DDR5暫無發布日期，DDR4正在取得重大進展。

今年夏天初，美光（Micron）和三星（Samsung）等公司宣布了采用DDR5的內存的巨大飛躍。盡管新版本似乎在我們的掌控之中，但仍需要一段時間才能將當前的PC和服務器設計為與DDR5兼容。

同時，為了幫助減緩需求曲線以提高數據速率，DDR4進行了升級，具有更高的密度，更快的速度和更快的響應速度。以下是DDR4的一些最新進展，以保持其3A游戲中的份額。

美光為游戲做好準備

美光的全球計算機內存和存儲消費品牌美光Crucial最近宣布了限量版Crucial Ballistix MAX 5100游戲DRAM。該存儲設備是為游戲玩家量身打造的Crucial Ballistix產品組合的一部分。

Crucial提供可定制的DRAM模塊以及鋁制散熱器，以最大程度地散熱。圖片由Micron提供給Crucial

該DRAM模塊可以以5,100 MT / s（每秒百萬次傳輸）的速度傳輸數據，遠遠超過了行業標準的3,200 MT / s的速度。

美光副總裁兼消費產品總經理Teresa Kelley描述了美光在DDR4方面的發展：“我們是第一個推出DDR4，第一個在游戲DRAM上安裝LED的公司，現在我們最新的Crucial Ballistix存儲器正在提供通過提供更高的幀頻和更好的系統性能，游戲玩家將擁有更銳利的優勢。”

SMART Modular Technologies推出NVDIMM

DDR4進步的另一個參與者是SMART Modular Technologies。內存模塊，固態存儲產品和混合解決方案的開發人員最近分享了有關高密度，非易失性雙列直插式內存模塊（NVDIMM）的消息。這些模塊有16 GB和32 GB版本。這些模塊將以DDR4 3,200的速度運行。

NVDIMM對于大量敏感數據傳輸至關重要，因為在斷電或斷開電源輸入的情況下，NVDIMM會保留所有數據，直到電源恢復。美光公司計算和網絡業務的市場營銷副總裁Malcolm Humphrey解釋說，內存模塊是為動態環境設計的。

SMART的內存模塊將具有32 GB的高密度，從而可以集成更多芯片并傳輸更多信號。圖片由SMART Modular Technologies提供

他解釋說：“需要彈性內存和存儲以確保關鍵任務信息持續可用性的企業將從SMART的NVDIMM中受益。”

SMART的設備將結合美光的DDR4 DRAM技術以及內部制造的高速PCB設計，這些設計可在無限寫入耐力下運行。

Lexar成為新玩家，可加快數據速率

Lexar是一家以SSD卡，閃存驅動器，存儲卡和讀卡器聞名的公司。每種技術都有自己專用的質量保證實驗室，可以在啟動新設備之前進行廣泛的測試。Lexar加入了該計劃，以滿足更快的數據速率，更大的帶寬和更低的功耗的需求曲線。

該公司的兩個新的DRAM內存模塊提供了高級性能，將提高家用PC的速度。據說Lexar DDR4-2666 SODIMM筆記本內存和Lexar DDR4-2666 UDIMM臺式機內存可在1.2 V電壓下運行，并提供2666 MT / s的速度。

即使與其他制造商（例如美光公司）以5100 MT / s的速度創造終極的游戲體驗一樣，Lexar仍將目標鎖定在當前的同業，學生和教師身上。

新型Lexar臺式機和筆記本電腦內存的運行速度將比普通家用PC快，這使其成為在家中工作的有用選擇。圖片由Lexar提供

“盡管遠程辦公室和任何地方的學習都在增加，但我們的目標是繼續提供具有卓越質量和性能的產品，以便您可以構建一個智能工作室或智能教室，以獲得最佳的用戶體驗，”總經理Mick Chen說道。雷克沙

盡管Lexar在內存游戲中還算是一個新生事物，但該公司正在為更快的數據傳輸速度而努力。

DDR5上市延遲，讓DDR4更新速度激增

DDR4的設計規格最初為2 GB的內存和1,600 MT / s的內存速度，但此峰值已發展為64 GB的內存選項，數據速度達到3200 MT / s。即使DDR5將具有雙倍的訪問內存和更低的功耗，但主要的吸引力在于數據的傳輸速度。

從外觀上看，美光仍在通過Critical Ballistix改進其DDR4，速度為6,666 MT / s。盡管如此，當DDR5完全實現時，預測將其設置為超過8400 MT / s的速度。

DDR5有望以更低的功耗，更快的數據傳輸和更高的密度來實現比DDR4更大的飛躍，從而實現更強的信號處理。圖片由美光科技提供

DDR5可能要過一段時間才會推出-由于當前的大流行而推遲了發布日期。但是，正如美光（Micron），雷克沙（Lexar）和SMART Modular Technologies這樣的公司所表明的那樣，這沒有理由阻止新DDR4模塊的發展。