現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪，以提供更簡單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場(chǎng)上競爭，秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出，從而縮短烹飪時(shí)間。本文檔將簡要介紹 Fairchild 的新型 650 V 場(chǎng)截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個(gè)全新的水平。

電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴(yán)格的能源之星標(biāo)準(zhǔn)。

這些趨勢(shì)對(duì)選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體。考慮到灶具的使用壽命可能長達(dá) 10-15 年，合適的 IGBT 可以提供低功率損耗、高效和高可靠性能力，從而在灶具的使用壽命內(nèi)發(fā)揮作用。

根據(jù)系統(tǒng)要求，F(xiàn)GH40T65SHDF 等 650V 場(chǎng)截止 (FS) 溝槽 IGBT 非常適合電磁爐和逆變技術(shù)微波爐的軟開關(guān)應(yīng)用。與之前的 600V 場(chǎng)截止平面 IGBT 技術(shù)相比，650V FS 溝槽 IGBT 技術(shù)具有更低的傳導(dǎo)損耗，因?yàn)?Vce(sat) 特性降低了 24%（圖 1）。擊穿電壓額外高出 50V，可提供更大的系統(tǒng)設(shè)計(jì)余量和可靠性優(yōu)勢(shì)。

600V FS Planar vs. 650V Field Stop Trench IGBT Vce(sat)

最后，與上一代 600V 場(chǎng)截止平面 IGBT 相比，新型 650V FS 溝槽 IGBT 還具有更低的 Eoff 或尾部損耗（圖 2）。

Eoff 特性比較（輸入功率：3KW 條件） 圖3 是IH Cooktop 設(shè)置條件下的損耗匯總和比較；Fsw=25kHz，（輸出功率）Pout：2.5KW。新的 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT 將總損耗降低了 17% 以上。

圖3顯示了IH Cooktop設(shè)置條件下?lián)p失的總結(jié)和比較；Fsw=25kHz，（輸出功率）Pout：2.5KW。

新的 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT 將總損耗降低了 17% 以上。

新型 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT 和 600V 場(chǎng)截止平面 IGBT 之間的損耗分析匯總比較

需要高能效、高度可靠的 IGBT 用于軟開關(guān)應(yīng)用（如電磁爐和逆變技術(shù)微波爐）的設(shè)計(jì)人員應(yīng)該考慮新的 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT。新的場(chǎng)截止溝槽 IGBT 技術(shù)能夠優(yōu)化開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間的平衡。

編輯：hfy