在輕度混合動(dòng)力汽車系統(tǒng)中,48V電池和集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)(ISG)是其主要零部件。ISG負(fù)責(zé)產(chǎn)生車輛的所有電能及用于車輛啟動(dòng)。本文將介紹,ONSEMI的 APM16M模塊在ISG的應(yīng)用上的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。
不同的運(yùn)行方式由ISG的系統(tǒng)控制器控制,它可以根據(jù)系統(tǒng)的要求控制正轉(zhuǎn)矩或負(fù)轉(zhuǎn)矩。在啟動(dòng)過(guò)程中,ISG提供正轉(zhuǎn)矩,快速平穩(wěn)地提高發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速到運(yùn)行速度。在汽車制動(dòng)過(guò)程中,它還回收再生能量。在這種模式下,SGI作為一個(gè)發(fā)電機(jī)提供負(fù)轉(zhuǎn)矩給動(dòng)力總成,使車減速和回收電池電荷。較大電荷容量的ISG(>15kW)還能夠在轉(zhuǎn)矩提升模式下工作,提供足夠的正轉(zhuǎn)矩幫助在有限的時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)車輛。
ISG系統(tǒng)中使用的電機(jī)在結(jié)構(gòu)上各不相同。許多使用永磁設(shè)計(jì),而最近的設(shè)計(jì)趨勢(shì)是傾向于單獨(dú)激勵(lì)繞組轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)。這些類型的主要優(yōu)點(diǎn)是其卓越的故障模式操作。這些定子通常采用三相或六相線圈繞組設(shè)計(jì)。較低功率系統(tǒng)(<12kW)適用于起動(dòng)-停止操作、電池充電和有限發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)矩提升。較高功率系統(tǒng)還能夠顯著提高發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)矩。較高相位數(shù)設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是功率分布在更多的線圈上,每個(gè)線圈能用較小的標(biāo)準(zhǔn)線繞組,和需要更低電流的驅(qū)動(dòng)器。較高的相位也使輸出轉(zhuǎn)矩的轉(zhuǎn)矩紋波更小。
無(wú)論選用三相還是六相,每個(gè)繞組都需要半橋電源轉(zhuǎn)換器提供適當(dāng)激勵(lì)。對(duì)于較低功率級(jí)系統(tǒng),可以使用分立的功率器件,但是對(duì)于較高的功率系統(tǒng),分立器件設(shè)計(jì)就不實(shí)用了。這些系統(tǒng)中的電流可達(dá)到700 A-rms以上。在這些較高的電流水平的應(yīng)用下,器件的散熱性能是決定系統(tǒng)性能的至關(guān)重要的因素。
ONSEMI APM16模塊由于其內(nèi)部使用了特殊的材料和工藝,使APM模塊會(huì)有以下的特點(diǎn):
APM模塊相比分立器件會(huì)有更小的溫升;
APM模塊相比分立器件會(huì)有更小的熱阻;
APM模塊相比分立器件會(huì)有更好的EMI性能;
APM模塊的集成度會(huì)比分立器件更好,功率密度會(huì)更高。
基于APM的特點(diǎn),對(duì)于大電流的場(chǎng)合,電源模塊是更好的選擇。
圖1A 3相ISG逆變驅(qū)動(dòng)
圖1B 6相ISG逆變驅(qū)動(dòng)
圖1所示為兩種不同的ISG汽車電源模塊應(yīng)用電路,采用三相和六相輸出級(jí)。這兩個(gè)系統(tǒng)都使用三個(gè)通用的APM16M電源模塊。該模塊含一個(gè)兩相、雙半橋電路,可以用于三或六相設(shè)計(jì),只需使用單獨(dú)的半橋或?qū)⑺鼈儾⒙?lián)。功率MOSFET的大小滿足系統(tǒng)的電流要求,提供80V和100V版本。它們被貼裝在氧化鋁陶瓷基板上,以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能。對(duì)于要求極嚴(yán)苛的應(yīng)用,可采用高性能的氮化鋁基板材料以提供更高的熱性能。
若在上述設(shè)計(jì)有想了解更深一層的小伙伴,請(qǐng)聯(lián)系ZLG立功科技,我們將為您提供專業(yè)的服務(wù)與支持。
安森美熱門新品
NVMYSxxxxN06CL:60V汽車功率MOSFET,單N溝道,邏輯電平器件:
LFPAK56-4封裝,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),小占位(5x6mm);
低導(dǎo)通電阻RDS(on)最小化導(dǎo)通損耗;
低QG和電容最小化驅(qū)動(dòng)損耗;
符合AEC?Q101,PPAP標(biāo)準(zhǔn)。
AFGHL50T65SQDC:混合IGBT,650V, 50A,第4代場(chǎng)截止溝槽IGBT,集成碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD),采用TO-247-3L封裝:
極低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗;
最大結(jié)溫175°C;
正溫度系數(shù);
100%動(dòng)態(tài)測(cè)試;
與SiC SBD共同封裝;
符合AEC?Q101,PPAP標(biāo)準(zhǔn)。
NCV8535:低壓降穩(wěn)壓器(LDO),超高精度,低靜態(tài)電流Iq,500 mA:
線性和負(fù)載條件下高精度:±0.9% @25°C ;±1.5% @125°C;
輸入電源電壓范圍:2.9V至12V;
反向偏置保護(hù);
支持固定電壓和可調(diào)電壓選項(xiàng)(達(dá)5V);
采用低熱阻DFN10_3x3封裝時(shí)提供WF選項(xiàng);
符合AEC?Q101,PPAP標(biāo)準(zhǔn)。
PCRKA20075F8:二極管裸芯,750V,200A:
裸芯尺寸:10mmx5mm;
最大結(jié)溫175°C;
極快軟恢復(fù);
低正向電壓VF=1.5V(Typ.)@ IF=200A;
符合AEC?Q101rev. D,提供更高可靠性。
-
電源模塊
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1716瀏覽量
93038 -
AISG
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
12瀏覽量
9568
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論