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超過100MHz的高頻電源紋波超標是否會影響高速信號產(chǎn)生干擾

電子設計 ? 來源:一博科技 ? 作者:姜杰 ? 2021-03-21 11:54 ? 次閱讀

高速先生經(jīng)常被問到這樣的問題:信號速率早已達到了Gbps的量級,為何電源仿真報告里的PDN阻抗(如下圖示紅色曲線,橫坐標的單位是MHz)大部分還只看到100MHz?超過100MHz的高頻電源紋波超標腫么辦?不會對高速信號產(chǎn)生干擾嗎?

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先回答最后一個問題,高頻段的電源紋波超標當然會對高速信號產(chǎn)生干擾,不過,大多數(shù)時候只關注百兆赫茲內(nèi)PDN阻抗的做法也是沒問題的,是不是有點暈?

其實,仿真攻城獅只讓你看到100MHz也是為了你好,因為根據(jù)板級電容配置的阻抗特點,高頻段的PDN阻抗(如下圖藍色阻抗線,注意,橫坐標的單位是GHz)在你看不到的頻段里(高于100MHz)放飛了自我,遠遠超出了目標阻抗(如下圖綠色虛線0.0135ohm)的要求,怕你看到會上火。

107-02.png

如果你堅持要看更高的頻段,你會看到這樣的景象:板級電容的PDN阻抗隨著頻率增加而一路飄高,阻抗曲線在高頻段的抖動比你此刻的心電圖還厲害。我猜你會怒不可遏的揪住仿真攻城獅的領子咆哮:老子按芯片手冊加的電容,怎么會跑成這個鬼樣子?!

電容數(shù)量沒錯,容值沒問題,封裝大小也沒毛病,跟Layout攻城獅說了很多好話,他加的也很辛苦,大家都了解,可是板級電容的PDN阻抗隨頻率增加的變化趨勢就是這樣的,因為高頻段的電源去耦不歸你加的這些電容管。

結論確實很殘酷,讓你出離了憤怒,你可能需要時間接受。但是,如果高速先生告訴你,PDN在高頻段的實際阻抗并沒有你看到的那么糟,因為PDN系統(tǒng)級的去耦除了板級電容,還要考慮封裝內(nèi)電容去耦(OPD,On-Package Decap)和片上電容(ODC,On-Die Caps),看到這里,你會不會先松了一口氣,繼而又覺得很茫然?

在解決你的困惑之前,讓我們先回到最基本的問題,搞懂電源去耦設計中的目標阻抗是怎么回事?所謂目標阻抗(Ztarget),即在滿足負載最大瞬態(tài)電流需求、且電壓變化不超過最大允許波動范圍(Allowed ripple)的情況下,電源分配網(wǎng)絡(PDN)自身阻抗的最大值。簡單來說,就是通過合理的電容配置,在盡量寬的頻段內(nèi)保持PDN的阻抗低于目標阻抗,從而使電源的紋波滿足要求。計算公式如下:

107-06.png

芯片手冊推薦的電容配置通常會把電容的數(shù)量、容值、封裝、品牌甚至Layout指導都給你安排的明明白白的。

綜合考慮板上不同容值的電容在不同頻段的去耦作用,板級電容整體的PDN阻抗通常長成下圖紅色曲線的樣子。

重點來了,前文一直聊的是板級的PDN阻抗,而系統(tǒng)級的PDN阻抗,除了板級,還包括芯片封裝內(nèi)的部分。問題的關鍵就在于板級電容和芯片內(nèi)的去耦頻段各有側重。

具體說來就是,直流至百KHz左右的頻段主要依賴電源輸出模塊(VRM)的穩(wěn)定性;百KHz到百MHz的頻段靠板級電容(PCB Caps,包括Bulk caps及Local caps)進行去耦,雖然不同容值的電容負責不同的頻段,但整體由于安裝電感的影響,板級電容的去耦頻段一般局限在百MHz以內(nèi);更高頻段的電源去耦則通常在芯片內(nèi)部完成,主要依靠封裝內(nèi)的電容及片上電容,而這兩個電容參數(shù)涉及芯片內(nèi)部的構造,一般需要芯片廠商提供。

困惑你的兩個問題終于有了答案:第一個問題,大部分的電源仿真報告里的PDN阻抗只看到100MHz,是因為你所提供的板級電容配置只能在百MHz之內(nèi)的頻段起作用,部分芯片由于封裝內(nèi)的電容去耦比較給力,甚至只要求封裝外的板上電容只負責20MHz以內(nèi)的頻段(具體要參考芯片手冊);第二個問題,高頻段的電源噪聲腫么辦?主要依靠封裝內(nèi)的電容去耦和片上電容的作用。比如,下圖所示的某芯片電源在考慮廠商提供的OPD和ODC前后的PDN阻抗曲線對比。可以看到,考慮了芯片內(nèi)的電容參數(shù)之后,紅色的PDN阻抗曲線在高頻段被控制在合理的范圍之內(nèi)并一路走低,形勢可喜,令人欣慰。

編輯:‘hfy’

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