2022年，集成電路半導體行業最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖，成為行業發展的關鍵詞，也是群體焦慮。在全球市場，有人比喻EDA是“芯片之母”，如果沒有了芯片，工業發展和社會進步將處處受制，EDA的重要性也上升到了戰略性高度。盡管國際封鎖形勢嚴峻，但睿智的中國科技人擅于把危機化為機會，從《加快自主研發應用，讓工業軟件不再卡脖子》，到《破解科技卡脖子要打好三張牌》，即一要打好“基礎牌”，提升基礎創新能力；二要打好“應用牌”，加強對高精尖國貨的應用；三是要打好“人才牌”，讓人才留得住、用得上、有發展……，各種政策、舉措和實際行動，處處彰顯了我們中國科技的發展韌性。

我們EDA探索頻道，今天迎來了第25期的內容——Intel的工藝歷史，下面就跟著小編一起來開啟今天的探索之旅吧~

下表顯示了英特爾集成電路工藝發展的歷史。數值取自英特爾的各種文件，包括 IDF 演示文稿、ISSCC 文件和 IEDM 文件。需要注意的是，雖然我們做了大量工作盡量保證數值的準確，但英特爾公司自己文件中的某些數字仍有細微差別，因此可能存在差異。SRAM bitcell是高密度 6T bitcell，但在最初的幾個工藝中使用了較小的bitcell設計。此外，金屬層數是指消費類芯片（例如消費類手機和臺式機）的金屬層數；服務器型號使用的金屬層數要多得多。最后，從 45 納米節點開始，英特爾轉而使用高κ材料，因此顯示的氧化物厚度指的是等效氧化物厚度。

術語

幾十年來，英特爾一直使用相同的命名方案。所有工藝技術（包括封裝技術）都以?"P "開頭，然后是晶圓尺寸和工藝 ID。一般來說，工藝 ID 是一個自動遞增值，奇數值通常保留給 SoC 和 I/O（低功耗）設備，而偶數值則用于英特爾的高性能處理器產品線。

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SRAM微縮

就英特爾而言，從 2 um到 10 nm，SRAM 6T 位單元平均縮小了 0.496 倍，以遵循摩爾定律密度翻倍要求。實際上在 65 nm工藝節點之前，SRAM 的收縮幅度更大。還應注意的是，邏輯通常比典型的 6T SRAM 單元微縮更容易，因此隨著時間的推移，原始邏輯密度擴展得更大。不過，SRAM 的大小可能是典型邏輯單元密度的三到四倍。

編輯：黃飛

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