通過(guò)外部引腳可配置BOOT從SRAM中啟動(dòng)，上電過(guò)程SRAM沒(méi)有初始化，BOOT從SRAM啟動(dòng)的作用是什么，這個(gè)我不能理解。
我想實(shí)現(xiàn)所有程序都在SRAM中運(yùn)行，有沒(méi)有實(shí)現(xiàn)的方法？
2024-03-12 07:30:49
FX3自帶SDK中的例程GPIF ii sram-master：讀寫(xiě)sram指令中的地址由狀態(tài)機(jī)中的地址計(jì)數(shù)器來(lái)決定，請(qǐng)教一下如何在FX3固件代碼中指定讀寫(xiě)sram的地址，可否提供一個(gè)例程或相關(guān)文檔
2024-02-27 07:20:24
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開(kāi)始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開(kāi)始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
190 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 
FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開(kāi)關(guān)周期后維持鐵電開(kāi)關(guān)電荷的非易失性部分的能力。
2024-02-19 10:21:1779 
什么是串口？什么是并口？串口與并口有什么區(qū)別？ 串口和并口都是計(jì)算機(jī)與外部設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌冢鼈冎g存在一些重要區(qū)別。在下面的文章中，我將詳細(xì)介紹串口和并口的定義、工作原理、特點(diǎn)以及它們之間
2024-02-02 15:33:00685 當(dāng)我發(fā)送讀取請(qǐng)求或 RDID 請(qǐng)求時(shí)，我沒(méi)有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯(cuò)了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
您能告訴我 PSoC? 4中SRAM陣列的數(shù)據(jù)保持電壓?jiǎn)幔?我想知道在 VDD 電源電壓下降或上升時(shí) SRAM 可以保留數(shù)據(jù)的最小電壓。
MPN： PSoC? 4100S Max/CY8C4148AZI-S555
2024-01-19 06:08:12
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171 
描述：AT32F403A引腳比較緊張，XMC（類(lèi)似于STM32 FSMC）只支持復(fù)用模式，就是A0-A15和D0-D15都用一個(gè)引腳，如果要用，只能用鎖存器將地址鎖存，實(shí)現(xiàn)地址線和數(shù)據(jù)線的分離，目前
2024-01-04 10:46:19
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入：可提高數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
我用AD7663做16位并口數(shù)據(jù)采集，為什么在BUSY低情況下發(fā)CNVST低 BUSY不變高呢，但BUSY會(huì)安自己的周期變高變低。
2023-12-25 07:58:21
某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊(cè)的描述，配置了相應(yīng)的比特位，但是發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然保持不了。
2023-12-20 09:31:27374 
大家好！AD7606既可以串口通信也可以并口通信，但是如果并口通信使用SPI接口應(yīng)該怎么接呢？DOUTA，DOUTB應(yīng)該怎么和SPI的輸入輸出相接呢？謝謝了！
2023-12-19 07:29:54
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫(xiě)操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39500 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46416 西門(mén)子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說(shuō)， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過(guò)去，我們對(duì) SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 請(qǐng)問(wèn)AD7606采用并口輸出數(shù)據(jù)正確，但數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯(cuò)位。例如，V1~V2，V1~V6;或V3~V8，V1~V2,這種現(xiàn)象是什么原因造成的啊？我是掛在STM32F407的FSMC總線上。
2023-12-13 06:42:09
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635
以上兩圖分別為AD2S1210并口配置模式下寫(xiě)時(shí)序和普通模式下讀時(shí)序
請(qǐng)問(wèn)這兩個(gè)圖中的CLKIN是什么時(shí)鐘？并口通訊的時(shí)候需要用時(shí)鐘嗎？
我的理解是，
并口配置模式下寫(xiě)寄存器，控制信號(hào)用nCS
2023-12-04 06:00:23
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒(méi)有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無(wú)線射頻識(shí)別芯片
2023-11-09 13:59:01431 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于隔離電路的并口設(shè)備數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-06 16:23:34
0 AVR對(duì)片內(nèi)SRAM的訪問(wèn)需要多久？
2023-10-24 07:49:15
PSRAM/SRAM與XMC硬件連接的推薦方法描述了在AT32系列100引腳封裝芯片上以XMC連接PSRAM的硬件推薦方法，達(dá)到器件容易取得及價(jià)格合理的目標(biāo)。
2023-10-24 06:17:32
如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大小？
2023-10-20 07:39:21
AT32 部分型號(hào)有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當(dāng)零等待閃存使用完后，如果還有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數(shù)代碼。
2023-10-20 06:10:59
大家介紹一下適配的過(guò)程。
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驅(qū)動(dòng)程序
我們?cè)趍enuconfig中搜索fm25、pb85等比較常用的FRAM字眼，發(fā)現(xiàn)并沒(méi)有類(lèi)似的驅(qū)動(dòng)程序，這時(shí)就需要手寫(xiě)或者移植一個(gè)驅(qū)動(dòng)程序。在搜遍各大網(wǎng)站之后
2023-10-19 09:28:15
掉電后還能讀取到SRAM的數(shù)據(jù)嗎
2023-10-15 09:24:03
要怎么才能輸出一個(gè)并口通信
2023-10-11 06:07:08
STM8可以實(shí)現(xiàn)從SRAM啟動(dòng)程序嗎
2023-10-09 07:38:29
TAG調(diào)試電纜制作完成，實(shí)驗(yàn)板正確，并口發(fā)生錯(cuò)誤，實(shí)驗(yàn)板接上后發(fā)生短路，是什么原因？
2023-10-08 07:58:12
硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡(jiǎn)歷上寫(xiě)著，有過(guò)AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問(wèn)，那請(qǐng)你畫(huà)一下SRAM和DRAM的基本cell出來(lái)，然后簡(jiǎn)要說(shuō)一下工作原理及特點(diǎn)，但是沒(méi)能說(shuō)出來(lái)。
2023-10-01 14:08:002382 
GPMC并口簡(jiǎn)介
GPMC(General Purpose Memory Controller)是TI處理器特有的通用存儲(chǔ)器控制器接口，支持8/16bit數(shù)據(jù)位寬，支持128MB訪問(wèn)空間，最高時(shí)鐘
2023-09-30 23:43:29
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
FSMC外擴(kuò)SRAM數(shù)據(jù)之間是怎么傳送的？先保存在FSMC再傳送外擴(kuò)SRAM
2023-09-27 06:03:22
usb 轉(zhuǎn)25針并口的芯片電路有么
2023-09-25 06:04:58
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類(lèi)產(chǎn)品的用戶來(lái)說(shuō)，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度
2023-09-22 08:01:59496 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50922 
，例如處理接收到的數(shù)據(jù)
end
state <= 3\'b000; // 返回等待狀態(tài)
end
endcase
end
end
endmodule
我寫(xiě)了一個(gè)關(guān)于CPLD并口通信
2023-09-05 17:46:52
串口是一種按照比特（Bit）進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌冢看沃荒軅鬏斠粋€(gè)比特。而并口是一種按照并行方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌冢梢酝瑫r(shí)傳輸多個(gè)比特。
2023-09-05 16:08:285192
應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運(yùn)行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
應(yīng)用程序: 此示例使用 M487 SPIM 接口訪問(wèn) DMM 模式的外部 SRAM 。
BSP 版本: M480_BSP_CMSIS_V3.05.001
硬件: NuMaker-PFM-M487
2023-08-29 07:42:17
應(yīng)用: EBI SRAM 上的高空空間
BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000
硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會(huì)V1.0
2023-08-23 06:35:44
讓一顆SRAM型FPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類(lèi)似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
此前，CT掃描機(jī)控制系統(tǒng)的存儲(chǔ)器有使用能夠快速寫(xiě)入的SRAM芯片，而SRAM需要電池來(lái)保存數(shù)據(jù)，電池需要定期進(jìn)行更換。如果是用FRAM替換SRAM，就不用使用電池，因此可以減少維護(hù)成本，防止因電池
2023-08-11 11:18:20
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:32:461088 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
TFT屏的接口有SPI，8080/6800并口，RGB，MIPI等許多種，用在單片機(jī)上的一般就是前兩種。
2023-07-27 14:54:341260 本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測(cè)試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。
2023-07-07 09:58:03666 
IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 本篇應(yīng)用筆記目的是演示如何使用PC并口構(gòu)建一種快速、簡(jiǎn)單和經(jīng)濟(jì)的2-Wire(與I2C兼容)接口。本片應(yīng)用筆記專門(mén)為接收或者訂購(gòu)Dallas Semiconductor器件樣片且意識(shí)到他們需要
2023-06-09 17:08:57625 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《達(dá)拉斯DS1225Y FRAM適配器開(kāi)源.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-09 14:24:310 M7-0如何訪問(wèn)SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？ M7-0可以使用地址映射來(lái)訪問(wèn)SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF。具體來(lái)說(shuō)，可以使用 STM32F7系列內(nèi)置的 FMC
2023-06-01 18:18:45382 請(qǐng)問(wèn)HPM6300哪個(gè)外設(shè)能與FPGA高速并口通信？比如XMC之類(lèi)的接口？
2023-05-26 08:18:29
6750是否支持并行通訊，連接并口的ADC如AD7606
2023-05-26 07:47:43
對(duì)于我的項(xiàng)目，我使用帶有 EBTresos 的 S32K342 進(jìn)行配置和 Autosar OS。我面臨如下 sram內(nèi)存塊不適合 mcal_bss 段問(wèn)題。
鏈接 main.elf
2023-05-19 08:31:12
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 的片選管腳連接到了FSMC的NE4端口，RS管腳是用的A10，16位的并口，在cubemx中配置一下，時(shí)序配置（NOR/PSRAM timing）為1；15；0；A，寫(xiě)時(shí)序配置（NOR/PSRAM
2023-05-08 20:14:40
_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SRAM_SIZE / 4; i++) {
*pSRAM = ~*pSRAM;
pSRAM++;
}
/* 再次比較SRAM的數(shù)據(jù) */
err
2023-05-08 20:01:14
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
不久前，我從淘寶網(wǎng)上購(gòu)買(mǎi)了EPM240CPLD的開(kāi)發(fā)板，因?yàn)槲沂菙?shù)控技術(shù)愛(ài)好者，我嘗試了在它上面搭建一個(gè)與PC機(jī)進(jìn)行并口通信的實(shí)驗(yàn)板，該實(shí)驗(yàn)板在接受到并口信號(hào)后根據(jù)信號(hào)數(shù)值發(fā)送不同頻率的脈沖，并且
2023-04-23 14:34:36
AT32F423系列MCU最高主頻為150MHz，提供多達(dá)256KB Flash和48KB SRAM，包含1個(gè)高階外部?jī)?chǔ)存器(XMC)擴(kuò)展，兼容8080/6800模式作為L(zhǎng)CD并口。
2023-04-23 14:25:13164 
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹(shù)形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
AT32F423系列MCU最高主頻為150MHz，提供多達(dá)256KB Flash和48KB SRAM，包含1個(gè)高階外部?jī)?chǔ)存器(XMC)擴(kuò)展，兼容8080/6800模式作為L(zhǎng)CD并口。
2023-04-21 10:47:46196 
IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異
2023-04-21 08:31:29
[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動(dòng)并設(shè)置一個(gè)新項(xiàng)目，編譯后，我沒(méi)有任何錯(cuò)誤，SRAM
2023-04-20 09:06:04
芯片：MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個(gè)SRAM。但是當(dāng)SRAM_ITC_cm7用完時(shí)它不會(huì)使用下一個(gè)SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個(gè)SRAM，而是
2023-04-14 08:01:47
，并與FRAM兼容。兩種產(chǎn)品都使用標(biāo)準(zhǔn)的SRAM并行地址（A0-16），字節(jié)寬的雙向數(shù)據(jù)引腳（DQ0-7）和控制信號(hào)（/E，/W，/G）。每個(gè)模塊都可以由一個(gè)公共的定時(shí)接口支持，并且將用作隨機(jī)存取讀
2023-04-07 16:26:28
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來(lái)談?wù)凪emory Compiler，以及通過(guò)它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378519 在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM。RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡(jiǎn)單，更像是圖書(shū)館中用書(shū)架擺放書(shū)籍一樣，不但要放進(jìn)去還要
2023-03-30 14:15:533193 
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51588 
我正在尋找一些與 IMXRT1064 的外部 SRAM 使用相關(guān)的信息。例如，EVK 有 256Mbit 166MHz SDRAM。166MHz與使用過(guò)的SDRAM有關(guān)。我試圖找到 SEMC 控制器
2023-03-30 07:11:18
親愛(ài)的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問(wèn)題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
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