上海新陽表示ARF193nm光刻膠配套的光刻機預計12月底到貨
近日，上海新陽在投資者互動平臺上表示，公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機已完成廠內安裝開始調試，ARF193nm光刻膠配套的光刻機預計12月底到貨。
上海新陽指出，ARF193nm光刻膠是芯片制造進入90nm銅互聯制程后最重要的主流光刻膠產品，一直是國內空白。公司研發該款光刻膠意在填補國內空白，實現芯片制造在關鍵工藝技術和材料技術的自主可控。經過近三年的研發，關鍵技術已有重大突破，已從實驗室研發轉向產業研發。
光刻膠技術作為上海新陽核心戰略突破口，上海新陽已經確定在未來5-10年，將集中各種資源，對國內尚屬空白的各類高端半導體光刻膠和光刻膠配套材料進行研發，逐步形成公司第三大核心技術-電子光刻技術。
目前，新引進的技術專家團隊已到位，各品類研發在正常進行，各項關鍵技術均有突破。其中，KRF光刻膠配套的光刻機已完成廠內安裝開始調試，預計明年上半年開始中試。
責任編輯：wv
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27687瀏覽量
221482 -
光刻膠
+關注
關注
10文章
321瀏覽量
30310
發布評論請先 登錄
相關推薦
光刻機的分類與原理
本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類 光刻機的分類方式很多。按半導體制造工序分類，光刻設備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片
用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術。 芯片制造：光刻技術的演進 過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導體技術的發展，但當光刻機的光源波長卡在
一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠
共讀好書關于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領取公眾號資料
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？
在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8
導致光刻膠變色的原因有哪些？
存儲時間 正膠和圖形反轉膠在存儲數月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
光刻膠的硬烘烤技術
根據光刻膠的應用工藝，我們可以采用適當的方法對已顯影的光刻膠結構進行處理以提高其化學或物理穩定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現整個光刻膠結構的熱交聯，稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外線輻照
光刻膠的一般特性介紹
評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所
光刻膠后烘技術
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
光刻膠的保存和老化失效
我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規劃好。并且，在
光刻機的發展歷程及工藝流程
光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機
發表于 03-21 11:31
?6636次閱讀
關于光刻膠的關鍵參數介紹
與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠
瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中
據吳中發布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產基地。
工商網監
評論