電動汽車電池系統方面的耐久性，換個說法就是耐久性方面的考慮。原則上，就是需要在考慮使用時間、使用公里數、使用條件和使用環境等條件下，輸入給電池系統一個等效的負荷環境。
2017-06-06 15:24:10
1963 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，已有對傳統非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5433資料下載內容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應用范圍MAX5433內部方框圖MAX5433極限參數MAX5433典型應用電路
2021-04-02 07:32:20
0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機/睡眠電流規格與EEPROM的待機/睡眠電流規格差不多。有功電流中的差異對功耗產生巨大影響，特別是當應用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
傳輸數據。我們想知道是否需要對數據包采用前向糾錯，因為我們不確定EEPROM的可靠性。該數據表引用了1,000,000個周期的“最大寫入耐久性循環耐久性”。這個數字是否意味著在預期發生單個故障之前
2019-07-26 16:36:20
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C時的泄漏電流小于55mA，相當于每比特的漏電流僅為1.7E-12A。對于32Mb數據，它具有100K個循環的耐久性，而對于1Mb的數據可以>1M個循環。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數據。FN隧道技術的主要優勢在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
和傳統的SRAM直接替換。FRAM產品具有RAM和ROM優點，讀寫速度快并可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點，訪問次數是有限的，超出限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
?！备咴瓢雽w全球市場副總裁兼中國區銷售總監黃俊先生表示，“GW1N系列器件可滿足消費類電子、視頻、安防、工業物聯網、有線/無線通信等不同市場的智能連接、接口擴展等需求。通過GW1N系列產品，高云半導體可以向用戶提供高安全性、單芯片、低成本、小薄封裝等優勢的最優化非易失性FPGA解決方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
連接器的基本性能可分為三大類：即機械性能、電氣性能和環境性能。 另一個重要的機械性能是連接器的機械壽命。機械壽命實際上是一種耐久性（durability）指標。它是以一次嚙合、分離為一個循環，以在規定的嚙合、分離循環后連接器能否正常完成其連接功能（如接觸電阻值）作為評判依據。
2019-10-08 14:28:18
寫或讀高耐久性閃存（在這種情況下，我讀/寫從0x7f0到0x7FF）。我正在使用最新版本的代碼配置器生成的讀/寫函數。這聽起來像是我遺漏的“常見”功能嗎？謝謝，塞爾吉奧
2019-10-21 13:01:27
PSoC? 6 中嵌入式閃存的正確最低耐久性是多少？
PSoC? 6 的數據表聲稱閃光燈耐久性至少為 100k 次。
TRM 聲稱續航時間為 10k 個周期。
請參閱第 6.5 節 62x7 數據表
2024-02-26 06:46:06
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
，比較是否一致，一致則計數”。然后重復測N次得到非易失性的有效讀寫次數。但是又不能直接拿STM32的引腳來驅動FRAM芯片的VCC，又不能老是手動斷電上電這么來測，這下有點找不準方向了。想知道論壇里面各位大神有沒有什么好的測試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
嗨，哪里可以獲得有關X射線輻射損傷的設備耐久性和X射線輻射損傷的KRads總劑量閾值的信息，我需要在這些設備上具有高度重要性的信息：1 .SPARTAN2 2.5V FPGA 150,000
2019-05-15 14:18:56
低功耗應用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩健統一的存儲器架構，從而可簡化安全系統設計。
2019-07-08 06:03:16
通信通道安全的加密數據（如安全密鑰及密碼等）等。最新低功耗微處理器(MCU)集成降低安全應用成本與功耗所需的高性能以及各種特性，可幫助開發人員為低功耗應用提高安全性。此外，它們還采用非易失性FRAM替代
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在類似如上所述的系統中，FRAM 可帶來多種優勢。 結合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
連接器的基本性能可分為三大類：即機械性能、電氣性能和環境性能。 另一個重要的機械性能是連接器的機械壽命。機械壽命實際上是一種耐久性（durability）指標。它是以一次嚙合、分離為一個循環，以在規定的嚙合、分離循環后連接器能否正常完成其連接功能（如接觸電阻值）作為評判依據。
2019-10-24 09:02:11
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
本文介紹了汽車PCM耐久性測試系統的整體設計思路和測試規范，重點討論了關鍵子系統的設計原理，并通過原型樣機對幾種PCM模塊長久性測試，驗證了該系統的可靠性和通用性。
2021-05-17 06:53:06
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
非易失性寫入性能優于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲器
2020-09-28 14:42:50
`MSP430FR5969 LaunchPad不僅支持最新發布的、采用集成型非易失性 FRAM 存儲器技術的 MSP430FR5969MCU, 而且具有業界最低功耗！我們即將舉辦一場相關超低
2014-07-16 12:35:33
隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設集，面向各種感應和測量應用。該架構、FRAM和外設，結合大量低功耗模式，可以延長
2021-11-03 07:28:04
上。此設計工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測量2.9uA 待機電流非易失性片上 FRAM 實時存儲支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監視器此終端設備設計已經過測試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
和閃存）結合起來。鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結晶體。 FRAM的結構FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
儲的信息。優勢與傳統存儲器相比，FRAM具有下列優勢：非易失性即使沒有上電，也可以保存所存儲的信息。與SRAM相比，無需后備電池（環保產品）更高速度寫入像SRAM一樣，可覆蓋寫入不要求改寫命令對于擦/寫操作
2014-06-19 15:49:33
提出了一種基于VB 串口通信的電動天窗耐久性測試系統的軟硬件實現方案。該系統包括PC 機構成的上位機和單片機構成的下位機。上位機提供了良好的人機交互界面；下位機采用集
2009-09-21 11:20:39
21 燈具耐久性試驗設施設計方案
摘要：文章根據標準GB7000.1-2007《燈具 第一部分：一般要求與試驗》標準12.3 規定和附錄K 中的要求，介紹了燈具耐久性試驗設施的
2010-04-14 15:59:4139 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
在我國現行的國家標準中對各類產品的質量要求，除對產品本身的基本性能有規定外,耐久性（壽命）試驗是其主要考核指標。許多產品在質量標準中都對工作壽命作出了確規
2010-07-17 16:04:3010 ：低功耗模式寫入工作，實現相同的讀/寫通信距離。? 大容量內置存儲單元：記錄信息于電子標簽，實現追溯應用所需的大容量內存單元。? 讀寫工作高耐久性：保證最高1萬億次
2023-12-27 13:53:33
模擬童車路況試驗機-耐久性試驗機設備簡介： 本機依據CNS手推嬰兒車動態耐用試驗規范制作。測試方法為 ：置模型嬰兒于車臺中，將車臺固定于測試臺上，調整輸送帶 速度1.4±0.1m/sec
2024-02-01 10:22:29
和DRAM這些傳統易失性存儲器的級別。而且，FRAM的讀/寫耐久性能遠遠優于EEPROM和Flash存儲器。EEPROM和Flash存儲器能寫入大約100萬次（106次），FRAM最高可寫入1013次，或者說寫入次數可以達到前兩種存儲器的1000萬倍以上。
2017-03-29 11:46:291659 
提出了一種基于VB串口通信的電動天窗耐久性測試系統的軟硬件實現方案。該系統包括PC機構成的上位機和單片機構成的下位機。上位機提供了良好的人機交互界面；下位機采用集成電路，以及信號采樣
2017-09-06 15:10:375 我國首例自主研發的超越5000小時耐久性的 燃料電池 產品,日前完成壽命測試和整車應用驗證。該產品突破了制約我國燃料電池汽車商業化應用發展的瓶頸，在耐久性、可靠性和產品一致性上取得重大進展。 作為
2018-03-25 09:57:005226 本文首先介紹了耐久性試驗的概念，其次介紹了耐久性試驗的目的及耐久性試驗標準，最后介紹了電子設備耐久性試驗的基本步驟。
2018-05-14 09:27:597640 富士通半導體利用FRAM的高速寫入，高讀寫耐久性（多次讀寫次數）特長， 提供RFID用LSI以及應用于電子設備的FRAM內置驗證IC產品。富士通提供使用無限接口的FRAM內置RFID用LSI。富士通產品
2020-05-21 14:01:03751 手機翻蓋耐久性測試即將待測翻蓋手機重復開合預設的次數，然后觀察手機的各部分性能是否完好，這在翻蓋手機的生產過程中是相當重要的一環。以往采用氣動方式的系統運行速度較慢（約為每2秒1次）且操作界面不夠
2020-07-21 11:38:12520 
是具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。本篇文章主要介紹關于FRAM的耐久性。 SRAM具有無限的耐久性，可以無限地對其進行讀寫。FRAM具有高（數量），將應用程序限制為讀取或寫入單個字節不超過指定的周期數。緩解的最佳方法是通過設計知道
2020-10-19 14:22:59626 UV膠粘接耐久性 UV膠粘接力是UV膠水各項性能中相當重要的一項，而提高UV膠水粘接的耐久性是粘接技術面臨的重要任務，也是結構連接的的可靠保證。AVENTK作為UV膠水生產廠家，在UV膠水領域已有
2020-12-23 15:10:572341 內存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數據完整性的應用程序，內存耐用性是關鍵的系統性能特征和設計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 
獨特性能成就技術“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 為研究季節性凍土地區髙鐵路基水泥穩定碎石基床長期凍融循環耐久性，將宏觀試驗與結構內部微元體的損傷發展相結合，建立了基于 morgan-Mers- Flodin（MMF）模型的高鐵路基水泥穩定碎石
2021-04-19 10:58:564 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢
2021-05-04 10:17:001850 
監控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設計。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。 FRAM在電池管理系統BMS應用 高燒寫耐久性，高速寫入操作： ?系統每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
存儲器的性能和耐久性設計，這些要求使FRAM成為理想的存儲選擇。 FRAM在Car Infotainment中的應用 高速燒寫，高讀寫耐久性： 系統經常會會受到發動機關閉，導航，倒車攝像或電話進入時的干擾，高端的car infotainment需要實時記錄當前狀態，并在干擾之后回復當前
2021-05-04 10:15:00290 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 仍有最大訪問（讀）次數的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個優勢： 1、壽命，讀寫的次數比較多， EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 是一款非易失性存儲器產品，與傳統的非易失性存儲器相比，具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優點。 ? 近日富士通半導體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666 
鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 熱量表的耐久性是熱量表使用壽命的重要指標，通過對熱量表的冷熱交變沖擊4000次后測試其計量特性，還可推斷出基表材質等對測量精度的影響，從而選定更適應于熱量表應用環境的材質。早期通過超聲波熱量表常溫
2022-10-11 09:59:46384 FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
本文將探討戶外儲能電池的可靠性和耐久性設計，以確保其在使用過程中具備高效、安全和長壽命的特點。
2023-08-08 13:50:06380 人工心臟瓣膜耐久性能測試儀技術參數 覲嘉 一、人工心臟瓣膜耐久性能測試儀設備特點 1、可同時測試不同尺寸規格的多個瓣膜，最多可同時測試6個樣品 2、可選擇6組以上測試樣品 3、加速測試頻率下提供增強
2023-12-04 15:13:23148 
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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