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電子發燒友網>存儲技術>中國在3D NAND存儲器領域取得標志性進展

中國在3D NAND存儲器領域取得標志性進展

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2019-10-01 17:23:002612

余少華:5G標志性新的應用和設備是什么,如何取得成功應用

11月20日,在世界5G大會“2019未來信息通信技術國際研討會”上,中國工程院院士、信息與通信網絡技術專家余少華表示,標志性應用和設備是5G成功的關鍵。
2019-11-20 14:50:492166

長江存儲存儲巨頭們發起挑戰,3D NAND實現突破性的創新

長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷,作為國家重點打造的存儲器大項目,經歷多年的研發,終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰。
2019-11-29 15:39:052849

美光即將量產第四代3D NAND存儲器 層數達到128層

美光在二季度財報電話會議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃,美光將于 2020 Q3 采集開始生產,并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型,第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542

美光發布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599

未來的3D NAND將如何發展?

NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著 2D NAND 容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330

不要過于關注3D NAND閃存層數

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766

西安國家新一代人工智能創新發展試驗區建設

基礎前沿理論研究取得標志性成果。在類腦智能計算、群體智能、大數據智能、跨媒體智能、自主協同控制與優化決策、智能計算芯片與系統等基礎前沿理論研究領域取得明顯進展,形成標志性科技成果10個以上。
2020-12-11 15:41:231896

中國首次實現按需式讀取的可集成固態量子存儲器

中國科學技術大學郭光燦院士團隊李傳鋒、周宗權研究組在量子存儲領域取得重要進展,首次實現按需式讀取的可集成固態量子存儲器
2021-01-06 10:47:20554

騰訊云5G網絡方案在電競領域迎來標志性落地

在騰訊電競2021天美電競項目計劃發布會上,深圳電競制作中心正式成立并啟用,成為騰訊云5G網絡方案在電競領域的一次標志性落地。
2021-02-26 12:23:121694

存儲器迎來怎樣的2023?

存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。2001年,許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637

機器學習發展歷程中不同時期的標志性事件有哪些

機器學習發展歷程中不同時期的標志性事件有哪些 機器學習是人工智能領域的一個重要分支,隨著數據科學和計算能力的不斷提升,機器學習在過去幾十年里取得了巨大的進展。從早期基于符號邏輯的機器學習模型到現在
2023-08-17 16:30:19933

NAND Flash存儲器的基礎知識

隨著信息技術的飛速發展,數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢,在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

有了2D NAND,為什么要升級到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲技術(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲器)的一種。
2024-03-17 15:31:39279

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