目前,EUV光刻機的部署安裝主要在臺積電、三星的晶圓代工廠。不過,內存廠商們也開始著手上馬了。
此前,SK海力士規劃的是為年底建成的M16工廠配備,但來自德國CB的消息稱,M14老廠也會引進。
EUV光刻機參與的將是SK海力士的第四代(1a nm)內存,在內存業內,目前的代際劃分是1x、1y、1z和1a。
EUV光刻機的參與可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產時間、降低成本,并提高性能。
當然,EUV光刻機實在是香餑餑。唯一的制造商ASML(荷蘭阿斯麥)產能極有限,盡管一臺要10億元左右,可仍舊供不應求。這一回新老工廠其上位,不知道SK海力士從ASML那里敲定了多少臺。
另外,本次報道稱,三星2021年將投產EUV工藝生產的內存,也就是早些時候發布的16Gb容量LPDDR5。
責任編輯:PSY
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
內存
+關注
關注
8文章
3052瀏覽量
74215 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
973瀏覽量
38638 -
EUV光刻機
+關注
關注
2文章
128瀏覽量
15170
發布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士加速16Hi HBM3E內存量產準備
近日,SK海力士正全力加速其全球首創的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創新產品的全面生產測試已經正式啟動,為明年初的
意法半導體第四代碳化硅功率技術問世
意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時,意法半導體還針對
意法半導體發布第四代SiC MOSFET技術
意法半導體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術,標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術,在能效、功率密度和穩健性方面均樹立了新的市場標桿,將為汽車和工業市場帶來革命性的改變。
SK啟方半導體推出第四代0.18微米BCD工藝
韓國知名8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體宣布,其自主研發的第四代0.18微米BCD工藝已正式面世,較上一代工藝性能提升約20%。這一創新成果不僅彰顯了SK啟方在半導體技術領域的深厚積累
富士康,布局第四代半導體
來源:鉅亨網 鴻海(富士康)研究院半導體所,攜手陽明交大電子所,雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破,提高了第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性
SK海力士加速NAND研發,400+層閃存量產在即
韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產準備工作,并預計于次年第二季度正式開啟大規模生
capsense第四代和第五代在感應模式上的具體區別是什么?
據我所知,第五代capsense相比第四代將電容(包括自電容+互電容技術)和電感觸摸技術集成到了一起,snr信噪比是上一代的十多倍,同時功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應模式
發表于 05-23 06:24
SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線
臺積電A16制程采用EUV光刻機,2026年下半年量產
據臺灣業內人士透露,臺積電并未為A16制程配備高數值孔徑(High-NA)EUV光刻機,而選擇利用現有的EUV光刻機進行生產。相較之下,英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-N
國民技術第四代可信計算芯片NS350投入量產
國民技術近日正式推出了其第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列,并已開始量產供貨。這款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯片,能夠滿足PC、服務器平臺和嵌入式系統等不同領域的需求。
國民技術第四代可信計算芯片NS350正式投入量產
2024年4月18日,國民技術第四代可信計算芯片NS350v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨。NS350v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0(TCM2.0)安全芯片
國民技術第四代可信計算芯片NS350正式投入量產!
2024年4月18日,國民技術第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨。NS350 v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0 (TCM 2.0)安全芯片,適用于PC、服務器平臺和嵌入式系統。
剛剛!SK海力士出局!
在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK
AI需求激增,三星與SK海力士計劃增產高價值DRAM
趨勢,半導體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導體晶圓投入量,以加速向更先進的10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡。
評論