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電子發燒友網>存儲技術>緩沖/存儲技術>西部數據推出X4 3D NAND技術、進一步強化其在X4 2D NAND技術多級單元存儲領域業界領導地位

西部數據推出X4 3D NAND技術、進一步強化其在X4 2D NAND技術多級單元存儲領域業界領導地位

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西部數據公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD),豐富了其高質量、高耐用性的汽車儲存解決方案,
2018-10-18 16:52:411295

美光科技宣布QLC NAND技術提升市場領導地位進一步舉措

美國愛達荷州博伊西,2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司(納斯達克代碼:MU)今天宣布旗下 QLC(四級單元NAND 技術提升市場領導地位進一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301154

西部數據正開發低延遲閃存 旨在與英特爾傲騰產品展開競爭

外媒報道稱,存儲大廠西部數據(WD)正在開發自家的低延遲閃存,與傳統 3D NAND 相比,其能夠帶來更高的性能和耐用性,旨在與英特爾傲騰產品展開競爭。在本周的 Storage Field Day
2019-03-14 16:08:572708

西部數據ITB藍盤實測 多項優越性能將帶來整機性能的大幅提升

存儲解決方案提供商西部數據日前宣布推出了64層3D NAND打造的固態硬盤。該技術使西部數據能夠提供更低功耗,更高性能,耐用度更高且容量更大的新型固態硬盤。
2019-05-13 11:18:194105

西部數據推出新款嵌入式閃存盤 采用64層3D NAND TLC閃存技術

(高級駕駛輔助系統)、先進信息娛樂系統以及自動駕駛的計算機。新款256GB西部數據TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術,產品生命周期超越了2D NAND,以滿足不斷變化的應用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:113408

長江存儲直追國際技術 NAND陷入全球混戰

長江存儲在 2018 年成功研發32層3D NAND芯片后,進一步規劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進入90層3D NAND芯片生產,長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步
2019-05-17 14:13:281277

西部數據和Kioxia研發第五代BiCS 3D NAND成功,今年實現量產

根據消息報道,西部數據公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布,他們最新一代的3D NAND閃存已經開發成功,第五代BiCS 3D NAND已經開始以512 Gb顆粒形式生產,今年下半年可能會實現商業化量產。
2020-02-04 16:25:344317

長江存儲表示128層3D NAND技術會按計劃推出

據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出
2020-04-08 15:09:152377

解析西部數據開發的第五代3D NAND技術

西部數據公司 (NASDAQ: WDC)日前宣布已成功開發第五代3D NAND技術——BiCS5,繼續為行業提供先進的閃存技術來鞏固其業界領先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術構建而成
2020-07-24 15:09:131525

西部數據攜手鎧俠推出第六代3D閃存技術

架構,其橫向單元陣列密度比第五代技術提高了約10%2。與112層堆疊技術相比,這種橫向擴展技術上的提升,結合162層堆疊式垂直存儲器,能夠使晶圓尺寸減小約40%3,從而優化了成本。西部數據與鎧俠團隊還采
2021-02-22 18:28:362185

鎧俠和西部數據推出第六代162層3D閃存技術

新一代3D NAND技術已迎來新的戰局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:071901

淺談400層以上堆疊的3D NAND技術

3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內,容納更高的存儲容量,從而有效節約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729

東京電子3D NAND蝕刻新技術或挑戰泛林市場領導地位

據悉,東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元3D nand存儲器容量可以通過將存儲單元層垂直堆積來增加,如果層數增加,就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368

NAND大漲價!西部數據開第一槍

目前業界有很多樂觀的降價反彈,但目前大部分供應商和客戶都個別通知價格調整,西部數據給客戶發了漲價信,預計價格會出現驚人的上漲,是業界第一次全面大漲價格。得益于西部數據大規模價格上漲的消息,12月6日nand相關集團的股價表現強勢。
2023-12-07 14:37:03220

有了2D NAND,為什么要升級到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲技術(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲器)的一種。
2024-03-17 15:31:39279

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