為輸配電、電氣化交通、工業(yè)及其他三大板塊。2019年時(shí),賽晶科技啟動(dòng)了IGBT項(xiàng)目,截至目前,該公司已完成了研發(fā)團(tuán)隊(duì)的組建、首款產(chǎn)品的論證和設(shè)計(jì)、啟動(dòng)生產(chǎn)基地建設(shè)等工作。且首款賽晶i20芯片已進(jìn)入流片階段,應(yīng)用該芯片的首款模組亦進(jìn)入了樣品封裝測(cè)試階段。一旦產(chǎn)品量產(chǎn),將為該公司帶來新的業(yè)績(jī)?cè)隽俊?/p>

值得注意的是,當(dāng)媒體開始報(bào)道功率半導(dǎo)體漲價(jià)之時(shí),A股、港股中的部分概念股均出現(xiàn)了沖高回落并開始回調(diào)的股價(jià)走勢(shì),這是因?yàn)槁穹Y金對(duì)短期盈利的兌現(xiàn)所致。而從當(dāng)前功率半導(dǎo)體的供需情況來看,由于晶圓擴(kuò)產(chǎn)周期相對(duì)較長(zhǎng),一年內(nèi)供給格局改變程度較小,這也就意味著,新一輪漲價(jià)周期的起點(diǎn)或已到來。

責(zé)任編輯:haq

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    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙脈沖測(cè)試方案

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?576次閱讀

    功率半導(dǎo)體的封裝方式有哪些

    功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣,這些封裝方式不僅保護(hù)了功率半導(dǎo)體芯片,還提供了電氣和機(jī)械連接,確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)功率
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:17 ?1378次閱讀

    功率半導(dǎo)體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排

    相信大家都知道,全球氣候變暖問題日益嚴(yán)重,節(jié)碳減排已經(jīng)成為了全球的共同使命。而功率半導(dǎo)體技術(shù),作為電子設(shè)備的核心技術(shù)之一,在節(jié)碳減排方面發(fā)揮著重要作用。今天我們就來聊聊功率半導(dǎo)體技術(shù)如
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:03 ?507次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>技術(shù)如何助力節(jié)碳減排

    半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件的比較

    半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊因其相對(duì)于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢(shì)而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域,選擇半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對(duì)效率、可靠性
    的頭像 發(fā)表于 06-07 11:17 ?448次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>基礎(chǔ)<b class='flag-5'>功率</b>模塊與離散元件的比較

    半導(dǎo)體應(yīng)變片的主要特性有哪些?受哪些因素影響?

    半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來測(cè)量應(yīng)力和應(yīng)變的傳感器。它具有多種特性,這些特性受到多種因素的影響。
    的頭像 發(fā)表于 05-16 16:31 ?3307次閱讀
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