國內首家NAND Flash大廠長江存儲的新一代64層3D NAND芯片即將在8月投產，這個時間點加入全球存儲競賽堪稱是“最混亂的時代”，但也可視為是“最佳入局的時間點”，因為NAND Flash價格從緩跌到重挫，逼得三星電子（Samsung Electronics）放出不再降價的信息，更讓美光（Micron）祭出多年罕見的減產策略，未來長江存儲的猛烈追趕，將帶給全球存儲世界什么樣的震撼？

長江存儲在 2018 年成功研發32層3D NAND芯片后，進一步規劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。

32層3D NAND芯片的研發成功對于長江存儲而言，只是練兵意義，真正要上戰場打仗的技術，絕對是 2019年即將亮相的64層3D NAND芯片，目前的良率進度如期，預計8月可進入生產。

力求技術“無時差”，國際技術水平最近的一次

相較NAND Flash大廠今年進入90層3D NAND芯片技術，長江存儲目前的技術約落后國際大廠1.5 ~ 2 個世代，但2020年，長江存儲計劃彎道超車，追平國際大廠。

根據目前規劃，2020年三星、SK海力士等大廠將進入128層技術，長江存儲也計劃從64層技術，直接跳到128層3D NAND技術，力拼與國際大廠技術“無時差” 。

業界人士認為，從64層技術直接跳到128層的3D NAND技術難度十分高，但這確實會是國內半導體與國際水平差距最近的一次，是否能成功跨越重重難關，這一役十分關鍵。

值得注意的是，根據原本規劃，長江存儲量產后的3D NAND芯片是要給紫光存儲來負責銷售，但傳出該策略有變，長江存儲有意自產自銷3D NAND芯片。

業界認為，只要長江存儲的64層3D NAND芯片良率夠好，不擔心客戶問題，尤其是國內系統層級的客戶，對于采用國產芯片的態度都是躍躍欲試，況且，長江存儲不單是在國內銷售，未來的目標是要將芯片推向國際，這點也是該公司在建立技術體系之初，就非常在意專利和知識產權問題的原因。

不過，長江存儲大舉進入NAND Flash產業，這個“入局”的時間點是很微妙的，但或許“最混亂的時代”，也會是“最好的時間點”。

2019 年第一季NAND Flash價格幾近“崩盤”，合約價跌幅甚至高達20% ，當前價格已經逼近上游大廠的現金成本，這樣的局勢是多年罕見，同時也逼得三星對下游模組廠放出不再降價的信息，進而帶動第二季度NAND Flash價格稍稍穩定。

更早之前，美光更是干脆宣布減產來力圖“止血”。 ?2018 年開始， NAND Flash 價格率先松動，接著 DRAM 價格也挺不住，美光在 2019 年 3 月開第一槍，宣布減產 5% ，涵蓋 NAND Flash 和 DRAM 兩項存儲芯片，這是意識到跌價惡化的速度遠超過市場預期。

再者，西部數據也調整四日市工廠產能，并且延后 Fab 6 新廠的投產計劃，預計晶圓出貨將減少 10% ~ 15 %，也等于是變相減產，都是反映市場庫存水位過高的壓力。

成敗都是數據中心，產業進入整理期

存儲供應商認為， 2019年半導體產業十分艱辛，存儲芯片產能過剩，手機需求不濟，更重要的是，上一波帶動NAND Flash再創高峰的應用是數據中心的服務器存儲芯片，從2018年下半年起，也進入冷靜期。

由于數據中心的數據量大幅提升，傳統的存儲技術出現瓶頸，暴露很多性能、處理時間過長的問題，隨著NAND Flash成本降低，與傳統硬盤的成本拉近，很多數據中心在處理不常用的冷數據cold data方面，會陸續以NAND Flash組成的SSD來取代傳統硬盤。

這樣的趨勢已經延續1~2年，但從2018年下半起，許多來自數據中心客戶的需求大踩剎車，包括英特爾和Nvidia也都表示來自數據中心的需求將降溫，企業和云端業者的采購模式都大幅走緩，短期的策略會以消化庫存為主，這一槍成為NAND Flash價格崩跌關鍵殺手。

供應商則表示，預計下半年北美客戶的數據中心需求會率先回暖，加上存儲大廠不愿流血降價的態度明確，第二季度起， NAND Flash 價格開始止跌，至于何時大幅回升？還要看變化莫測的經濟景氣而定。

雖然存儲大廠都信誓旦旦認為，下半年市場仍是有一波傳統旺季，只是力道強弱還待觀察，但還有一個隱憂，就是新技術的量產將導致供給端產能增加，其中包括三星、 SK 海力士的 96 層芯片，以及長江存儲的 64 層芯片量產。

長江存儲的 64 層 3D NAND 芯片下半年要進入量產，業界認為新技術在量產初期，總會有一些良率較低的產品在市場流竄，這部分的貨源可能會干擾一些中、低價格的 3D NAND 芯片市場，但這是每一個新技術量產之初的必經之痛。

另外，下半年也是國際存儲大廠90層3D NAND芯片的放量期，供給增加的時間點遇上傳統旺季，考驗旺季力道的強弱。三星2019年的產能是以3D NAND為主，2D NAND產能則將依需求下修而縮減。同時，堆疊數高達90層的第5代V-NAND技術已將近成熟，預計會逐漸導入量產。

另一家韓系大廠SK海力士也將進入96層新架構的3D NAND芯片，今年將處于目前主流72層3D NAND和新一代96層芯片的技術轉換期。再者，美光也進入96層3D NAND為芯片量產期。

根據市調機構TrendForce統計，2018年第四季全球NAND Flash前五強與市場份額分別為三星電子30.4%、東芝19.3%、美光15.4%、西數數據15.3%、SK海力士11.2%。

2018年全球NAND Flash全年營收約632億美元水準，較2017年成長10.9%，2018年受惠2D NAND技術轉3D NAND技術順暢，全年位元出貨量較2017年成長逾40%。

以產業長期趨勢來看，技術的演進絕對具有正面挹注，因為唯有工藝技術不斷地往前推進，降低每單位的生產成本，才會刺激更多終端應用出來，未來還有5G世代的來臨，新一波數據中心需求起飛，NAND Flash應用前景相當廣泛。

只是，全球NAND Flash產業多年來已習慣國際六強林立，分別為三星、東芝、美光、西部數據、SK海力士、英特爾，身為國內第一家量產的存儲大廠長江存儲在練兵多年后，即將在下半年以新技術64層3D NAND殺入市場，初期將在中、低階市掀起波瀾，再慢慢揮軍國際，這會是第一次有中國存儲芯片可以在國際露臉，后續引發的震撼效應不容小覷。