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電子發燒友網>存儲技術>緩沖/存儲技術>單管動態MOS存儲單元

單管動態MOS存儲單元

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什么是DRAM?DRAM存儲單元電路讀寫原理

內存芯片中每個單元都有以字節線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例,每粒內存芯片有4G個獨立地址。
2023-04-25 10:05:085457

Mask ROM存儲單元構成

ROM中的資料永遠無法做修改。 高度集成化的NAND構成。(1個晶體管單元) 數據的寫入方法 在Wafer過程內寫入信息 “1”:將離子注入晶體管 “0”:不注入離子 數據的讀取方法 使讀取單元
2023-07-12 17:35:25736

存儲系統概述:存儲系統技術創新及趨勢

SSD主要由控制單元存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161

存儲系統基礎知識全解:存儲協議及關鍵技術

SSD主要由控制單元存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198

簡單認識動態隨機存取存儲

內部功能,這種產品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM 的存儲單元的長寬比接近 1:1,為陣列(Array)形狀,存儲器的地址線則被分為行(Row)(地)址線和列(Column)(地)址線。行址線用來
2023-11-17 09:26:27382

動態存儲器和靜態存儲器的區別

SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發器構成。每個觸發器可以存儲一個位的數據,并在電源供電時一直保持該狀態,不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57952

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