半導體制造工藝中的應用特點
攀時擁有超過2000種適用于離子注入系統的部件產品，已成為全球最大的離子注入部件替代零件供應商。材料涉及鎢、鉬、石墨、陶瓷等，涵蓋了從最小的備件到整套離子發射源。
攀時從原材料品質控制開始，服務半導體OEM設備原廠，以及終端客戶，已經有超過三十年的合作經驗，甚至在某些產品方面，我們可以高于OEM標準生產部件。
半導體制造工藝中的應用特點
部件工作溫度高，伴有強腐蝕性氣體和強磁場。這對產品材質提出了極高的要求，所以在應用中多集中使用鉬、鎢、石墨、陶瓷等高物理化學穩定性材料。這些材料將確保電子在高達1?400 ℃的溫度條件下形成并準確沿著電子路徑進行運動。
攀時在離子注入部件領域的優勢
我們基于對原材料的理解，以OEM設備制造商的原始備件為起點，不停的對備件極限進行更深的探索，發現短板，提出新的設計，優化改進現有方案，找到更合理的升級方法，延長產品使用壽命，降低客戶PM頻率，延長設備開機時長，從而降低整體運營成本。
例如：在IIP工藝中，MRS葉片濾出電荷或質量不正確的離子。只有通過質量分辨槽的離子才能在通向晶片的路徑上繼續運動。MRS板因離子束碰撞而產生磨損，側面角度可減小磨損。但是IIP工藝還涉及化學反應，而且磨損越大，相應表面上的角度越尖銳。作為折衷方案，在OEM標準零件中采用92 °的角度。
MRS板（OEM） 攀時優化設計MRS板延長壽命
攀時在離子注入部件領域的努力
我們一直在追求更高的品質，不斷研發并推出新的產品，為客戶帶來更有價值的服務，同時，我們致力于：
降低清潔成本
減少維護工作量
縮短停工時間
簡化部件安裝和拆卸
延長使用壽命
攀時在離子注入部件領域的產品
我們可以提供超過100種以上離子注入系統備件，清單如下：
| AIBT | istar |
|
Applied Materials |
9000,9200,9200xR,9500,9500xR,Quantum,QuantumI,QuantumII,QuantumIII,QuantumX,QuantumX+,QuantumxR,xR,xR/Leap, xR120,xR200, xR80 |
|
Varian Semiconductor Equipment (now Applied Materials) |
VIISta Trident,PLAD,VIISta HCS, VIISta HCP+/I,VIISta80,E1000,VIISion200,VIISion200+,VIISion 80+, VIISta HC, 120-10, 120XP, 160XP,180XP,80XP, VIISta 3000, Genus,Kestrel,VIISta810 XE/XER, VIISta 900 XPT, VIISion, E220, E500, VIISta 810,VIISta 810 XE,VIISta 900,VIISta 900XP, 300D, 300XP, 350D |
| Axcelis | GSDHC(200/200E/200E2),HC3,ltra,Eterna,GSD 100,GSD 160A,GSD 200E,GSD 200E^2,GSD HC, GSD HC3,GSD III,GSDIII LE,GSD LED,NV GSD,NV 10-160, NV 10-180,NV 10-80, Optima HD,ULE, Ultra,GSD HE,GSD VHE,GSD HE, GSDHE3,GSDVHE,OptimaXE,Paradigm XE,NV 3206/3204, NV 6200,NV 8200,NV 8250,Optima MD |
| Nissin | NH80,PR80,Exceed3000,CLARIS,EXCEED2000A/2000AH,EXCEED2300AV,EXCEED3000AH,EXCEED9600A,NH20,NH45 |
| SEN | NV-GSD-160A,NV-GSD-80A,NV-GSDIII,NV-GSDIII-180,SD, NV-GSDIII-90E,NV-GSDIII-LE,NV-GSDIII-LE,V-GSD-HC,LEX,LEX3,SHX,NV-GSD-HE,NV-GSD-HE3,MC3MC3-II,NV-MC3 |
| Ulvac | IH-860,IDZ-7000,IDZ-8001,IDZ-9001,IM200,IW-630 |
責任編輯：lq
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原文標題：產品應用-離子注入部件
文章出處：【微信號：plamsee，微信公眾號：Plansee攀時高性能材料】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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