Intel首次推出新款消費級QLC閃存SSD665p 連續(xù)寫入速度比1TB660p提高了40~50%
在韓國首爾舉辦的存儲開放日活動中，Intel首次推出了新款消費級QLC閃存SSD，665p。
雖然主控延續(xù)660p的慧榮SM2263四通道，但閃存顆粒升級為96層3D QLC，只是單Die依舊維持1024Gb容量（128GB）。
性能方面，基于CrystalDiskMark 7的現(xiàn)場跑分顯示，1TB 665p的連續(xù)寫入速度比1TB 660p提高了40~50%，隨機(jī)讀取速度提升了30%，這里的固態(tài)盤安裝在華碩筆記本中，而且是預(yù)產(chǎn)版固件。不過，本次測試強度較低。
外形方面，665p和660p幾乎完全一致，都是單面標(biāo)準(zhǔn)的M.2 2280。
目前，660p的零售價為109美元，665p預(yù)計不會有太大差別，只要買到就是賺。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1799瀏覽量
115055 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3483瀏覽量
186304
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？
影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談?wù)動绊?b class='flag-5'>寫入速度九個方面：存儲容量和架構(gòu)：存儲容量的增加會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)
美光科技推出新款存儲解決方案
隨著人工智能（AI）不斷改變行業(yè)并推動創(chuàng)新，數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求，我很高興地宣布推出新款存儲解決方案——美光9550 NVMeTM SSD。這一新款尖端垂直集成
美光科技推出新一代6500 ION SSD
美光科技近日宣布推出旗艦企業(yè)級SSD——6500 ION，這款SSD號稱是世界上容量最大、速度最快、能效最高的
Solidigm發(fā)布全球最大容量QLC eSSD
全球NAND閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Solidigm，近日宣布了一項重大突破——成功推出全球首款超大容量的PCIe固態(tài)硬盤（SSD），即122TB的Solidigm D5-
最大限度地提高MSP430? FRAM的寫入速度
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高MSP430? FRAM的寫入速度.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-18 10:09
?0次下載
企業(yè)級QLC SSD普及元年，這家國產(chǎn)公司用前瞻性技術(shù)布局引領(lǐng)市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2016年，QLC SSD問世。最初幾年，由于QLC閃存顆粒的耐用性和速度問題，
單顆256GB，單一封裝達(dá)4TB容量，鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC開始送樣
FLASH為業(yè)界首創(chuàng)，在提升寫入速度的同時也提高了擦寫次數(shù)的可靠性。還提供采用4位/單元、四層存儲單元（QLC）技術(shù)
西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元
在當(dāng)今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代，存儲技術(shù)的每一次革新都牽動著整個科技行業(yè)的神經(jīng)。近日，西部數(shù)據(jù)在投資者活動上揭開了一項令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域
到手僅899元！紫光閃存UNIS S2 Ultra 2TB京東開啟預(yù)售
紫光閃存目前最頂級的消費級SSD——UNIS SSD S2 Ultra最低到手價僅需489元(1TB
華碩2024款ROG Ally掌機(jī)即將登場，配備1TB SSD
據(jù)爆料者@MysteryLupin透露，新款ROG Ally X掌機(jī)配備7英寸FHD 1080P 120Hz顯示屏，搭載AMD Ryzen Z1 Extreme處理器和1TB
美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)
美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM
長江存儲QLC閃存壽命實現(xiàn)重大突破
根據(jù)官方介紹，長江存儲X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達(dá)到了2400MT/s，相比上代的1600MT/s提升了足足50％，同時讀取、寫入
發(fā)表于 04-03 15:04
?764次閱讀
Kioxia推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的UFS 4.0版嵌入式閃存器件
，具有快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種新一代汽車應(yīng)用，包括遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)和ADAS[4]。Kioxia的UFS產(chǎn)品性能得到了改善[5]——包括順序讀取速度提高了約100%，順序
工商網(wǎng)監(jiān)
評論