在2019年收入和利潤率大幅下降之后，SK Hynix宣布計(jì)劃削減其資本支出。盡管市場已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象，但該公司不確定對DRAM和NAND的需求，因此其投資將變得更加保守和謹(jǐn)慎。因此，SK海力士將專注于加速技術(shù)轉(zhuǎn)換以削減成本并為下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。

收入同比下降33％

SK海力士2019財(cái)年的收入為26.99萬億韓元（225.67億美元），比2018年下降了33％，而其凈收入總計(jì)為2.016萬億韓元（16.85億美元），比2018年大幅下降了87％。 2019年第四季度，該公司公布的收入為6.927萬億韓元（57.92億美元），比去年同期下降30％，營業(yè)利潤為2360億韓元（1.973億美元），與去年同期相比下降95％ 。

SK Hynix將今年最后一個(gè)季度的微不足道的利潤歸因于DRAM的平均銷售價(jià)格比上一季度下降了7％，這是因?yàn)楸忍爻鲐浟吭鲩L了8％，以及NAND定價(jià)持平，因?yàn)楸忍爻鲐浟吭鲩L了10％。同時(shí)，SK Hynix本季度的凈虧損總額為1,180億韓元（9866.2萬美元），因?yàn)樗仨氈匦略u估其在Kioxia的投資。

資本支出削減

SK Hynix的虧損是由于供過于求以及市場總體不確定性而導(dǎo)致DRAM和3D NAND價(jià)格下降的結(jié)果。為此，它已確定需要集中精力削減成本和支出，這就是制造商重新考慮其資本支出計(jì)劃的原因。由于價(jià)格下跌，去年SK海力士的資本支出削減了25％（與2018年相比），降至12.7萬億韓元（106.19億美元）。顯然，今年該公司將進(jìn)一步削減該數(shù)量，但目前尚無想要共享的數(shù)字。

SK Hynix的首席財(cái)務(wù)官Cha Jin-seok Cha表示：

“與去年的指導(dǎo)一樣，今年的資本支出將同比大幅減少。基礎(chǔ)設(shè)施資本支出將集中在計(jì)劃于今年完成的M16，設(shè)備資本支出將主要集中在向1y納米[DRAM]和96和128層[3D NAND]的技術(shù)移植上。同時(shí)，由于我們今年繼續(xù)將M10中的DRAM容量轉(zhuǎn)換為CMOS圖像傳感器，并將2D NAND容量轉(zhuǎn)換為3D，因此，對于DRAM和NAND，年底時(shí)的晶圓容量計(jì)劃將低于年初。 ”

加速過渡并專注于高價(jià)值產(chǎn)品

今年對3D NAND和DRAM的比特需求將毫無意外地繼續(xù)增長，因此沒有生產(chǎn)商可能會削減比特產(chǎn)量。因此，SK Hynix打算加快向較新工藝技術(shù)的過渡，以降低其每位成本。此外，該公司計(jì)劃確保其下一代產(chǎn)品沒有“毛刺”。

SK Hynix表示，到今年年底，使用第二代10 nm級制造工藝（1Y nm）制造的DRAM的份額將增加到40％。在NAND方面，該公司生產(chǎn)的一半以上NAND位將在2020年上半年使用其96層3D NAND技術(shù)制成。

車鎮(zhèn)錫先生說：

“公司將通過在技術(shù)移植過程中穩(wěn)步提高技術(shù)成熟度，并準(zhǔn)備無故障的下一代產(chǎn)品，來加快成本削減。到年底，DRAM中1y納米產(chǎn)品的很大一部分將增加到40％的水平，而對于96層3D NAND，它將在上半年過渡。”

更先進(jìn)的工藝技術(shù)有望降低SK海力士的成本，但為了提高收入和盈利能力，該公司計(jì)劃更好地應(yīng)對高價(jià)值市場和產(chǎn)品。特別是，該公司將“積極”響應(yīng)業(yè)務(wù)DRAM方面對LPDDR5，GDDR6和HBM2E的需求，并增加一般固態(tài)硬盤和數(shù)據(jù)中心驅(qū)動(dòng)器（尤其是NAND方面）的銷售。

首席財(cái)務(wù)官說的是：

“我們還將積極支持LPDDR5，GDDR6和HBM2E市場，這些市場有望通過增強(qiáng)質(zhì)量競爭力并將我們的產(chǎn)品組合擴(kuò)展到戰(zhàn)略市場，從而在今年實(shí)現(xiàn)全面增長。我們將加快用于數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品的銷售，并繼續(xù)增加SSD銷售的份額，該份額在去年第四季度首次突破了30％。”

1z DRAM和128層4D NAND將于2020年推出

去年，SK Hynix完成了其用于DRAM（1Z nm）的第三代10 nm級工藝技術(shù)的開發(fā)，并開始了其128層“ 4D” NAND（官方仍將其稱為“ 3D NAND”）的樣品出貨。該公司的電荷陷阱閃存（CTF）設(shè)計(jì)以及外圍單元電池（PUC）架構(gòu)。

今年，這兩種技術(shù)都將用于批量生產(chǎn)，但是它們的份額不會很大。

“我們將在今年內(nèi)開始批量生產(chǎn)下一代產(chǎn)品1z納米[DRAM]和128層3D NAND。”

像其他行業(yè)參與者一樣，SK Hynix看到了5G和AI等新興技術(shù)的巨大應(yīng)用潛力，這就是為什么它總體上對未來保持樂觀的原因。同時(shí)，盡管有一些復(fù)蘇的跡象，但根據(jù)公司管理層的說法，并非一切都恢復(fù)了正常，因此該公司在預(yù)測和支出方面都比較保守。