高效率，高密度和低生產(chǎn)成本推動(dòng)了DC/DC轉(zhuǎn)換器的不斷發(fā)展，為汽車，工業(yè)，個(gè)人電子和通信市場(chǎng)提供了越來(lái)越廣泛的電源應(yīng)用。為了實(shí)現(xiàn)這些設(shè)計(jì)目標(biāo)，開關(guān)轉(zhuǎn)換器的緊湊而創(chuàng)新的印刷電路板（PCB）布局設(shè)計(jì)在推動(dòng)更小尺寸的解決方案方面取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。 PCB布局本身通常是一個(gè)多目標(biāo)學(xué)科，因?yàn)樗苯佑绊?a href="http://m.1cnz.cn/v/tag/2364/" target="_blank">電氣，機(jī)械，熱和電磁行為。

這個(gè)由三部分組成的系列[1]的第1部分專注于電源轉(zhuǎn)換器PCB設(shè)計(jì)和相關(guān)考慮因素四開關(guān)降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為研究PCB布局提供了便利的平臺(tái)，因?yàn)槟梢暂p松地將分析推斷到其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。步驟1和2（在第1部分中討論）討論了多層PCB疊層以及開關(guān)轉(zhuǎn)換器的臨界電流回路和電壓節(jié)點(diǎn)。在第2部分中，我將探討第3步，功率元件布局以實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)穩(wěn)壓器性能，同時(shí)考慮功率級(jí)熱設(shè)計(jì)和電磁干擾（EMI）考慮因素。步驟4深入研究控制IC和小信號(hào)元件的布局規(guī)劃和定位。

步驟3：功率級(jí)元件放置

基于高di/dt電流回路識(shí)別在步驟2（第1部分）中詳細(xì)說(shuō)明，功率級(jí)組件的周到和戰(zhàn)略性布置是必不可少的。隨著開關(guān)速度的提高和封裝寄生效應(yīng)的降低，功率MOSFET開關(guān)性能的瓶頸正在從硅轉(zhuǎn)向換相回路寄生阻抗[2]。使用參考文獻(xiàn)3中的同步降壓 - 升壓拓?fù)涫纠季郑瑘D1中的屏幕捕獲說(shuō)明了功率MOSFET的布局，寬高比率占位電流分流器以及PCB頂層的輸入和輸出陶瓷電容器。

薄型MOSFET（3 mm） x 3 mm）和陶瓷電容器（1210占位面積）專門位于PCB的頂部。同時(shí)，較高的元件（電感和大容量電容）位于底部。輸入電容靠近降壓腿MOSFET。類似地，輸出電容器位于升壓腿裝置附近，從而為兩個(gè)開關(guān)支路提供緊密，對(duì)稱的布局。請(qǐng)注意，分流電阻會(huì)擴(kuò)大兩個(gè)開關(guān)環(huán)路的面積。分流電阻具有較寬的縱橫比（1225占位面積）和較短的導(dǎo)通路徑，可提供低電感以及減少功率回路1和2的長(zhǎng)度，由圖1中的while邊界表示。