長鑫儲存將生產19nm DDR4內存，計劃再建兩個晶圓廠
12月3日消息 根據AnandTech的報道，長鑫存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前，該公司已經制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，并計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。
據報道，目前，長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來制造4GB和8GB的DDR4內存芯片，目標是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年制造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。
根據之前的報道，長鑫存儲誕生于2016年，專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關注
關注
52文章
4973瀏覽量
128238 -
DDR
+關注
關注
11文章
715瀏覽量
65463 -
內存
+關注
關注
8文章
3052瀏覽量
74244
發布評論請先 登錄
相關推薦
DDR4內存適合哪些主板
，這些主板通常支持較新的Intel處理器，并具備較高的性能和擴展性。它們通常配備4個或更多的DDR4內存插槽，支持較高的內存頻率和容量。 B
DDR5內存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區別
DDR5內存的工作原理詳解 1. DDR5內存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲
如何選擇DDR內存條 DDR3與DDR4內存區別
見的兩種內存類型，它們在性能、功耗、容量和兼容性等方面存在顯著差異。 DDR3與DDR4內存的區別 1. 性能
DDR4時序參數介紹
DDR4（Double Data Rate 4）時序參數是描述DDR4內存模塊在執行讀寫操作時所需時間的一組關鍵參數，它們直接影響到內存的性
DDR4的主要參數
DDR4（Double Data Rate 4）作為當前主流的計算機內存技術，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。
DDR4尋址原理詳解
）的尋址原理是計算機內存系統中至關重要的一個環節，它決定了數據如何在內存中被有效地存儲和訪問。DDR4的尋址原理復雜而高效，以下將詳細闡述其
DDR4內存頻率最高多少
DDR4內存頻率的最高值是一個隨著技術進步而不斷演變的指標。目前，DDR4內存的頻率已經取得了顯著的提升，但具體到最高頻率，則需要結合多個方
什么是DDR4內存模塊
DDR4內存模塊是計算機內存技術的一項重要進步，它是Double Data Rate（雙倍數據速率）第四代內存技術的具體實現形式。
DDR4時鐘頻率和速率的關系
DDR4（第四代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器）的時鐘頻率和速率之間存在著緊密的關系，這種關系對于理解DDR4內存的性能特性至關重要。以下將詳細探討
DDR4的基本概念和特性
DDR4，即第四代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），是計算機內存技術的一個重要
0706線下活動 I DDR4/DDR5內存技術高速信號專題設計技術交流活動
01活動主題DDR4/DDR5內存技術高速信號專題設計技術交流活動時間：2024年7月6日（本周六）10：00地點：深圳市南山區科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號線，高新園地鐵站D出口200
工商網監
評論