隨著技術的發展，我們使用的存儲器也各種各樣，雖然都基于芯片顆粒，但表現截然不同，比如說讀寫次數限制，或者叫壽命，SSD固態硬盤就有限制，DRAM內存卻沒有。

按照分布位置的不同，DRAM內存屬于內部存儲器，緊挨著CPU處理器，用來臨時存放后者需要的運算數據，并與外部存儲器進行交換，起到橋梁的作用。

DRAM內存的特點是讀寫速度快、延遲低，但屬于易失性存儲，也就是一旦斷電，數據就會全部丟失。

DRAM內存顆粒利用晶體管加電容來保存數據，而且只是臨時存儲數據，并沒有實質性的寫入，不涉及對物理單元結構、屬性的改變，所以可以無限次讀寫。

當然，這并不意味著DRAM內存就可以永久使用，畢竟其中的晶體管、電容等物理結構也會慢慢老化，所有電子設備都是如此，只是這個過程非常非常緩慢，正常使用根本感覺不到。

SSD則是外部存儲，用來長久保存數據，屬于非易失性存儲，斷電后數據還在，但是相對速度慢、延遲高，HDD機械硬盤、U盤、光盤等也是此類。

SSD的存儲介質是NAND閃存顆粒，需要施加不同的電壓、改變內部狀態來存儲數據，隨著時間的流逝、讀寫次數的增加，會出現物理性的損耗，最終不可用。

NAND閃存的壽命一般用P/E編程擦寫次數來描述，寫滿一次容量就損失一次P/E。

SLC大約是10萬次，MLC只有5000次左右，TLC就只大概2000次，QLC僅為1000次上下，所以不得不依靠更多管理技術和算法來輔助，以保持壽命。

但另一方面，SLC、MLC、TLC、QLC的存儲密度越來越大，SSD容量也越來越大，寫滿的概率越來越低，所以整個SSD的實際壽命其實并沒有大大縮短，一般應用無需過分擔憂壽命問題。

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