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磁傳感器發(fā)展的四個(gè)階段

姚小熊27 ? 來(lái)源:麥姆斯咨詢(xún) ? 作者:麥姆斯咨詢(xún) ? 2020-03-01 16:15 ? 次閱讀

傳感器種類(lèi)繁多,性能和應(yīng)用場(chǎng)合各異。事實(shí)上,人們一直都在追求一種性能優(yōu)越的磁傳感器,而其中具有高性能、小型化、低功耗、低成本發(fā)展?jié)摿Φ膫鞲衅黝?lèi)型更是備受關(guān)注,如基于超導(dǎo)量子干涉(SQUID)磁力儀、光泵原子磁力儀、TMR磁傳感器、磁通門(mén)傳感器等。

(一)高溫超導(dǎo)材料為SQUID帶來(lái)了新的生機(jī)

SQUID可作為一種基于磁通穿越超導(dǎo)環(huán)感生超導(dǎo)電流原理的磁傳感器,其分辨力可達(dá)fT級(jí),而一般商用SQUID的磁場(chǎng)分辨力也可達(dá)到10fT量級(jí),可以說(shuō),SQUID是目前探測(cè)能力強(qiáng)的一種磁傳感器。但因超導(dǎo)環(huán)在極低溫下才能工作,所以SQUID必須配備制冷裝置,導(dǎo)致其體積、重量及使用成本的大幅增加,制約了SQUID應(yīng)用范圍。而高溫超導(dǎo)材料的出現(xiàn),為SQUID帶來(lái)了新的生機(jī)。1987年,M.K.Wu等報(bào)道了一種臨界溫度為93K的YBaCuO高溫超導(dǎo)材料體系,這意味著該材料體系在液氮環(huán)境下(77K)即可進(jìn)入超導(dǎo)狀態(tài),與在液氦(4K)環(huán)境下工作的超導(dǎo)材料相比具有明顯的優(yōu)勢(shì),這是因?yàn)橐旱闹苽潆y度和成本大大小于液氦。因此,基于高溫超導(dǎo)材料的SQUID很快被應(yīng)用于生物醫(yī)療、地球物探、材料研究等領(lǐng)域。

目前,通過(guò)微納加工技術(shù)制備高質(zhì)量的高溫超導(dǎo)薄膜來(lái)制造微型化SQUID探頭成為一個(gè)熱門(mén),據(jù)報(bào)道一種由微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)平面線(xiàn)圈和YBaCuO薄膜相結(jié)合SQUID磁傳感器已經(jīng)問(wèn)世,其分辨力達(dá)到了50fT/sqr(Hz)左右(@1Hz)。雖然由于高溫SQUID中探測(cè)線(xiàn)圈電熱噪聲和超導(dǎo)環(huán)溫度波動(dòng)的增加,導(dǎo)致關(guān)鍵指標(biāo)低于液氦環(huán)境下工作的SQUID,但不可否認(rèn),SQUID正朝著小型化和高溫化而努力發(fā)展,高溫超導(dǎo)薄膜材料及降噪技術(shù)已成為SQUID主要的突破方向。

(二)MEMS技術(shù)助推光泵原子磁力儀的發(fā)展

光泵原子磁力儀是一種總量式磁傳感器,其基本原理是利用光泵作用激發(fā)封閉腔內(nèi)堿金屬氣態(tài)原子處于自旋一致的進(jìn)動(dòng)狀態(tài),在外磁場(chǎng)作用下原子自旋進(jìn)動(dòng)頻率產(chǎn)生線(xiàn)性變化,通過(guò)光探測(cè)器檢測(cè)光譜頻移來(lái)獲得被測(cè)磁場(chǎng)。光泵原子磁力儀的分辨力也可達(dá)1fT/sqr(Hz)(@1Hz),與SQUID相當(dāng)。光泵原子磁力儀的性能主要取決于密封腔內(nèi)堿金屬原子自旋態(tài)的一致程度。

目前,大多數(shù)光泵原子磁力儀的體積和重量都較大,價(jià)格昂貴,在應(yīng)用上受到較大限制,而將光泵原子磁力儀小型化成為一種吸引力的方向。美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù)研究院(NIST)成功地利用MEMS技術(shù)研制出了一種毫米級(jí)的光泵原子磁力儀,有效地降低了體積和成本。但因其密封腔體積很小,可灌注堿金屬量較少,造成磁場(chǎng)分辨力下降,約為6pT/sqr(Hz)(10Hz-1kHz頻帶內(nèi))??上驳氖?,一種稱(chēng)之為“自旋交換-釋放自由”(SERF)的新機(jī)制正被用于MEMS光泵原子磁力儀來(lái)提升自旋一致性,使磁場(chǎng)分辨力大幅提升至幾十fT/sqr(Hz)(@1Hz)。雖然目前只能在極弱磁場(chǎng)條件下形成SERF機(jī)制,但它的出現(xiàn)本身就具有重要意義,開(kāi)辟了一條實(shí)現(xiàn)高性能MEMS光泵原子磁力儀的可能途徑。

(三)磁通門(mén)傳感器微型化成為一種挑戰(zhàn)

磁通門(mén)傳感器誕生于20世紀(jì)30年代,是為了克服電磁感應(yīng)線(xiàn)圈無(wú)法測(cè)量直流磁場(chǎng)而衍生發(fā)展出的一種分量式磁傳感器,它利用外磁場(chǎng)影響磁芯磁化的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)測(cè)量,結(jié)構(gòu)上主要由磁芯、激勵(lì)線(xiàn)圈及探測(cè)線(xiàn)圈組成,而決定探測(cè)能力的關(guān)鍵是磁芯。當(dāng)激勵(lì)線(xiàn)圈產(chǎn)生的高頻磁場(chǎng)反復(fù)磁化磁芯時(shí),探測(cè)線(xiàn)圈能夠感應(yīng)到一個(gè)畸變電壓信號(hào),外磁場(chǎng)變化時(shí),該信號(hào)也會(huì)隨之變化,根據(jù)畸變信號(hào)偶次分量的變化即可探知被測(cè)磁場(chǎng)。通過(guò)提升磁芯的軟磁性能,可使磁通門(mén)傳感器的分辨力達(dá)到pT級(jí)水平。

隨著微納技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,微型磁通門(mén)的概念開(kāi)始出現(xiàn),人們期望通過(guò)微納加工技術(shù)減小高性能磁通門(mén)傳感器的體積和功耗。但大量研究表明:隨著微型磁通門(mén)傳感器體積的減小,其靈敏度和分辨力都會(huì)迅速下降。主要原因是:微型磁通門(mén)傳感器的線(xiàn)圈和磁芯一般都是薄膜形態(tài),熱噪聲水平明顯高于通常的線(xiàn)圈和磁芯。近年來(lái),A.Baschirotto等對(duì)微型磁通門(mén)傳感器開(kāi)展了系統(tǒng)的研究,從PCB磁通門(mén)到基于CMOS工藝的IC磁通門(mén)都具有很高的水平,分辨力約為幾nT/sqr(Hz)(@1Hz),相比傳統(tǒng)磁通門(mén)傳感器尚有較大差距。所以,通過(guò)改進(jìn)設(shè)計(jì)和制備工藝降低微型磁通門(mén)傳感器的噪聲水平雖是大勢(shì)所趨,但面臨的挑戰(zhàn)不小。

(四)GMR(MTJ)磁傳感器研究如火如荼

GMR磁傳感器具有體積小、功耗低、靈敏度高等顯著特點(diǎn),有望應(yīng)用于無(wú)人機(jī)反潛、微納衛(wèi)星及智能引信等領(lǐng)域,是當(dāng)前小型化高性能磁傳感器研究的熱點(diǎn)方向。

自1988年發(fā)現(xiàn)GMR效應(yīng)以來(lái),有關(guān)GMR的結(jié)構(gòu)和理論得到迅速發(fā)展,從初的三明治結(jié)構(gòu)到多層膜結(jié)構(gòu),再到自旋閥結(jié)構(gòu)及新的磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)等,磁阻變化率和磁場(chǎng)靈敏度不斷提高。2006年,S.Yuasa等發(fā)表了在室溫氧化鎂基MTJ中獲得大磁阻變化率410%的結(jié)果。2007年,R.C.Chaves等在直徑26微米的柱狀氧化鎂基MTJ中(帶磁偏置和磁力線(xiàn)聚集器)獲得了極高的磁場(chǎng)靈敏度(87%/Oe),但其低頻磁場(chǎng)分辨力仍只有330pT/sqr(Hz)(@2.5Hz)。人們?cè)趯?duì)多種GMR磁阻材料進(jìn)行研究后發(fā)現(xiàn),隨著磁場(chǎng)靈敏度的提高,磁性噪聲也隨之增加,且隨頻率呈1/f特征變化。2009年,美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù)研究院、特拉華大學(xué)及美國(guó)陸軍實(shí)驗(yàn)室合作研究得出了MTJ的噪聲理論模型,模型顯示提高磁場(chǎng)靈敏度無(wú)法抑制磁性熱噪聲和磁性1/f噪聲,且體積越小噪聲特性越差。

近年,美國(guó)陸軍實(shí)驗(yàn)室的A.S.Edelstein等提出了磁力線(xiàn)聚集調(diào)制技術(shù),該技術(shù)利用MEMS結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)磁力線(xiàn)聚集器,使其磁場(chǎng)增益產(chǎn)生周期性變化,進(jìn)而使處于磁力線(xiàn)聚集器附近的GMR敏感單元能夠探測(cè)到一個(gè)調(diào)制后的交流磁場(chǎng)信號(hào),有效克服磁性1/f噪聲的影響,使GMR磁傳感器的分辨力有望達(dá)到pT級(jí)。

然而,現(xiàn)有的磁力線(xiàn)調(diào)制方法存在調(diào)制效率低、結(jié)構(gòu)復(fù)雜等問(wèn)題,對(duì)此國(guó)內(nèi)有學(xué)者提出了一種垂動(dòng)式的磁力線(xiàn)調(diào)制方法,并研制出了基于GMR的三軸一體化磁傳感器樣機(jī),如圖4所示,其低頻磁場(chǎng)分辨力從調(diào)制前的幾十nT/sqr(Hz)提升至80pT/sqr(Hz)左右(@1Hz)。同時(shí),正在利用石墨烯等新型低維納米材料,開(kāi)展新一代的高靈敏MTJ研制工作,有望使磁傳感器分辨力提升到1pT/sqr(Hz)(@1Hz)左右。目前,石墨烯基磁隧道結(jié)的隧穿磁阻效應(yīng)已經(jīng)得到實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,這為高性能磁傳感器的研制打開(kāi)了一扇新大門(mén)。

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