一是化合物半導體的電子遷移率較硅半導體快許多，因此適用于高頻傳輸，在無線電通訊如手機、基地臺、無線區域網絡、衛星通訊、衛星定位等皆有應用；

　　二是化合物半導體具有直接帶隙，這是和硅半導體所不同的，因此化合物半導體可適用發光領域，如發光二極管（LED）、激光二極管（LD）、光接收器（PIN）及太陽能電池等產品。可用于制造超高速集成電路、微波器件、激光器、光電以及抗輻射、耐高溫等器件，對國防、航天和高技術研究具有重要意義。

　　目前，全球GaAs 半導體制造商市場份額最大的五家企業分別是Skyworks、Triquint、RFMD、Avago、穏懋，約占全球總額的65%。而在GaAs 原材料領域，IQE、全新、Kopin 三家公司占據市場67.3%的份額。

　　寬禁帶半導體材料

　　近年來，第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場前景，成為全球半導體市場爭奪的焦點。

　　所謂第三代半導體材料，主要包括SiC、GaN、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導體材料。

　　當前，電子器件的使用條件越來越惡劣，要適應高頻、大功率、耐高溫、抗輻照等特殊環境。為了滿足未來電子器件需求，必須采用新的材料，以便最大限度地提高電子元器件的內在性能。

　　和第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是半導體材料領域有前景的材料。

　　在國防、航空、航天、石油勘探、光存儲等領域有著重要應用前景，在寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導體照明、智能電網等眾多戰略行業可以降低50%以上的能量損失，高可以使裝備體積減小75%以上，對人類科技的發展具有里程碑的意義。

　　目前，由其制作的器件工作溫度可達到600 ℃以上、抗輻照1×106 rad；小柵寬GaN HEMT 器件分別在4 GHz 下，功率密度達到40 W/mm；在8 GHz，功率密度達到30 W/mm；在18 GHz，功率密度達到9.1 W/mm；在40 GHz，功率密度達到10.5 W/mm；在80.5 GHz，功率密度達到2.1 W/mm，等。因此，寬禁帶半導體技術已成為當今電子產業發展的新型動力。

　　從目前寬禁帶半導體材料和器件的研究情況來看，研究重點多集中于碳化硅（SiC） 和氮化鎵（GaN）技術，其中SiC 技術最為成熟，研究進展也較快；而GaN 技術應用廣泛，尤其在光電器件應用方面研究比較深入。氮化鋁、金剛石、氧化鋅等寬禁帶半導體技術研究報道較少，但從其材料優越性來看，頗具發展潛力，相信隨著研究的不斷深入，其應用前景將十分廣闊。

　　碳化硅材料

　　在現有的寬禁帶半導體材料中，碳化硅材料是研究的最成熟的一種。

　　相對于硅，碳化硅的優點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因為這些特點，用碳化硅制作的器件可以用于極端的環境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經成熟的應用市場。42GHz頻率的SiC MESFET用在軍用相控陣雷達、通信廣播系統中，用碳化硅作為襯底的高亮度藍光LED是全彩色大面積顯示屏的關鍵器件。

　　而在應用領域，碳化硅有以下優點：

　　1.SiC材料應用在高鐵領域，可節能20%以上，并減小電力系統體積;

　　2.SiC材料應用在新能源汽車領域，可降低能耗20%;

　　3.SiC材料應用在家電領域，可節能50%;

　　4.SiC材料應用在風力發電領域，可提高效率20%;

　　5.SiC材料應用在太陽能領域，可降低光電轉換損失25%以上;

　　6.SiC材料應用在工業電機領域，可節能30%-50%;

　　7.SiC材料應用在超高壓直流輸送電和智能電網領域，可使電力損失降低60%，同時供電效率提高40%以上;

　　8.SiC材料應用在大數據領域，可幫助數據中心能耗大幅降低;

　　9.SiC材料應用在通信領域，可顯著提高信號的傳輸效率和傳輸安全及穩定性;

　　10.SiC材料可使航空航天領域，可使設備的損耗減小30%-50%，工作頻率提高3倍，電感電容體積縮小3倍，散熱器重量大幅降低。