據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4052 邁入2020年，DRAM模組及NAND Flash終端產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)上漲，與存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)之間的溢價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大，包括威剛、十銓、廣穎等存儲(chǔ)模組廠對(duì)2020年?duì)I運(yùn)展望樂觀，而且看好2020年獲利表現(xiàn)
2020-01-15 09:36:014993 納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤(rùn)，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:421340 根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場(chǎng)謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 08:14:093440 紫光旗下同方國(guó)芯提出私募 800 億元人民幣的增資案，用于 Flash 產(chǎn)業(yè)。本篇報(bào)告分析中國(guó)和國(guó)際在 NAND 的現(xiàn)況和計(jì)畫，討論中國(guó)在 NAND 的發(fā)展機(jī)會(huì)。
2016-04-18 11:05:393351 25年來(lái)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)一直在等待更好的技術(shù)出現(xiàn)。目前市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)器是DRAM和NAND Flash，有可能席卷目前兩種主流存儲(chǔ)器的NRAM近日有了最新消息。有業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為遲到總比缺席好，那么這種技術(shù)的發(fā)展有何特點(diǎn)？能否挑戰(zhàn)目前根深蒂固的存儲(chǔ)技術(shù)呢？
2017-01-27 03:08:001226 存儲(chǔ)供應(yīng)緊俏，業(yè)者獲利直線上沖，口袋賺飽。外資警告，廠商砸錢增產(chǎn)，DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能會(huì)在今年年中觸頂。
2017-02-09 07:11:191092 
全球存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進(jìn)行，美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù)，計(jì)劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù)，正尋求相關(guān)買家，全力沖刺DRAM及3D NAND Flash，傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。
2017-02-13 09:12:001222 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
根據(jù)CINNO Research從存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長(zhǎng)持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開始增溫以及服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心建置持續(xù)暢旺。
2018-05-05 09:48:445008 
營(yíng)收達(dá)71.1億元，較前一季成長(zhǎng)9.51%；全年?duì)I收達(dá)255.82億元，年減18.65%。 展望第1季，威剛表示，在上游庫(kù)存壓力減弱、市場(chǎng)需求提前布局下，第1季NAND Flash價(jià)格穩(wěn)健向上態(tài)勢(shì)不變，DRAM
2020-01-08 08:08:002990 2月份DRAM與NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲，DRAM上漲最主要的動(dòng)力來(lái)自于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心正在快速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強(qiáng)勁。
2020-03-10 10:39:541182 步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
同于DRAM的存儲(chǔ)技術(shù)。首先，FLASH存儲(chǔ)器中的每個(gè)位都由單個(gè)晶體管組成，但是這些晶體管具有稱為浮柵的特殊層。通過(guò)使用量子隧道將位存儲(chǔ)在FLASH存儲(chǔ)器中，以將電子捕獲在浮柵層中，這使晶體管或多或少具有
2020-09-25 08:01:20
，NAND FLASH 負(fù)責(zé)其他數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，一小一大兩個(gè)存儲(chǔ)空間，組合拳配合得天衣無(wú)縫。即：用小容量的Nor Flash存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，比如uboot，系統(tǒng)啟動(dòng)后,初始化對(duì)應(yīng)的硬件，包括SDRAM等，然后將
2020-11-19 09:09:58
發(fā)展趨勢(shì)漸漸明朗。據(jù)了解，美光公司第二季度比特出貨量大增68%，而第一季度增長(zhǎng)率只有個(gè)位數(shù)。美光與英特爾之間的產(chǎn)能協(xié)議修訂之后，美光也從中受益。修改后的協(xié)議使美光占合資企業(yè)NAND產(chǎn)量
2012-09-24 17:03:43
金屬互連在今后的技術(shù)發(fā)展中會(huì)面臨很多的問(wèn)題,但是通過(guò)采用如銅布線、低無(wú)的介質(zhì)材料和電路設(shè)計(jì)的布局優(yōu)化,金屬互連仍然在電路系統(tǒng)的互連中扮演重要的角色,光互連的實(shí)用化還需要走很長(zhǎng)的路。
2016-01-29 09:23:30
互連一提出,就要求其工藝與現(xiàn)有的工藝相兼容。表面上看是對(duì)工藝的要求,實(shí)質(zhì)上是出于成本的考慮。因?yàn)楣杌募呻娐泛芷毡?而且工藝比較成熟,所以,讓光互連的工藝向其靠攏是所當(dāng)然的。為了進(jìn)行高密度的互連,結(jié)合當(dāng)前光互連的發(fā)展水平,目前仍然是將一族的光電器件混合集成在基板上,單片光電集成電路的實(shí)用還在研究階段。
2016-01-29 09:21:26
本文簡(jiǎn)要分析了光伏逆變器的技術(shù)發(fā)展路線，重點(diǎn)分析了未來(lái)逆變器技術(shù)發(fā)展的和方向，給出了微電網(wǎng)逆變器的技術(shù)特點(diǎn)和典型應(yīng)用案例。 在光伏產(chǎn)業(yè)興起之前，逆變器或者逆變技術(shù)主要被應(yīng)用到了如軌道交通，電源
2018-09-25 10:38:25
效應(yīng)光開關(guān)克爾效應(yīng)，亦即由光強(qiáng)度通過(guò)材料中的三階光非線性度直接控制折射率，逐一提供光信號(hào)的直接控制。它支撐著在目前還是研究課題的甚高速光邏輯器件的技術(shù)發(fā)展?，F(xiàn)在能很輕易產(chǎn)生的甚短(fs)、甚強(qiáng)的多種光
2013-11-15 09:23:51
Win。 “按銷售額衡量，美光迅速成為最大的CMOS圖像傳感器制造商，而且利潤(rùn)率也高于任何把圖像傳感器作為一項(xiàng)業(yè)務(wù)加以報(bào)告的上市公司?！盇merican Technology Research
2018-11-20 16:03:30
大家好，我是應(yīng)屆碩士畢業(yè)生，最近拿到美光的 flash 產(chǎn)品工程師的offer，另外還有其它offer，但是不知道美光的產(chǎn)品工程師具體是做什么工作的，發(fā)展前景如何？弱弱的問(wèn)一下，請(qǐng)了解情況的幫忙指點(diǎn)一下，非常感謝。
2012-01-01 16:48:15
應(yīng)用興起，除eMMC之外，美光也將推出EZ-NAND應(yīng)用，瞄準(zhǔn)可攜式產(chǎn)品和消費(fèi)性電子，未來(lái)NAND Flash技術(shù)更將演進(jìn)至Sub-25奈米和10奈米制程，并發(fā)展CTF架構(gòu)技術(shù)。在2006~2007期間
2022-01-22 08:05:39
NAND Flash市場(chǎng)上，美光與英特爾(Intel)合資成立IM Flash，讓此陣營(yíng)的NAND Flash技術(shù)領(lǐng)先，2009年美光全球NAND Flash市占率首度趕過(guò)南韓的海力士(Hynix)，躋身
2022-01-22 08:14:06
數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等領(lǐng)域需求持續(xù)強(qiáng)勁，主要受惠于AI和新服務(wù)器CUP平臺(tái)所驅(qū)動(dòng)，2021下半年需求將優(yōu)于上半年，對(duì)DRAM和NAND Flash需求都將保持增加的趨勢(shì)。其次，是手機(jī)市場(chǎng)和筆記本市場(chǎng)，5G
2021-12-27 16:04:03
PCI Express是如何推動(dòng)虛擬儀器技術(shù)發(fā)展的？求解
2021-05-12 07:07:23
可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接
2015-11-04 10:09:56
爾必達(dá)（Elpida）陣營(yíng)的新增產(chǎn)能是否順利去化，將牽動(dòng)DRAM價(jià)格走勢(shì)，是重要的觀察指標(biāo)。他說(shuō)，爾必達(dá)陣營(yíng)制程技術(shù)推進(jìn)至63奈米，7月產(chǎn)出將大量增加，加上美光陣營(yíng)的南科、華亞科也導(dǎo)入50奈米，下半年
2010-05-10 10:51:03
FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash
2018-08-09 10:37:07
同行。本文就LDI曝光與傳統(tǒng)CCD曝光技術(shù)的差異進(jìn)行分析。一.光成像制程定義：利用UV光或激光將客戶需要之影像轉(zhuǎn)到基板干膜上，使干膜發(fā)生聚合交聯(lián)反應(yīng),使其圖形轉(zhuǎn)移到板面上，搭配后段處理工序，以完成客戶
2020-05-18 14:35:29
，大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前美
2018-09-20 17:57:05
數(shù)控技術(shù)的特點(diǎn)是什么？人工智能和計(jì)算機(jī)技術(shù)對(duì)數(shù)控技術(shù)發(fā)展的影響有哪些？數(shù)控技術(shù)在加工機(jī)械中的應(yīng)用是什么？
2021-11-01 07:40:54
集成無(wú)源元件技術(shù)可以集成多種電子功能，具有小型化和提高系統(tǒng)性能的優(yōu)勢(shì)，以取代體積龐大的分立無(wú)源元件。文章主要介紹了什么是集成無(wú)源元件？集成無(wú)源元件對(duì)PCB技術(shù)發(fā)展產(chǎn)生了什么影響？
2019-08-02 07:04:23
光通信技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)是什么
2021-05-24 06:47:35
全業(yè)務(wù)時(shí)代的光傳送網(wǎng)技術(shù)是如何演進(jìn)的？
2021-05-28 06:55:31
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
新技術(shù)的出現(xiàn)與公司并購(gòu)推進(jìn)了無(wú)線傳感器技術(shù)的發(fā)展
2019-06-20 12:06:09
，汽車產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步仍然日新月異，企業(yè)將繼續(xù)面臨汽車產(chǎn)業(yè)內(nèi)外部環(huán)境不斷發(fā)生變化的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。文章所介紹的新能源汽車動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、特點(diǎn)、發(fā)展趨勢(shì)、存在問(wèn)題、建議及解決方案，因調(diào)研收集材料局限，分析僅為一己之言
2021-05-07 10:11:18
，降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash：
nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦
2023-05-19 15:59:37
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫(kù)，我對(duì)美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達(dá)200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
解決方案。為了推進(jìn)AiP技術(shù)在我國(guó)深入發(fā)展，微波射頻網(wǎng)特邀國(guó)家千人計(jì)劃專家張躍平教授撰寫封裝天線技術(shù)發(fā)展歷程回顧已饗讀者。
2019-07-17 06:43:12
本文以液晶顯示器技術(shù)為主軸，談?wù)勂矫骘@示器的技術(shù)發(fā)展與實(shí)驗(yàn)室中的研究方向。
2021-06-07 07:01:51
【作者】：姚穎穎;王曉艷;宮銘豪;梁晉春;張乃光;【來(lái)源】：《廣播電視信息》2010年03期【摘要】：本文分析了三網(wǎng)融合背景下廣電行業(yè)的業(yè)務(wù)發(fā)展趨勢(shì),并提出一種新業(yè)務(wù)技術(shù)——業(yè)務(wù)捆綁技術(shù),最后總結(jié)
2010-04-23 11:35:44
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
說(shuō)，是彌補(bǔ)部分工藝制程落后的不足，同時(shí)挑戰(zhàn)三星10 納米8 Gb DDR4 DRAM的最佳時(shí)機(jī)。拿下美光，清華紫光將得到DRAM、儲(chǔ)存型（NAND）快閃記憶體與編碼型（NOR）快閃記憶體技術(shù)，這將是中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展史上重要的紀(jì)事。這一切，或在后面的時(shí)間里實(shí)現(xiàn)！`
2016-07-29 15:42:37
人類的四大發(fā)明之一,作為高新技術(shù)的重要組成部分,是20世紀(jì)科學(xué)技術(shù)發(fā)展的重要標(biāo)志和現(xiàn)代信息社會(huì)光電子產(chǎn)業(yè)的重要支柱。人們認(rèn)為21世紀(jì)已進(jìn)入光電子時(shí)代,作為能量光電子的激光技術(shù)的進(jìn)一步廣泛應(yīng)用,將極大改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)和生活。激全文下載
2010-04-24 09:03:13
升級(jí)?產(chǎn)業(yè)發(fā)展應(yīng)如何加快推進(jìn)?這一系列問(wèn)題受到業(yè)界的廣泛關(guān)注。各領(lǐng)域發(fā)展步伐不一行業(yè)各領(lǐng)域發(fā)展步伐不一，微型元件和光纖產(chǎn)品呈現(xiàn)良好發(fā)展態(tài)勢(shì)，而磁性材料與器件行業(yè)持續(xù)下滑。從今年中國(guó)電子元件行業(yè)運(yùn)行
2013-12-25 16:12:54
隨著網(wǎng)絡(luò)帶寬的提升和資費(fèi)下降，網(wǎng)絡(luò)視訊技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品成本降低，電話視頻會(huì)議的用戶群體不斷增加，市場(chǎng)規(guī)模日益擴(kuò)大。隨著IP技術(shù)的不斷成熟和IP成本的大幅度降低，基于IP的硬件視頻會(huì)議系統(tǒng)已經(jīng)成為
2019-04-23 17:24:50
自動(dòng)化測(cè)試技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)展望分析，不看肯定后悔
2021-05-14 06:50:31
據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，閃存技術(shù)的特性使其相對(duì)于許多計(jì)算機(jī)技術(shù)而言發(fā)展得更迅猛。 Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同，可以分為兩種：Nor Flash和Nand Flash。Nor Flash
2023-02-17 14:06:29
請(qǐng)問(wèn)一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實(shí)就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
現(xiàn)在國(guó)家大力推進(jìn)兩化融合智慧制造。跟軟件技術(shù)發(fā)展是不是很有關(guān)系？在線等回復(fù)
2015-07-28 17:38:16
通信直流開關(guān)電源產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展概述 通信直流開關(guān)電源產(chǎn)品技術(shù)是一項(xiàng)應(yīng)用性的技術(shù),其涉及到多個(gè)學(xué)科和領(lǐng)域的基礎(chǔ)技術(shù),例如電子器件技術(shù)、電力電子變換技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、工藝制造技術(shù)等
2010-06-24 11:03:15
高速球是什么？有什么技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)？
2021-05-31 06:01:36
NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC？
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:271430 2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化
NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有
2010-01-27 09:47:59483 總結(jié)2012年DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市場(chǎng)值得持續(xù)關(guān)注的五大重點(diǎn)趨勢(shì)
2013-01-10 11:30:041127 NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析
2016-03-17 14:14:01
37 引言 NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（ PDA）、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:527 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科（2408）日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏（2337）在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨（29）日登上成交金額之首。
2018-06-22 15:45:001233 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后，NAND閃存（flash）市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過(guò)于求了，從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063570 
當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片主要是DRAM和NAND Flash，三星占有DRAM約45%的市場(chǎng)份額，在NAND Flash市場(chǎng)則占有近四成的市場(chǎng)份額，并且其在技術(shù)方面也具有優(yōu)勢(shì)，引領(lǐng)著行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
2018-09-21 15:02:351540 你如果問(wèn)當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng)，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過(guò)，在內(nèi)存天下三分的大背景下，新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D
2018-09-29 16:05:515499 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 先前反壟斷局針對(duì)DRAM三大業(yè)者，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開反壟斷嫌疑調(diào)查，據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落，調(diào)查與開罰的理由，也從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:513297 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:553185 不論是DRAM或NAND Flash，現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限，這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺(tái)架構(gòu)的前提下找到新的解決方案，IntelOptane等次世代存儲(chǔ)器近年來(lái)廣受討論。
2019-05-21 16:47:12722 作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會(huì)，在大會(huì)中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:353984 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 12 月 9 日訊，2020 年 SK 海力士將進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，為實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理，會(huì)將 DRAM 和 NAND Flash 兩大開發(fā)部門整合在一起。
2019-12-10 10:59:591721 一小段上升期。隨著5G通信和AI技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心將繼續(xù)增長(zhǎng)。2020年中國(guó)新增數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)容量將占全球新增量的50%左右。 2020年更多創(chuàng)新技術(shù)及成熟技術(shù)將在數(shù)據(jù)中心中被廣泛采用。服務(wù)器芯片NAND FLASH也出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。5G通信和人工智能的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心將進(jìn)一步
2020-03-25 16:12:05854 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
的逐漸普及，NAND FLASH 市場(chǎng)份額一度擴(kuò)張明顯，而NOR FLASH市場(chǎng)略有收縮。而疫情帶來(lái)的影響仍在持續(xù)，平板電腦的銷量仍然呈現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，兩種FLASH都是必不可少的關(guān)鍵配件之一。以及
2020-11-28 11:38:273049 
最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 上周，美光科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到，可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來(lái)幾個(gè)季度的NAND和DRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:172554 Flash控制器正成為一種趨勢(shì)。 本文討論了Flash Memory的兩種主流實(shí)現(xiàn)技術(shù)即NAND Flash和NOR Flash 的特點(diǎn)和區(qū)別，分析了市場(chǎng)上存在的NAND Flash的典型規(guī)格及其
2021-03-29 10:07:0819 1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 本文將分析工控安全技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀，盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)外工控安全主流廠商發(fā)展態(tài)勢(shì)，分析我國(guó)工控安全市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀，展望未來(lái)工控安全技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用趨勢(shì)。
2023-05-25 10:42:082736 
家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及展望
2023-07-12 15:04:3911 不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來(lái)的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長(zhǎng)。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 巖土工程中的振弦采集儀技術(shù)發(fā)展與前景展望 河北穩(wěn)控科技振弦采集儀是一種常用的巖土工程監(jiān)測(cè)儀器，用于測(cè)量土壤或巖石的振動(dòng)特性。隨著巖土工程領(lǐng)域的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步，振弦采集儀技術(shù)也得到了不斷的發(fā)展和改進(jìn)
2024-03-01 10:57:37104 
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