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第三代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)能和規(guī)模高速增長,產(chǎn)業(yè)發(fā)展總體趨勢向好

牽手一起夢 ? 來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 作者:佚名 ? 2020-11-06 17:20 ? 次閱讀

1、發(fā)展歷程分析:2016年為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)元年

第三代半導(dǎo)體指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體材料;

第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、等寬帶半導(dǎo)體原料為主的第三代半導(dǎo)體材料,可以被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、照明、新能源汽車、導(dǎo)彈、衛(wèi)星等各個領(lǐng)域,且具備眾多的優(yōu)良性能,可突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導(dǎo)體材料。

我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展緣自2013年科技部863計劃,計劃將之列為戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。2016年國務(wù)院國家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組將其列為重點(diǎn)發(fā)展方向,除此之外,福建等27個地區(qū)陸續(xù)推出近30條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策,2016年為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)元年。

2019年,國家級戰(zhàn)略《長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》明確要求長江三角洲區(qū)域加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2020年,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

第三代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)能和規(guī)模高速增長,產(chǎn)業(yè)發(fā)展總體趨勢向好

對于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展,國內(nèi)高度重視。2019年12月,國家級戰(zhàn)略《長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》明確要求加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),推動制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

2020年7月,《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》指出國家鼓勵的集成電路設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)和軟件企業(yè),自獲利年度起,第一年至第二年免征企業(yè)所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅。2020年,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃。

圖表2:2016-2020年國家部委關(guān)于第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)政策

2、產(chǎn)業(yè)鏈分析:各環(huán)節(jié)均有較多企業(yè)參與

第三代半導(dǎo)體材料主要以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為主。碳化硅(SiC)生產(chǎn)過程分為SiC單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟,對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組三大環(huán)節(jié)。

GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍(lán)寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計、器件制造、封測以及應(yīng)用。各個環(huán)節(jié)國內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻領(lǐng)域,SiC襯底生產(chǎn)商有天科合達(dá)、山東天岳等,GaN襯底有維微科技、科恒晶體、鎵鋁光電公司

外延片涉足企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、聚能晶源、英諾賽科等。蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所等公司則同時涉足多環(huán)節(jié),力圖形成全產(chǎn)業(yè)鏈公司。

3、市場規(guī)模:產(chǎn)能、規(guī)模高速增長

第三代半導(dǎo)體材料是5G時代的主要材料,與傳統(tǒng)的第一代、第二代半導(dǎo)體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大等獨(dú)特性能,使其在光電器件電力電子、射頻微波器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。

在國家政策的大力支持下,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線陸續(xù)開通,產(chǎn)能不斷增加。據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計,2019年,國內(nèi)主要企業(yè)Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸產(chǎn)能約為20萬片/年,Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸產(chǎn)能約為19萬片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸產(chǎn)能約為10萬片/年,SiC基GaN器件折算4英寸產(chǎn)能約為8萬片/年。

SiC方面,國內(nèi)主要企業(yè)導(dǎo)電型SiC襯底折合4英寸產(chǎn)能約為50萬片/年,半絕緣SiC襯底折合4英寸產(chǎn)能約為寸產(chǎn)能約為20萬片/年;SiC外延片折算6英寸產(chǎn)能約為20萬片/年。

2016-2019年我國SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)值持續(xù)提高。據(jù)CASA初步統(tǒng)計,2019年,我國SiC、GaN電力子和微波射頻產(chǎn)值(供給)超過60億元。2019年我國SiC、GaN電力子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)26億元,同比增長84%。

GaN微波射頻產(chǎn)值方面,2016年9月科技部立項國家重點(diǎn)研發(fā)計劃,旨在針對5G通信需求,建立開放的工藝代工線,實現(xiàn)GaN器件與電路在通信系統(tǒng)的應(yīng)用,推動我國第三代半導(dǎo)體在射頻功率領(lǐng)域的可持續(xù)發(fā)展。我國GaN微波射頻產(chǎn)值不斷增長,據(jù)CASA,2019年我國GaN微波射頻產(chǎn)值規(guī)模近38億元,同比增長74%。

4、應(yīng)用市場分析:主要應(yīng)用于消費(fèi)類電源和新能源汽車

從各應(yīng)用市場來看,中國SiC、GaN電力電子器件主要應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)類電源和工商業(yè)電源應(yīng)用。在消費(fèi)電子方面,快充電源作為新應(yīng)用帶來較大的市場。

新能源汽車方面,我國作為全球最大的新能源汽車市場,隨著下游特斯拉開始大量推進(jìn)SiC解決方案,國內(nèi)的廠商也快速跟進(jìn),以比亞迪為代表的整車廠商開始全方位布局,推動第三半導(dǎo)體器件在汽車領(lǐng)域的發(fā)展。

5、投資布局分析:投資熱度居高不下

2019年,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資熱度居高不下。據(jù)CASA,SiC投資14起,涉及金額220.8億元;GaN投資3起,涉及金額45億元。全年已披露的投資擴(kuò)產(chǎn)金額達(dá)到265.8億元(不含光電),較2018年同比增長60%。

具體看國內(nèi)部分重點(diǎn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資項目,2020年7月,長沙三安光電第三代半導(dǎo)體項目總投資160億元,主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計逾千億元。

2020年6月,深圳市同力實業(yè)有限公司坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園(多彩)項目預(yù)計投資50億元,園區(qū)將集聚第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈,形成集聚發(fā)展態(tài)勢。坪山集成電路及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚已經(jīng)漸成規(guī)模,集聚了中芯國際、比亞迪(中央研究院)、昂納科技、金泰克、基本半導(dǎo)體、拉普拉斯等重點(diǎn)企業(yè)。

區(qū)域方面,我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初步形成了京津冀魯、長三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點(diǎn)區(qū)域。據(jù)CASA,2015年下半年-2019年底期間,長三角區(qū)域第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具備集聚優(yōu)勢,投資金額較多,達(dá)到715億元,其中2019年投資總額超過107億元,占比達(dá)到43%,其次為中西部區(qū)域,占比達(dá)25%。

我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展雖然較晚,但是發(fā)展速度較快。當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策呈現(xiàn)利好趨勢、產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善、眾多企業(yè)積極參與,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線、產(chǎn)能不斷增加,市場規(guī)模持續(xù)增加,應(yīng)用市場不斷拓展,投資熱度持續(xù)高漲。整體而言,對于2020年的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,總體趨勢向好。

責(zé)任編輯:gt

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