在我們的項目中，時常會有參數或數據需要保存。鐵電存儲器的優良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅動設計、實現及使用。
2022-12-08 14:56:55
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檢測、各種工程機械傾角測量等行業中的推廣和應用，要求傾角傳感器采集到的大量數據能夠在各種惡劣的工業控制環境和現場中得到有效的、完整的保存。海量數據存儲器的使用解決了我們對大容量采集數據的存儲；內置
2012-11-20 14:00:52
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。問題是，ROM明明叫只讀存儲器
2012-01-06 22:58:43
硬磁材料、環狀元件（4）光盤存儲器激光、磁光材料2.按存取方式分類（1）存取時間與物理地址無關（隨機訪問）隨機存儲器在程序的執行過程中 可讀可寫只讀存儲器 在程序的執行過程中 只讀（2）存取時間與物理地址有關（串行訪問）順序存取存儲器磁帶直
2021-07-29 07:40:10
首先討論HDD及其功能，并比較儲存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來的專欄中，我們將專門討論SSD，并探索在可預見的未來將持續發展的數據儲存趨勢。 儲存 vs 存儲器 電子數據
2017-07-20 15:18:57
存儲器存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。隨著技術的發展，CPU的速度變化迅速，但存儲器的速度增加得較慢。這使得計算機的速度在很大程度上受限于存儲器速度。為了解決這個問題，設計了
2022-01-19 06:35:54
技術的日趨成熟,存儲器價格會回穩.然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側.
2019-07-16 08:50:19
存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數據、運算的中間結果及最終結果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數據、運算的中間結果及最終結果等?！ ≈蛔x存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
操作時機可以為針對存儲器的多個訪問到達RAM的時間點。其中，上述RAM可以為裝置的內存條。應當理解，裝置在處理針對存儲器的訪問時，會先將該訪問加載到RAM中，再發送給存儲控制器，由存儲控制器從存儲器中提
2019-11-15 15:44:06
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內存中？問題三：F429的程序存儲器和數據存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
概述：FM25640是RAMTRON公司生產的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數，掉電數據可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達到5 MHz的總線速度，結構容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
，與芯片系統實現互通互連。外部存儲器始終被看作是 SL3 存儲器，并可在 L1 和 L2 中緩存。接下來的我們將探討在KeyStone 架構中實現的各種性能增強?！ ?b class="flag-6" style="color: red">存儲性能增強 C66x
2011-08-13 15:45:42
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構，該
2022-11-17 15:05:44
MSP430G2553單片機里的ADC10MEM存儲器怎么在IAR環境中說是只讀存儲器呢？怎么更改它的設置？
2013-11-26 17:22:09
SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供?！ RAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
125度的高溫環境下運作，專為汽車產業設計，符合嚴苛的汽車行業標準規范。FRAM 能支持：安全氣囊數據儲存、事故數據記錄器、新能源車 CAN 盒子、胎壓監測、汽車駕駛輔助系統、導航與信息娛樂系統等應用中
2017-08-18 17:56:43
~0x13FFF。 在本文的設計中按照下表來分配FRAM存儲器：根據上表的存儲器空間規劃可得出存儲器分配圖，如下圖所示：圖3.3 MSP430FR5969 FRAM 存儲器分配MSP430FR5969
2019-06-13 05:00:08
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲器(NVM)的最佳選擇，在大多數應用中，鐵電存儲器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
技術節點的新式存儲器機制和材料。目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器（PCM）就是其中一個最被業界看好的非易失性存儲器，具有閃存無法匹敵的讀寫性能和升級能力。在室溫環境中，基于第六族
2019-06-26 07:11:05
隨著電動汽車技術的發展，以及***的政策鼓勵與扶持，電動汽車（混動+純電動）以每年超過50%的速度高速增長，電池以及電池管理系統作為電動汽車的核心組件，其市場需求也獲得相應的快速增長。本文將就電池管理系統對存儲器的需求進行分析。
2019-07-30 06:46:09
功耗要求?！?b class="flag-6" style="color: red">在類似如上所述的系統中，FRAM 可帶來多種優勢。 結合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
數據存儲器（記錄儀）是一種超大容量的數據存儲設備。采用嵌入式系統控制芯片，將串口RS-232輸入的數據透明存儲在SD卡中。 該數據存儲器不需要用戶對現有設備進行改造，實現數據實時存儲?？蛇x擇鋰電池
2012-04-06 16:56:54
Flash類型與技術特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅動器？如何去設計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用？
2021-07-11 06:09:49
如今，有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術的強勁競爭者，直到FRAM的出現這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
汽車微控制器正在挑戰嵌入式非易失性存儲器（e-NVM）的極限，主要體現在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。在許多細分市場（例如：網關、車身控制器和電池管理單元）上，隨著應用復雜程度提高
2019-08-13 06:47:42
的同等閃存存儲器更?。ň唧w取決于設計要求）。 同時，我們期待這一交叉點能在 1T-1C 操作和未來工藝技術的簡化過程中得到改進。 3.此外，TI 目前尚未將汽車應用作為其嵌入式 FRAM 產品的目標
2018-08-20 09:11:18
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
可從全新的地點獲得更多的有用數據北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數據錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
TPMS技術及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調換輪胎時的重新定位問題？怎么實現外置編碼存儲器輪胎定位技術？
2021-05-14 06:13:50
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
MSP430FR2311這個單片機的fram存儲地址是什么還有如何設置
2021-06-06 18:21:25
。 隨著PCM存儲單元壓縮，發生狀態改變的GST材料體積縮小，所以可使功耗變小或更高的寫入性能。PCM技術的這種獨一無二的特性使得其縮放能力超越其它存儲器技術。PCM在嵌入式系統中的應用嵌入式系統中
2018-05-17 09:45:35
單片機中數據存儲器片內的地址是00--7FH，程序存儲器的片內地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
最近抽空參加了2013富士通半導體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
本文分別介紹了存儲器的分類、組成、層次結構、常見存儲器及存儲器的選擇，最后描述了計算機存儲器的一些新技術。存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據
2021-09-09 07:47:39
~0x13FFF。在本文的設計中按照下表來分配FRAM存儲器：地址范圍容量功能說明0x4400~0x63FF8KB代碼存儲器保存用戶代碼0x6400~0xE3FF32KB數據存儲器作為存儲器
2019-06-12 05:00:08
網絡存儲器技術是如何產生的？怎樣去設計一種網絡存儲器？
2021-05-26 07:00:22
繼《談談汽車芯片安全-上篇》之后，本文針對芯片安全存儲、FOTA、安全診斷、安全運行環境做了進一步闡述。1.安全存儲1.1 OTP存儲器一次性可編程存儲器(On Chip One Time
2022-02-14 06:21:17
、9uA就可以把數據寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數據到Flash等傳統存儲器里，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。從擦寫數據次數來看，一般存儲器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
遠高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業中,數據安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發展,保存的數據量越來越大,這就需要大容量的存儲器,而大容量的EEPROM性能指標不是很高,尤其是擦寫次數和速度影響電能表自身的質量。FM24C256在電能表中的使用,會提高電能表的數據安全存貯特性。
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
)；而NVRAM的價格問題又限制了它的普及應用。因此，工程人員在設計電能表的存儲模塊時，往往要花很大的精力來完善方案，才能使電表數據準確無誤的寫入存儲器中。由于所有的非易失性記憶體均源自ROM技術。你能
2014-04-25 11:05:59
的重要組成部分。該電表周期性地捕獲電力消耗和環境數據，并且在分配的時間間隙內，將數據存儲到非易失性存儲器中，從而可以計算和記錄數據。每個周期的時間間隙結束后，智能電子式電表將信息上載到與供應基礎設施
2021-07-12 07:26:45
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應用中。網上也有不少對FRAM技術的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網友總結的FRAM應用的心得，發布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:0014464 關鍵詞：FRAM , 存儲器 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業控制系統、工業自動化、關鍵任務空間
2018-09-28 15:56:01270 有新的技術出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲器外，還有鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0011607 
本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 FM24CL FRAM 存儲模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標板 FRAM外擴存儲
型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
高溫存儲器的詳解及推薦 存儲器根據不同的分類條件具有多種分類方式： 用途的不同可以分為內存(主存儲器)和外存(輔助存儲器) 存儲介質的不同可分為磁表面存儲器和半導體存儲器 存儲方式的不同可分為順序
2020-03-16 15:15:441447 青島智騰微電子主打的175度耐高溫大容量存儲器，具有高低溫下快速讀寫，可靠高、能優良等特點?？砷L期工作在-45℃～175℃的惡劣環境中。它綜合了高能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數據
2020-03-14 10:11:14632 高溫存儲器的詳解及推薦 存儲器根據不同的分類條件具有多種分類方式： 用途的不同可以分為內存(主存儲器)和外存(輔助存儲器) 存儲介質的不同可分為磁表面存儲器和半導體存儲器 存儲方式的不同可分為順序
2020-03-23 11:41:21941 相比于其他市場，汽車市場更為關注技術成熟度。目前FRAM在汽車行業的銷售數量已超過8億臺，技術已相當成熟，汽車行業的客戶完全可以對此放心無憂 為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 
125度的高溫環境下運作，專為汽車產業和安裝有電機的工業控制機械等設計，且符合嚴苛的汽車行業AEC Q100標準規范。希望通過該全新產品系列拓展其汽車市場的各種應用，并支持產品創新的研發項目。 FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長
2020-06-02 14:00:09941 FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 新型的存儲器既具有RAM的優點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產品同時擁有隨機存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節尋址的非易失性存儲設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優勢：低電壓運行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 燃料消耗。而在一些收集存儲數據的系統，系統的電壓可能變化不定或者突然斷電，FM20L08 就是針對這些系統可以用來直接替換異步靜態存儲器（SRAM）而設計的存儲器，也是 Ramtron 現有的最大容量的鐵電存儲器（FRAM），能夠進行無限
2020-11-25 11:45:0020 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:166108 相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824 
新能源汽車的核心技術，是大家所熟知的動力電池，電池管理系統和整車控制單元。而高性能存儲器FRAM將是提高這些核心技術的關鍵元件。無論是BMS，還是VCU，這些系統都需要實時和連續地對當前狀態信息進行
2021-05-04 10:18:00377 
富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器，FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域，以及醫療
2021-04-26 15:49:16689 
開發和量產及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優先存儲器選擇。 為什么這么說？這就要從FRAM的產品特性開始說起。FRAM的學術名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，
2021-05-11 17:17:09704 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經應用于IC卡和MCU中，預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點，符合科創板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107 FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 富士通FRAM是新一代非易失性存儲器，其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲器，性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
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