色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

功率GaN出現爆炸式增長 基于GaN的RF器件獨特優勢眾多

電子設計 ? 來源:Qorvo ? 作者:Qorvo ? 2021-01-19 11:22 ? 次閱讀

翻譯自——EEtimes

5G射頻技術發生了全新的變化,近日,Qorvo最近發布的QPA2309 c頻段功率放大器(PA)專為國防和航空航天應用而設計,能為5 – 6 GHz射頻設計提供高功率密度和附加功率效率。它采用了Qorvo自研的QGaN25HV晶圓工藝,即GaN-on-SiC。

在過去一年左右的時間里,許多技術正滲透到消費領域。Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業和軍事雷達,以及電子戰應用”而設計。

不久以前GaN在電力方面的應用還局限于一個小眾市場。即使在許多工業應用中,如汽車或太陽能電池逆變器,更常見的是SiC。而GaN具有很長的光電子史,它使藍色激光二極管led的生產成為可能。

但現在,在功率市場GaN開始出現了爆炸式增長。蘋果決定推出最后一款不帶充電裝置的iPhone,這將推動這一轉變。由于它不再是蘋果標配,消費者現在可能會同時被多個充電電源所吸引,這是蘋果從未在其手機或平板電腦中附帶的。GaN在電力電子方面的獨特優勢眾多,這里不再贅述。

讓我們回到射頻應用。

當前的技術趨勢需要增加射頻能力和驅動組件,這無疑是一大挑戰。

我們正處在5G系統快速部署的風口上。這意味著在連接的移動設備以及無數固定和移動物聯網設備中又多了一個系統和另一個無線電。

新無線電系統的頻帶要求今天的5G以及仍在定義中的系統需要創造一個理想的環境,以便快速過渡到GaN射頻設備上。作為一種寬帶隙半導體,GaN比傳統材料的優勢將會為這一特殊要求提供強大動力。

以上圖表有力地說明了GaN的尖端性能。Qorvo的功放適用于5GHz至6GHz的工作頻段,因此該產品在“少數競爭技術”領域處于領先地位。然而,在功率方面,GaN沒有對手。100W功率規格使Qorvo的PA只有GaN材料才能做到。

Yole development詳細介紹了GaN的突破潛力。在一篇《RF GaN: The Stranglehold of 5G?》中預測了GaN的市場:

  • 到2025年,GaN RF設備市場將超過20億美元
  • 年增長率達到20%
  • 軍事用途迅速增加

GaN的性能優勢將推動5G基礎設施的采用。

分析師Ezgi Dogmus博士預測,5G基礎設施將推動“GaN優勢”。“預計軍事和5G基礎設施是增長大頭。嚴格地說,5G建設是一個工業應用,而不是消費應用,但這項技術仍然是解決消費者移動帶寬需求的核心。

GaN RF設備市場正處于高速增長邊緣,尤其在在國防領域。

Qorvo QPA2309選擇以GaN作為材料是一個正確的選擇,它被封裝在一個7×7毫米QFN配置中,內部匹配不需要外部組件。對于QFN,它是一個四軸,平面無引線套件,它正在悄悄擴大其覆蓋范圍。因為它提供了一個很好的折衷方案,低成本和減少了對pin計數的板空間要求。而且,這個主要用途的套件——從電源管理音頻放大器再到微控制器——正在繼續增加它的高功率和高頻應用。

新的Qorvo功率放大器引起了人們對新興技術和擴展成熟封裝設計的關注。從平凡到奇異,它們都值得我們近距離觀察,預計它們會在2021年涌現在人們眼前。
編輯:hfy

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2880

    瀏覽量

    62843
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    1964

    瀏覽量

    73963
  • 射頻技術
    +關注

    關注

    4

    文章

    147

    瀏覽量

    36007
  • 5G
    5G
    +關注

    關注

    1356

    文章

    48503

    瀏覽量

    565516
  • 移動物聯網
    +關注

    關注

    0

    文章

    37

    瀏覽量

    5397
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術

    垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直
    的頭像 發表于 01-16 10:55 ?87次閱讀
    垂直與橫向<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>單片集成的高效隔離技術

    安森美GaN功率器件的功能和優點

    GaN功率器件的應用在消費類產品電源近年相當普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優點和用量遞增,也逐漸延伸到服務器和工業電源領域。 安森美(onsemi)新推出的iGaN NCP5
    的頭像 發表于 11-15 10:37 ?262次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的功能和優點

    芯干線科技GaN功率器件及應用

    第一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們為半導體行業奠定了堅實的基礎。隨著技術的發展,第二代半導體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb)為核心,這些材料的高頻和高速特性,為電子器件
    的頭像 發表于 08-21 10:01 ?591次閱讀
    芯干線科技<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>及應用

    GaN晶體管的基本結構和性能優勢

    GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,融合了多種材料和工藝,以實現高效
    的頭像 發表于 08-15 11:01 ?1304次閱讀

    GaN MOSFET 器件結構及原理

    和更低的導通電阻,因此在高頻、高功率和高溫應用中具有顯著優勢GaN MOSFET器件結構 GaN MOSFET的基本結構包括以下幾個部分
    的頭像 發表于 07-14 11:39 ?1499次閱讀

    CGD推出高效環保GaN功率器件

    近日,無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)發布了一系列革命性的高能效氮化鎵(GaN功率器件,旨在推動電子
    的頭像 發表于 06-12 10:24 ?654次閱讀

    CGD為電機控制帶來GaN優勢

    Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效氮化鎵(GaN功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應
    發表于 06-07 17:22 ?1782次閱讀
    CGD為電機控制帶來<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>優勢</b>

    GaN/金剛石功率器件界面的熱管理

    ? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特擊穿電壓的演示長期以來一直激勵著電力電子和其他應用的優化。這是由于電力系統中轉換效率的潛力大大提高。GaN器件
    的頭像 發表于 06-04 10:24 ?498次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>/金剛石<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>界面的熱管理

    改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

    在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數,即短路耐受時間 (SCWT)。
    的頭像 發表于 05-09 10:43 ?904次閱讀
    改善<b class='flag-5'>GaN</b> HEMT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的短路耐受時間

    如何利用 GaN 功率器件實現出色的中等功率電機變頻器

    們往往無法滿足關鍵變頻器應用對性能和效率的更高要求。 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術,在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改進和進步,設計人員可以利用 GaN
    的頭像 發表于 05-05 10:51 ?554次閱讀
    如何利用 <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>實現出色的中等<b class='flag-5'>功率</b>電機變頻器

    SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優勢。離子注
    的頭像 發表于 04-29 11:49 ?1442次閱讀
    SiC與<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中的離子注入技術挑戰

    氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發的優勢與挑戰

    氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件
    的頭像 發表于 04-22 13:51 ?2203次閱讀
    氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>功率</b>集成電路(IC)開發的<b class='flag-5'>優勢</b>與挑戰

    功率GaN的多種技術路線簡析

    )。另一方面,功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向,包括增強型E-
    的頭像 發表于 02-28 00:13 ?2965次閱讀

    功率GaN,炙手可熱的并購賽道?

    ? 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)繼去年英飛凌收購GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022年
    的頭像 發表于 02-26 06:30 ?2499次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>GaN</b>,炙手可熱的并購賽道?

    GaN導入充電樁,小功率先行

    電子發燒友網報道(文/梁浩斌)充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣,在一些400kW以上的充電樁中已經采用了SiC功率器件。同為第三代半導體的GaN,由于在高頻應用上的優勢,一些廠商也在推
    的頭像 發表于 02-21 09:19 ?4660次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 欧美亚洲日韩欧洲不卡 | 怪物高h粗暴无尽 | 美女视频秀色福利视频 | 日本少妇内射视频播放舔 | 久久天堂成人影院 | 91系列在线观看免费 | 亚洲国产中文字幕在线视频综合 | 玖玖爱精品视频 | 国产色情短视频在线网站 | 精品一区二区三区免费观看 | 中文字幕亚洲欧美在线视频 | 午夜一级视频 | 耻辱の奴隷淑女中文字幕 | 久久秋霞理伦片 | 欧美亚洲国产专区在线 | 国产亚洲精品久久久久久鸭绿欲 | 婷婷四房播客五月天 | jk制服喷水 | 波多野结衣 熟女 | 美女胸禁止18以下看 | yin乱教师系列合集 yin荡体育课羞耻play双性 | a视频在线免费观看 | 国内精品视频一区二区在线观看 | 在线观看免费国产成人软件 | 国内精品日本久久久久影院 | 青青伊人国产 | 香蕉鱼视频观看在线视频下载 | 福利社影院 | 韩国黄电影 | 97人人碰免费视频公开 | 天天影视色欲 影视 | 一个人免费视频在线观看高清频道 | 日本边添边摸边做边爱边 | 4388成人 | 亚洲国产精品一区二区久久第 | 免费A级毛片无码无遮挡内射 | 国产精品一久久香蕉国产线看 | 精品国产高清自在线看 | 国产午夜亚洲精品一区 | 跪趴式啪啪GIF动态图27报 | 亚洲视频在线免费看 |