10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉(zhuǎn)讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設(shè)計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司（以下簡稱“西安紫光國芯”）給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司（以下簡稱“紫光存儲”）。

按照公告的說法，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設(shè)計領(lǐng)域的先進技術(shù)，持續(xù)加大產(chǎn)品開發(fā)投入，但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制，短期內(nèi)無法達到規(guī)模經(jīng)濟，經(jīng)營壓力加大，資產(chǎn)負債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營，給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力，其自身后續(xù)的研發(fā)投入也面臨很大困難。

鑒于上述原因，結(jié)合公司間接控股股東紫光集團有限公司（以下簡稱“紫光集團”）在存儲器領(lǐng)域的總體戰(zhàn)略布局，為充分發(fā)揮西安紫光國芯在存儲器芯片設(shè)計領(lǐng)域的技術(shù)、產(chǎn)品、市場方面的優(yōu)勢和價值，增強存儲器方向的協(xié)同作用，同時保障其持續(xù)發(fā)展對資金的需求，公司擬將西安紫光國芯 100％股權(quán)以 22，009 萬元人民幣轉(zhuǎn)讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司（以下簡稱“紫光存儲”）。上述股權(quán)轉(zhuǎn)讓完成后，公司將不再持有西安紫光國芯股權(quán)。

紫光國芯微電子股份有限公司（以下簡稱“本公司”或“公司”）系 2001 年 8 月 17 日經(jīng)河北省人民政府以冀股辦（2001）88 號文批準，由唐山晶源裕豐電子有限公司整體變更而成的股份有限公司。

公司屬于電子元器件制造業(yè)，主營業(yè)務(wù)為集成電路設(shè)計、開發(fā)、銷售與技術(shù)服務(wù)；高亮度發(fā)光二級管（LED）襯底材料開發(fā)、生產(chǎn)、銷售；生產(chǎn)和銷售壓電石英晶體器件；經(jīng)營本公司自產(chǎn)產(chǎn)品和技術(shù)的出口業(yè)務(wù)；經(jīng)營本公司生產(chǎn)、科研所需的原輔材料、儀器儀表、機器設(shè)備、零配件及技術(shù)的進口業(yè)務(wù)（國家限定公司經(jīng)營和禁止進出口的商品除外）；經(jīng)營進料加工和“三來一補”業(yè)務(wù)。

公司旗下共有紫光同芯微電子有限公司、深圳市國微電子有限公司、西安紫光國芯半導體有限公司、深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司、 唐山國芯晶源電子有限公司和無錫紫光微電子有限公司等公司。這次出讓的西安紫光國芯半導體有限公司則是公司旗下從事DRAM研發(fā)的企業(yè)。公司主營業(yè)務(wù)包括存儲器設(shè)計開發(fā)及自有品牌存儲器產(chǎn)品的銷售，并提供相關(guān)集成電路的設(shè)計、測試服務(wù)，目前的主要產(chǎn)品為 DRAM存儲器芯片和模組。

公司今年一月在互動平臺上回答投資者問題，針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問回復說：“DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。

同時，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設(shè)計技術(shù)處于世界先進水平，國內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額不大。”

至于公司的營收水平，根據(jù)公告顯示，在2017年，紫光國芯收入3．428億人民幣，虧損1200多萬。而在今年前七個月，公司營取得了3．273億元的收入，虧損了接近六百萬。

紫光國微的獨立董事表示：“公司將全資子公司西安紫光國芯半導體有限公司（以下簡稱“西安紫光國芯”）100％股權(quán)轉(zhuǎn)讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司的關(guān)聯(lián)交易事項，屬于公司對現(xiàn)有業(yè)務(wù)的調(diào)整，有利于減輕上市公司資金投入壓力，改善財務(wù)狀況，提升盈利能力，符合公司發(fā)展戰(zhàn)略；同時，可以保障西安紫光國芯的資金需求，促進其研發(fā)項目的順利推進及業(yè)務(wù)的健康發(fā)展。”

北京紫光存儲是紫光旗下專門從事存儲業(yè)務(wù)的企業(yè)，這次接受了紫光國芯的DRAM業(yè)務(wù)，能夠集中精力的開拓國內(nèi)的存儲業(yè)務(wù)。而紫光國微剝離DRAM，也能夠更加專注于安全芯片領(lǐng)域。這樣對雙方都比較有利，能夠避免未來可能存在的競爭，戰(zhàn)略上能統(tǒng)一到一起。

紫光集團今年內(nèi)在持續(xù)加碼存儲業(yè)務(wù)。作為本次資產(chǎn)接盤方，紫光存儲去年成立，今年8月份攜旗下8個系列的存儲產(chǎn)品首次亮相位于美國的2018年閃存峰會。當時，紫光存儲CEO任奇?zhèn)ケ硎荆瞎獯鎯?jīng)過短短一年的發(fā)展，在客戶需求、產(chǎn)品規(guī)劃、研發(fā)、驗證、生產(chǎn)等各個方面逐步完善，并成功推出閃存產(chǎn)品。

另外，長江存儲8月公開發(fā)布了全新3D NAND架構(gòu)XtackingTM。據(jù)介紹，該技術(shù)將為3D NAND閃存提高I／O高性能、存儲密度，縮短產(chǎn)品上市周期。目前長江存儲已將該技術(shù)應用于到第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)，預計2019年進入量產(chǎn)階段。

但我們也應該看到，無論是對紫光存儲還是紫光國芯來說，在DRAM上面的推薦依然嚴峻。

和NAND Flash一樣，國內(nèi)的DRAM之前也近乎一片空白，目前雖然有合肥長鑫、晉華集成和紫光在這方年投入。但可以看到，三星、美光和海力士已經(jīng)占據(jù)了全球96％的DRAM芯片市場份額。在技術(shù)方面，也同樣走在前面。

資料顯示，以上三家廠商的DRAM已經(jīng)進入了1X時代。但這些工藝已經(jīng)推進非常困難。按照DIGITIMES顧問林育中的說法，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚巨、所得什微的最后努力。而根據(jù)Pacific Crest Securities的資料顯示，要實現(xiàn)先進技術(shù)的DRAM工藝每月10000wafer的產(chǎn)量，需要投入6億美元的成本。而同等工藝的NAND只需要4．5億美元。

再考慮到三星、SK海力士和美光有可能依靠DRAM市場的影響力，對國內(nèi)廠商圍追堵截。再加上技術(shù)授權(quán)方面的問題，國內(nèi)的DRAM發(fā)展前景嚴峻。