比利時Hi-rel Cissoid宣布推出一種1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊，該模塊適用于汽車等應用。

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示：“開發(fā)和優(yōu)化快速開關SiC電源模塊并可靠地驅動它們?nèi)匀皇且粋€挑戰(zhàn)，這款SiC智能電源模塊是針對極端溫度和電壓環(huán)境開發(fā)電源模塊和柵極驅動器的多年經(jīng)驗的成果。有了它，我們很高興支持汽車行業(yè)向高效的電動汽車解決方案過渡。”

Cissoid聲稱，在600V 300A時，導通電阻為3.25mΩ，開關損耗為8.3mJ導通和11.2mJ截止，與IGBT電源模塊相比，損耗至少降低了三倍。

AlSiC針翅式基板經(jīng)過水冷，結到流體的熱阻為0.15°C / W。在結點和-40°C下的最高工作溫度為175°C。

Cissoid-3相SiC-mosfet內(nèi)置三個板載5W隔離電源，可在高達125°C的環(huán)境中以高達25kHz的頻率切換電源通道。峰值柵極電流為10A，抗擾度》 50kV / μs。隔離等級為3.6kV（50Hz，1min）。典型的初級-次級電容通常為11pF /相。

輸入為高電平有效5V施密特觸發(fā)器輸入，具有低電平有效選項，并且提供了隔離的每相開漏故障報告（具有每相選項）。

包括的保護包括欠壓鎖定（UVLO），主動米勒鉗制，去飽和檢測和軟關機。

模塊尺寸為103 x 154 x 43mm。

預計將在電動汽車的電動機驅動器，重型電動機驅動器和重型有源整流器中使用工業(yè)電機驅動器。